本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状...

本发明提供基片支承台、等离子体处理系统和环状部件的安装方法。基片支承台包括：载置基片的基片载置面；环状部件载置面，其载置以包围保持于基片载置面的基片的方式配置的环状部件；三个以上的升降部件，其构成为能够从环状部件载置面伸出，并以可调节从...

对将第二基板与形成有器件层的第一基板接合而成的重合基板进行处理的基板处理装置具有：保持部，其保持所述第二基板的背面；处理部，其对保持于所述保持部的所述第一基板进行处理；第一处理液供给部，其向所述第一基板中与所述器件层相反的一侧的表面供给...

本发明提供可防止异常放电的静电卡盘的制造方法、静电卡盘以及基板处理装置。提供一种静电卡盘的制造方法，该静电卡盘的制造方法包括：准备已形成有第1孔的第1陶瓷板的工序；准备已形成有第2孔的第2陶瓷板的工序，该第2孔在水平方向上形成于与所述第...

本发明提供使基板的接合精度提高的接合装置、接合系统、接合方法以及存储介质。实施方式的接合装置具备第1保持部、第1变形部、第2保持部、第2变形部、吸引部、以及控制装置。第1保持部从上方吸附保持第1基板。第1变形部使保持到第1保持部的第1基...

本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。所述方法用于在等离子体处理装置中通过等离子体对基板进行处理，所述等离子体处理装置具备：腔室；上部电极构造，其构成腔室的上部，该上部电极构造具有被进行温度控制的板、配置于板的下方的电极板以...

本发明提供一种能够对图案形状长期地高精度地进行测量的技术。本发明的一个方式的测量装置包括输送部、拍摄部、摄像机高度测量部、温度检测部和控制部。输送部输送形成有图案的基片。拍摄部配置在输送部的上方，拍摄载置于输送部的基片的图案。摄像机高度...

本发明提供一种能够高效地进行检查的检查装置。本发明的检查装置包括：配置收纳承载器的承载器收纳室的装载区域，其中该承载器收纳被检查体；检查区域，其中多个探针卡分别配置在多个检查部之下，将上述探针卡按压到卡盘顶部上的被检查体的电子器件来进行...

本发明提供一种等离子体处理系统和边缘环的更换方法。该等离子体处理系统包括等离子体处理装置、输送装置和控制装置，控制装置进行控制以执行以下步骤：将支承着边缘环的覆盖环向升降部件交接的步骤；使被支承部支承的治具在环状部件载置面与覆盖环之间移...

本发明提供一种阴极组件和成膜装置。阴极组件具有：能够发射出溅射粒子的靶材；具有与靶材接合的金属制的冷却板的靶材冷却部；和对靶材进行供电的电源，靶材在溅射成膜时形成有相对高温的高温区域，冷却板具有：供冷却介质流通的冷却介质流通空间；以及在...

本发明提供一种用于防止探针卡的破损的探针卡保持装置以及检查装置。包括：框架，其通过真空吸附来保持探针卡；密封部，其设于上述框架，并且与上述探针卡接触而形成密闭空间；配置部，其在将上述探针卡保持于上述框架时，用于对形成于上述探针卡的外周部...

本实用新型涉及一种液体处理装置。在对向喷出喷嘴供给的处理液进行温度调整时防止水分混入该处理液。液体处理装置具有：基板保持部，其用于保持基板；喷出喷嘴，其向保持于基板保持部的基板喷出处理液；液体供给管，其将来自处理液的储存源的处理液向喷出...

一种加热器的温度调节方法，所述加热器包括：由半导体基片构成的1片板状部件；和在所述一片板状部件的侧面，在圆周方向上隔开间隔形成的三个以上的电极，该温度调节方法包括：在所述电极与其他的所述电极之间通电，并依次切换要通电的所述电极的组，来对...

本发明提供为在工作台的下方具有冷却部的结构，并且具有不易发生对静电吸盘的供电异常的容易安装的供电机构的工作台装置、供电机构和处理装置。工作台装置包括：具有铜制的主体部和静电吸盘的工作台；设置于工作台的下方的冷却部；以及从设置于工作台的下...

本发明提供容易地进行消耗部件的更换的部件搬运装置和处理系统。对消耗部件进行搬运的部件搬运装置包括部件收纳部、容器、机械臂和移动机构。部件收纳部收纳使用前的消耗部件和使用后的消耗部件。容器具有与处理装置连接的开口部和开闭开口部的闸门，收纳...

本发明提供一种基板处理装置，能够进行准确的压力确认。基板处理装置具备：多个处理部，该多个处理部分别对被处理基板实施基板处理；多个基板载置台，各基板载置台在各处理部中载置被处理基板；多个气体导入构件，该多个气体导入构件向各处理部的处理空间...

本发明提供一种基板处理系统及装置、切换定时制作辅助装置及方法，可提高处理的切换定时的精度。基板处理系统具备基板处理装置和具备获取部、选定部、决定部以及输出部的切换定时制作辅助装置。使基板处理装置基于制程来执行对基板的处理，获取部从在处理...

本发明的等离子体处理装置具备等离子体处理腔室、基板支承器、偏置电源及高频电源。基板支承器配置于等离子体处理腔室内且包括电极。偏置电源与电极结合，构成为产生具有第1频率的偏置电力。高频电源与等离子体处理腔室结合，构成为产生具有比第1频率高...

本发明提供部件更换方法，其能够缩短伴随消耗部件的更换的处理装置的停止期间。第一推算步骤推算处理装置的消耗部件的更换时期。确定步骤将更换时期之前的期间中的由处理装置进行的基片的处理最终结束后的时刻确定为消耗部件的可更换时刻。第二推算步骤推...

本发明提供一种温度控制装置、温度控制方法以及检查装置，即使在温度控制对象物发热的情况下也能够高精度且高速地对温度控制对象物的温度进行反馈控制。进行温度控制对象物的温度控制的温度控制装置具备：加热机构，其具有对温度控制对象物进行加热的加热...