本发明专利技术提供一种基板处理方法和基板处理装置，是抑制微粒向基板的附着的技术。基板处理方法包括以下工序：将从气体供给部向基板与吸附部之间供给的气体的压力从第一压力变更为比第一压力低的第二压力；将向吸附部施加的施加电压从第一电压变更为比第一电压低的第二电压；将吸附部的温度从第一温度变更为第二温度；在将从气体供给部供给的气体的压力设为第二压力并且将向吸附部施加的施加电压设为第二电压的状态下，通过吸附部对基板进行静电吸附来将保持该基板第一时间；将从气体供给部供给的气体的压力从第二压力变更为比第一压力低且比第二压力高的第三压力；以及将向吸附部施加的施加电压从第二电压变更为比第二电压高的第三电压。压高的第三电压。压高的第三电压。
【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理装置
[0001]本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。
技术介绍
[0002]专利文献1公开了如下一种技术：通过使静电吸盘的吸附面与晶圆之间流动背侧气体来使相对的吸附力下降，以使晶圆相对于吸附面进行滑动移动，由此减少微粒的产生。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2000-21964号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够抑制微粒向基板的附着的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方式的基板处理方法利用基板处理装置变更基板的温度的方法。基板处理装置具有处理容器、载置台、吸附部以及气体供给部。载置台配置于处理容器内。吸附部设置于载置台上，温度能够变更，并且根据施加的电压来对基板进行静电吸附。气体供给部向配置于吸附部的基板与吸附部之间供给传热用的气体。温度变更方法包括以下工序：将从气体供给部向基板与吸附部之间供给的气体的压力从第一压力变更为比第一压力低的第二压力；将向吸附部施加的施加电压从第一电压变更为比第一电压低的第二电压；将吸附部的温度从第一温度变更为第二温度；在将从气体供给部供给的气体的压力设为第二压力并且将向吸附部施加的施加电压设为第二电压的状态下，通过吸附部对基板进行静电吸附来将该基板保持第一时间；将从气体供给部供给的气体的压力从第二压力变更为比第一压力低且比第二压力高的第三压力；以及将向吸附部施加的施加电压从第二电压变更为比第二电压高的第三电压。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够抑制微粒向基板的附着。
附图说明
[0012]图1是表示实施方式所涉及的基板处理装置的结构的一例的概要截面图。
[0013]图2是表示以往的基板处理方法的一例的时序图。
[0014]图3是说明微粒的产生原因的图。
[0015]图4是表示本实施方式所涉及的基板处理方法的一例的时序图。
[0016]图5是表示按施加于静电吸盘的施加电压来显示在晶圆产生的损伤长度的图。
[0017]图6是示出基于传热气体的泄漏量的判定结果的图。
[0018]图7是总结了图5和图6的判定结果的图。
[0019]图8是示出晶圆的温度变化的图。
[0020]图9是总结了图5、图6及图8的判定结果的图。
[0021]图10是表示附着于晶圆的边缘区域的微粒的平均值的曲线图。
[0022]附图标记说明
[0023]1：处理容器；2：载置台；6：静电吸盘；6a：电极；6b：绝缘体；6c：加热器；8：晶圆；17：配线；18：加热器电源；25：传热气体供给部；26：气体供给线路；26a：气体供给线路；26b：阀；26c：阀；90：控制部；91：工艺过程控制器；92：用户接口；93：存储部；100：基板处理装置。
具体实施方式
[0024]下面，参照附图来详细地说明本申请公开的基板处理方法和基板处理装置的实施方式。此外，并不通过本实施方式来限定公开的基板处理方法和基板处理装置。
[0025]另外，在对基板实施基板处理的基板处理装置中，在载置台设置有对基板进行静电吸附的静电吸盘(ESC：Electrostatic chuck)，以稳定地保持基板。另外，基板处理装置通过改变载置台的温度来将被吸附于载置台的基板的温度控制为适于进行基板处理的温度。但是，在基板处理装置中，当在吸附基板的状态下改变基板和载置台的温度的情况下，由于基板与静电吸盘的热膨胀系数不同而使得基板与静电吸盘的接触部分摩擦而产生微粒。
[0026]因此，在专利文献1的技术中，通过使静电吸盘的吸附面与晶圆之间流动气体来使相对的吸附力下降，以使晶圆相对于吸附面进行滑动移动。
[0027]但是，在静电吸盘的吸附面与基板之间流动的气体有时从基板的外周漏出，由于漏出的气体而从基板的外周扬起微粒并且该微粒附着于基板。在专利文献1的技术中，由于使静电吸盘的吸附面与基板之间流动气体来使吸附力下降，因此从基板的外周泄漏的气体的变多，容易从基板的外周扬起微粒。因此，一直期待抑制微粒向基板的附着。
