【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于工件加工的系统和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求具有提交日为
2021
年3月3日的名称为“用于工件加工的系统和方法”的第
17/191,295
号美国申请的优先权,并且其全部内容通过引用并入本文
。
[0003]本公开大体上涉及加工工件,并且更具体地涉及用于加工工件,诸如半导体工件,的系统
。
技术介绍
[0004]将工件,诸如半导体晶片或其它合适的基底,暴露于用于形成半导体器件或其它器件的整体处理方案的处理系统,可以执行多个处理步骤,诸如等离子体加工
(
例如,剥离
、
刻蚀等
)、
热处理
(
例如,退火
)、
沉积
(
例如,化学气相沉积
)
等
。
为了实行这些处理步骤,系统可以包括一个或多个机器人,以将工件移动若干不同的次数,例如,移入系统
、
在各种处理腔室之间移动
、
以及移出系统
。
在任何半导体处理系统中的重要考虑因素是系统的占地面积大小
。
增加的占地面积大小可能在处理设施中占用更多空间,从而导致降低的吞吐量和增加的成本
。
[0005]用于半导体工件的处理系统的示例构造可以包括集群式工具
、
转盘式工具等
。
在集群式工具中,可以围绕用于在多个处理腔室之间移动工件 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种用于加工多个工件的处理系统,所述处理系统包括:传送腔室,与第一处理腔室和第二处理腔室处于工艺流连通中,所述传送腔室具有第一直侧;其中,所述第一处理腔室包括至少一个第一处理站,并且其中,所述第一处理腔室沿着所述第一直侧设置;其中,所述第二处理腔室包括至少两个第二处理站,其中,所述第二处理腔室沿着所述第一直侧设置,并且其中,所述第二处理腔室被设置为沿着所述第一直侧与所述第一处理腔室呈线性布置;以及其中,所述传送腔室包括至少一个工件搬动机器人,所述至少一个工件搬动机器人被配置为将至少一个工件传送到所述至少一个第一处理站和所述至少两个第二处理站
。2.
根据权利要求1所述的处理系统,其中,所述第一处理腔室包括沿着所述第一直侧设置的至少一个第一狭缝门,并且所述第二处理腔室包括沿着所述第一直侧设置的至少一个第二狭缝门,并且其中,所述至少一个第一狭缝门沿着所述第一直侧与所述至少一个第二狭缝门横向地对齐
。3.
根据权利要求2所述的处理系统,其中,在所述至少一个第一狭缝门的纵向中心与所述至少一个第二狭缝门的纵向中心之间的纵向偏移大约为零
。4.
根据权利要求1所述的处理系统,还包括装载固定腔室,所述装载固定腔室与所述传送腔室处于工艺连通中,所述装载固定腔室包括工件柱
。5.
根据权利要求4所述的处理系统,其中,所述装载固定腔室被设置在所述传送腔室的
、
垂直于所述第一直侧的一侧上
。6.
根据权利要求1所述的处理系统,其中,所述第一处理腔室包括至少两个处理站
。7.
根据权利要求1所述的处理系统,其中,所述第一处理腔室
、
所述第二处理腔室和所述传送腔室处于无真空中断的工艺流连通中
。8.
根据权利要求1所述的处理系统,还包括在所述第一处理腔室与所述第二处理腔室之间的传送位置,其中,所述传送位置包括至少一个工件柱,并且其中,所述传送位置位于所述传送腔室内
。9.
根据权利要求1所述的处理系统,还包括第三处理腔室和第四处理腔室,所述第三处理腔室包括至少一个处理站,所述第四处理腔室包括至少一个处理站,所述第三处理腔室和所述第四处理腔室被设置在所述传送腔室的第三直侧上,所述第三直侧被设置为与所述传送腔室的所述第一直侧相对
。10.
根据权利要求9所述的处理系统,其中,所述第三处理腔室或所述第四处理腔室中的至少一个包括至少两个处理站
。11.
根据权利要求1所述的处理系统,还包括前端部,其中,所述前端部与所述传送腔室处于工艺流连通中
。12.
一种用于加工多个工件的处理系统,所述处理系统包括:第一处理腔室,具有两个处理站;第二处理腔室...
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