本发明提供基于时序数据组，对制造工艺的处理空间的环境定量地进行评价的分析装置、分析方法和分析程序。分析装置包括：学习部，其使用伴随处理空间中的对对象物的处理而测量的时序数据组进行机器学习，计算表示各测量项目间的、对应的时间范围的时序数据...

本发明提供这样的温度传感器和温度测量装置及温度测量方法，即，在利用温度传感器测量极低温的被测量体的温度时，能够抑制将构成温度传感器的电阻体和热锚部连接起来的引线断线。一种温度传感器，其安装于极低温的被测量体，借助引线将测量温度数据向测量...

本发明提供一种能够在电极外周部的周向生成高均匀性等离子体的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括腔室、第1电极、高频电源、供电棒、板状部件和电介质体。第1电极为与腔室内相对的电极。高频电源对第1电极供给高频电力。供电棒对第1电极的与腔室...

本发明提供一种基片输送系统、真空基片输送模块和基片输送方法。基片输送系统包括基片处理模块、大气基片输送模块、第1真空基片输送模块、第2真空基片输送模块、负载锁定模块和真空基片输送机械臂。第1真空基片输送模块与大气基片输送模块和基片处理模...

本发明提供在制冷装置升降时，能够抑制压缩装置与致冷剂输送管的连接固定部的破损的基片处理装置及其制造方法。基片处理装置包括：内部有载置基片的载置台和靶材保持件的处理容器；在其与载置台的下表面之间具有间隙地配置，具有制冷机和与制冷机层叠的制...

本发明的等离子体处理装置的基板支承器的第1静电卡盘具有第1及第2电极，保持边缘环。基板支承器的第2静电卡盘保持基板。第1电极比第2电极更靠近第2静电卡盘延伸。在等离子体处理中，具有正极性的第1电压被施加到第1及第2电极。在等离子体处理后...

本实用新型提供一种基片处理装置，其能够抑制在利用混合液的蚀刻处理结束时在混合部发生突沸反应。本实用新型的一个方式的基片处理装置包括升温部、混合部和释放部。升温部使硫酸升温。混合部将升温后的硫酸与含有水分的液体混合来生成混合液。释放部在基...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，在交替地层叠有硅层和硅锗层的基板的处理中恰当地对作为绝缘膜的间隔膜进行去除。在交替地层叠有硅膜和硅锗膜的基板的处理方法中，至少在所述硅膜和所述硅锗膜的侧面形成有低介电常数的间隔膜，所述基板处理方...

本发明提供能够容易高精度地检测导电性配管的导电性的劣化的基片处理装置和导电性配管劣化程度判断方法。基片处理装置包括：基片保持部；喷嘴部；对喷嘴部供给处理液的导电性配管；将导电性配管与基准电位连接的接地线；设置在基片保持部的周围的液接收部...

本发明提供一种能够以in

本发明提供一种基片输送系统和负载锁定模块。基片输送系统包括大气基片输送模块、真空基片输送模块和配置于大气基片输送模块的侧面且配置于真空基片输送模块的上表面或下表面的负载锁定模块。负载锁定模块具有容器、第1门、第2门和基片升降机构。容器具...

本发明提供一种基板处理装置,其抑制放电的产生。该基板处理装置包括:第一板件,其具有第一气体导入路；第二板件,其具有第二气体导入路；以及气体导入部件,其配置于上述第一板件和上述第二板件之间,并且将上述第一气体导入路和上述第二气体导入路连接...

本发明涉及等离子体处理方法。[课题]抑制腔室内的部件的消耗、且实现工艺的稳定化。[解决方案]一种等离子体处理方法，其为对基板进行等离子体处理的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包括如下工序：在腔室内将含有碳和氢的第1气体等离子体化，...

本发明提供一种处理晶片的方法，是用于以高纵横比进行含硅膜的蚀刻的技术。示例性实施方式所涉及的处理晶片的方法具备：准备具有基板和设置在基板上的含硅膜的晶片的工序。该方法还具备：在含硅膜上形成硬掩模的工序。该方法还具备：使用硬掩模对含硅膜进...

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。使基板处理装置得到较高的生产率并减小占地面积。该装置包括：第1单位模块，其包括第1基板输送区域、分别设为面向第1基板输送区域的左右的一侧、另一侧的第1处理组件、第2处理组件、分别设于第1基板输送区域...

本发明提供能够高效地进行构成基片处理装置的载置台与制冷装置之间的热交换的、基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：处理容器，其在内部具有载置基片的载置台和保持靶材的靶材保持件；制冷装置，以在其与上述载置台的下表面之间具有间隙的方式...

本发明提供一种等离子体处理装置、半导体部件和边缘环。等离子体处理装置包括半导体部件和供电部。半导体部件构成内部能够实施等离子体处理的腔室的至少一部分或者配置在腔室内，且使用有半导体材料。供电部向半导体部件供给电力或将半导体部件设为GND...

本发明提供一种绘制装置和绘制方法。实施方式的绘制装置包括绘制部和维护部。绘制部从多个释放头对沿运送方向移动的工件释放功能液，来对工件进行绘制。维护部具有在沿运送方向移动到绘制部的下方的状态下进行多个释放头的检查的检查部。根据本发明，能够...

本发明涉及一种成膜方法。提供：可以以高生产率形成均匀性良好的氧化硅膜的技术。本公开的一方式的成膜方法为在处理容器内同时在多张基板上形成氧化硅膜的成膜方法，所述成膜方法执行包括如下步骤的多次循环：向前述处理容器内供给包含有机氨基官能化低聚...

成膜装置具备：处理容器；基板保持部，其在处理容器内保持基板；靶电极，其配置于基板保持部的上方，用于保持由金属构成的靶，并向靶提供来自电源的电力；氧化气体导入机构，其向基板供给氧化气体；以及气体供给部，其向靶配置空间供给非活性气体。从靶发...