[0028][实施方式][0029][装置结构][0030]说明对实施方式所涉及的基板处理方法进行实施的基板处理装置的一例。在本实施方式中，以等离子体蚀刻等的等离子体处理为例来说明基板处理。另外，以等离子体处理装置为例进行说明。图1是表示实施方式所涉及的基板处理装置100的结构的一例的概要截面图。基板处理装置100气密性地构成，并且具有在电气上被设为接地电位的处理容器1。处理容器1被设为圆筒状，并且例如由铝等构成。在处理容器1的内部形成有生成等离子体的处理空间。在处理容器1内设置有将作为基板的半导体晶圆(以下简称为“晶圆”。)8水平地支承的载置台2。
[0031]载置台2包括基座(底座)2a和静电吸盘(ESC)6。基座2a由导电性金属、例如铝等构成，具有作为下部电极的功能。静电吸盘6具有用于对晶圆8进行静电吸附的功能。载置台2被支承台4支承。支承台4例如被由石英等电介质构成的支承构件3支承。另外，在载置台2的上方的外周设置有例如由单晶硅形成的聚焦环等边缘环5。并且，在处理容器1内，以包围载置台2和支承台4的周围的方式设置有例如由陶瓷等电介质构成的圆筒状的内壁构件3a。
[0032]基座2a经由第一匹配器11a而与第一高频电源10a连接。另外，基座2a经由第二匹配器11b而与第二高频电源10b连接。第一高频电源10a为产生用于产生等离子体的高频电
力的电源。在进行等离子体处理时，第一高频电源10a向载置台2的基座2a供给27～100MHz的范围的规定频率的高频电力，在一例中为40MHz频率的高频电力。第二高频电源10b为产生用于吸引离子(偏置用)的高频电力的电源。在进行等离子体处理时，第二高频电源10b向载置台2的基座2a供给比第一高频电源10a低的、400kHz～13.56MHz的范围的规定频率的高频电力，在一例中为3MHz的高频电力。像这样，载置台2构成为能够从第一高频电源10a和第二高频电源10b施加不同频率的两个高频电力。另一方面，在载置台2的上方，以与载置台2平行地相向的方式设置具有作为上部电极的功能的喷淋头16。喷淋头16和载置台2作为一对电极(上部电极和下部电极)发挥功能。
[0033]另外，基座2a经由配线13电接地。在配线13上设置有继电器开关等开关13a。基座2a设为通过开关13a的接通/断开而能够在接地的接地状态和浮置状态之间电切换。
[0034]静电吸盘6形成为上表面平坦的圆盘状。静电吸盘6的上表面设为用于载置晶圆8的载置面6e。静电吸盘6是在绝缘体6b之间夹设有电极6a而构成的。电极6a与直流电源12连接。静电吸盘6利用通过从直流电源12向电极6a施加直流电压而产生的库伦力来吸附晶圆8。
[0035]在静电吸盘6中，在绝本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，是基板处理装置对基板进行处理的基板处理方法，所述基板处理装置具有：处理容器；载置台，其配置于所述处理容器内；吸附部，其设置于所述载置台上，温度能够变更，并且根据施加的电压来对基板进行静电吸附；以及气体供给部，其向配置于所述吸附部的所述基板与所述吸附部之间供给传热用的气体，所述基板处理方法包括以下工序：将从所述气体供给部向所述基板与所述吸附部之间供给的气体的压力从第一压力变更为比所述第一压力低的第二压力；将向所述吸附部施加的施加电压从第一电压变更为比所述第一电压低的第二电压；将所述吸附部的温度从第一温度变更为第二温度；在将从所述气体供给部供给的气体的压力设为所述第二压力并且将向所述吸附部施加的施加电压设为所述第二电压的状态下，通过所述吸附部对所述基板进行静电吸附来将该基板保持第一时间；将从所述气体供给部供给的气体的压力从所述第二压力变更为比所述第一压力低且比所述第二压力高的第三压力；以及将向所述吸附部施加的施加电压从所述第二电压变更为比所述第二电压高的第三电压。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在变更为所述第二压力的工序之前，还包括以所述第一温度对所述基板实施第一工艺的处理的工序，在变更为所述第三电压的工序之后，还包括以所述第二温度对所述基板实施第二工艺的处理的工序。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，在变更为所述第三电压之后，还包括将从所述气体供给部供给的气体的压力从所述第三压力变更为比所述第三压力高的第四压力的工序。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一压力与所述第四压力相等。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一电压与所述第三电压相等。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在变更为第二压力的所述工序中，通过将从所述气体供给部供给的气体排气至排气系统，来将向所述基板与所述吸附部之间供给的气体的压力从第一压力变更为比所述第一压力低的第二压力。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在将所述吸附部的温度从第一温度变更为...
【专利技术属性】
技术研发人员：滨康孝，松原稜，新藤信明，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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