等离子体处理方法及等离子体处理装置制造方法及图纸

提供一种对有机膜的蚀刻形状不良进行抑制的等离子体处理方法及等离子体处理装置。该等离子体处理方法通过在有机膜上由含硅膜形成且具有开口部的掩模，对所述有机膜进行蚀刻，该等离子体处理方法具有：对所述掩模的形状进行修复的工序，其中，对所述掩模的形状进行修复的工序包括：对所述掩模的开口部的侧壁进行改性的工序；以及对所述掩模的上表面进行蚀刻的工序。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理方法及等离子体处理装置
本公开涉及一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。
技术介绍
例如在3DNAND的蚀刻工序中，作为用于对SiOx膜及SiN膜的层叠膜进行蚀刻的掩模，使用非晶碳膜等有机膜。通过以SiON膜等无机膜作为掩模来对有机膜进行蚀刻，从而形成该有机膜的掩模的图案。专利文献1中公开了一种方法，其用于在由抗蚀剂掩模、中间掩模层、功能性有机质掩模层、以及蚀刻层形成的层叠体(stack)中，通过在功能性有机质掩模层的开口产生包含COS的开口气体的等离子体，从而对蚀刻层内的蚀刻结构的界限尺寸(CD)进行控制。<现有技术文献><专利文献>专利文献1：(日本)特开2010-109373号公报
技术实现思路
<本专利技术要解决的问题>在一个方面，本公开提供一种对有机膜的蚀刻形状不良进行抑制的等离子体处理方法及等离子体处理装置。<用于解决问题的手段>为了解决上述问题，根据一个实施方式，提供一种等离子体处理方法，其通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理方法，其通过在有机膜上由含硅膜形成且具有开口部的掩模，对所述有机膜进行蚀刻，所述等离子体处理方法具有：/n对所述掩模的形状进行修复的工序，/n其中，对所述掩模的形状进行修复的工序包括：/n对所述掩模的开口部的侧壁进行改性的工序；以及/n对所述掩模的上表面进行蚀刻的工序。/n

【技术特征摘要】
20191106 JP 2019-2016681.一种等离子体处理方法，其通过在有机膜上由含硅膜形成且具有开口部的掩模，对所述有机膜进行蚀刻，所述等离子体处理方法具有：
对所述掩模的形状进行修复的工序，
其中，对所述掩模的形状进行修复的工序包括：
对所述掩模的开口部的侧壁进行改性的工序；以及
对所述掩模的上表面进行蚀刻的工序。


2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，
在对所述掩模的开口部的侧壁进行改性的工序中，
将所述掩模的开口部的侧壁改性为SiC。


3.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其中，
在对所述掩模的开口部的侧壁进行改性的工序中，
利用含有含氢气体的第一处理气体进行等离子体处理。


4.根据权利要求3所述的等离子体处理方法，其中，
在对所述掩模的开口部的侧壁进行改性的工序中，
利用所述第一处理气体的等离子体对所述有机膜进行蚀刻，以利用该蚀刻的反应产物对所述侧壁进行改性。


5.根据权利要求2至4中任一项所述的等离子体处理方法，其中，
在对所述掩模的上表面进行蚀刻的工序中，
通过对所述掩模的开口部的侧壁进行改性的工序所生成的SiC的蚀刻速率低于所述含硅膜的蚀刻速率。


6.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其中，
在对所述掩模的上表面进行蚀刻的工序中，
利用含有含卤素气体的第二处理气体进行等离子体处理。


7.根据权利要求6所述的等离子体处理方法，其中，
所述第二处理气体含有含氢气体。


8.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，
在对所述掩模的上表面进行蚀刻的工序中，
利用含有含卤素气体的第二处理气体进行等离子体处理。


9.根据权利要求1至8中任一项所述的等离子体处理方法，其中，
同时进行对所述掩模的开口部的侧壁进行改性的工序和对所述掩模的上表面进行蚀刻的工序。


10.根据权利要求1至8中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：寺嶋亮，酒井让，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP