用于使用氟自由基处理工件的方法技术

提供了用氟自由基处理工件的方法。在一个示例实施中，方法包括具有至少一种硅层和至少一种硅锗层的工件。方法可包括在处理腔室中将工件放置在工件支撑件中。方法可包括在等离子体腔室中从工艺气体中生成一种或多种物质。方法可包括过滤一种或多种物质以产生过滤的混合物。方法可包括将工件暴露于过滤的混合物以去除至少一部分的至少一种硅层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于使用氟自由基处理工件的方法优先权声明本申请要求于2019年8月28日提交的名称为“METHODSFORPROCESSINGAWORKPIECEUSINGFLUORINERADICALS(用于使用氟自由基处理工件的方法)”的美国临时申请系列号62/892,720的优先权的权益，其通过引用并入本文用于所有目的。
本公开大体上涉及处理工件。
技术介绍
等离子处理在半导体工业中广泛用于半导体晶片和其他基材的沉积、蚀刻、抗蚀剂去除(resistremoval)以及相关处理。等离子体源(例如，微波、ECR、感应等)通常用于等离子体处理，以生成高密度等离子体和反应性物质，用于处理基材。使用等离子体干式去胶工艺已经完成了植入后光刻胶、刻蚀后残留物和其他掩模和/或材料去除。在等离子体干式去胶工艺中，来自在远程等离子体腔室中生成的等离子体的中性粒子穿过隔栅进入处理腔室，以处理基材，比如半导体晶片。
技术实现思路
本公开的实施方式的方面和优点将部分在以下描述中陈述，或可从描述中得知，或可通过实施方式的实践而得知。本公开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理工件的方法，所述工件包括至少一种硅层和至少一种硅锗层，所述方法包括在所述工件上进行刻蚀工艺，所述刻蚀工艺包括：/n在处理腔室中，将所述工件放置在工件支撑件上；/n使用等离子体腔室诱导的等离子体从第一工艺气体生成一种或多种物质；/n过滤所述一种或多种物质以产生过滤的混合物，所述过滤的混合物包括一种或多种氟自由基、碳自由基和氢自由基；和/n将所述工件暴露于所述过滤的混合物以去除至少一部分的所述至少一种硅层，其中所述至少一种硅层以比所述至少一种硅锗层的刻蚀速率更快的刻蚀速率去除。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190828 US 62/892,7201.一种用于处理工件的方法，所述工件包括至少一种硅层和至少一种硅锗层，所述方法包括在所述工件上进行刻蚀工艺，所述刻蚀工艺包括：
在处理腔室中，将所述工件放置在工件支撑件上；
使用等离子体腔室诱导的等离子体从第一工艺气体生成一种或多种物质；
过滤所述一种或多种物质以产生过滤的混合物，所述过滤的混合物包括一种或多种氟自由基、碳自由基和氢自由基；和
将所述工件暴露于所述过滤的混合物以去除至少一部分的所述至少一种硅层，其中所述至少一种硅层以比所述至少一种硅锗层的刻蚀速率更快的刻蚀速率去除。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一工艺气体包括含氟气体。


3.根据权利要求2所述的方法，其中所述含氟气体选自由CF4、NF3、CHF3、CH2F2、CH3F和CFxHy组成的组中，其中x大于或等于1且小于或等于10，其中y大于或等于1且小于或等于10。


4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一工艺气体包括含烃气体。


5.根据权利要求4所述的方法，其中所述含烃气体选自由CH4、C4F8和CnH2n+2组成的组中，其中n大于或等于1且小于或等于10或其中所述含烃气体具有CnH2n化学式，其中n大于或等于2且n小于或等于10。


6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一工艺气体进一步包括载气。


7.根据权利要求6所述的方法，其中所述载气包括氦、氩、氙或氖。


8.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种硅层的刻蚀速率与所述至少一种硅锗层的刻蚀速率的比率等于或大于20:1。


9.根据权利要求1所述的方法，其中将所述工件暴露于所述过滤的混合物形成所述至少一种硅层上的第一层和所述至少一种硅锗层上的第二层。


10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一层包括硅、氟、氢和碳，并且其中所述第二层包括锗、氟、氢和碳。


11.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一层和所述第二层使所述至少一种硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：张祺，吕新亮，
申请(专利权)人：玛特森技术公司，北京屹唐半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US