本公开提供了可配置的法拉第屏蔽体及其操作方法、等离子体处理装置。该可配置的法拉第屏蔽体包括多个肋状体。每个肋状体可以沿圆周方向彼此间隔开。此外，可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分至少在第一位置和第二位置之间可移动，以将可配置的法拉第屏蔽体选择性地耦合到射频接地平面。当可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分处于第一位置时，可配置的法拉第屏蔽体可与射频接地平面去耦合，使得可配置的法拉第屏蔽体电浮动。相反，当可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分处于第二位置时，可配置的法拉第屏蔽体可被耦合到射频接地平面，使得可配置的法拉第屏蔽体电接地。配置的法拉第屏蔽体电接地。配置的法拉第屏蔽体电接地。
【技术实现步骤摘要】
可配置的法拉第屏蔽体及其操作方法、等离子体处理装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本本申请要求于2020年12月28日提交的名称为“可配置的法拉第屏蔽体(Configurable Faraday Shield)”的美国临时申请序列号63/130,990的优先权，其全部内容通过引用并入本文。本申请要求于2021年6月8日提交的名称为“可配置的法拉第屏蔽体(Configurable Faraday Shield)”的美国临时申请序列号63/208,050的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
[0003]本公开总体上涉及等离子体处理装置，更具体地，涉及用于等离子体处理装置的可配置的法拉第屏蔽体。
技术介绍
[0004]等离子体处理广泛用于半导体工业中，用于半导体晶片和其他基材的沉积、刻蚀、抗蚀剂去除和相关处理。等离子体源(例如微波、ECR、感应耦合等)通常用于等离子体处理，以产生用于处理基材的高密度等离子体和反应性物质。在等离子体干式剥离工艺中，自远程等离子体室中生成的等离子体的中性物质(例如自由基)穿过隔栅进入处理室以处理工件，诸如半导体晶片。在等离子体刻蚀工艺中，直接暴露于工件的等离子体中生成的自由基、离子和其他物质可用于刻蚀和/或去除工件上的材料。
技术实现思路
[0005]本公开的实施例的方面和优点将在以下描述中部分阐述，或者可以从描述中获悉，或者可以通过实施例的实践获悉。
[0006]一方面，提供了一种可配置的法拉第屏蔽体。该可配置的法拉第屏蔽体包括多个肋状体。每个肋状体可以沿圆周方向彼此间隔开。可配置的法拉第屏蔽体可以包括多个导电带。可配置的法拉第屏蔽体可以包括锁定构件，该锁定构件至少在第一位置和第二位置之间可移动，以经由多个导电带的对应导电带将多个肋状体中的每个肋状体选择性地耦合到射频接地平面。
[0007]另一方面，提供了一种操作等离子体处理装置的可配置的法拉第屏蔽体的方法。该方法包括将可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分移动到第一位置，以将可配置的法拉第屏蔽体与射频接地平面去耦合，使得可配置的法拉第屏蔽体在用于工件的等离子体处理工艺的第一部分期间电浮动，该工件被设置在等离子体处理装置的处理室内。该方法包括在可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分处于第一位置时向可配置的法拉第屏蔽体施加射频功率。该方法包括将可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分从第一位置移动到第二位置，以将可配置的法拉第屏蔽体耦合到射频接地平面，使得可配置的法拉第屏蔽体在等离子体处理工艺的第二部分期间电接地。
[0008]又一方面，提供了一种等离子体处理装置。等离子体处理装置包括等离子体室。等
离子体处理装置进一步包括定位在等离子体室外侧的感应线圈。等离子体处理装置甚至进一步包括定位在等离子体室外侧的可配置的法拉第屏蔽体，使得可配置的法拉第屏蔽体定位在感应线圈和等离子体室的外表面之间。可配置的法拉第屏蔽体包括多个彼此间隔开的肋状体。此外，可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分至少在第一位置和第二位置之间可移动，以将可配置的法拉第屏蔽体选择性地耦合到射频接地平面。
[0009]参考以下描述和随附权利要求，将更好地理解各种实施例的这些和其他特征、方面和优点。并入本说明书中并构成其一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与说明书一起用于解释相关的原理。
附图说明
[0010]在参考附图的说明书中阐述了针对本领域一般技术人员的实施例的详细讨论，其中：
[0011]图1描绘了根据本公开的示例性实施例的示例性等离子体处理装置。
[0012]图2描绘了根据本公开的示例性实施例的在第一位置具有可移动构件的可配置的法拉第屏蔽体。
[0013]图3描绘了根据本公开的示例性实施例的不带锁定构件的图2的可配置的法拉第屏蔽体。
[0014]图4描绘了根据本公开的示例性实施例的图2的侧视图。
[0015]图5描绘了根据本公开的示例性实施例的在第二位置具有可移动构件的可配置的法拉第屏蔽体。
[0016]图6描绘了根据本公开的示例性实施例的图5的侧视图。
[0017]图7描绘了根据本公开的示例性实施例的在第三位置具有可移动构件的可配置的法拉第屏蔽体。
[0018]图8描绘了根据本公开的示例性实施例的图7的侧视图。
[0019]图9描绘了根据本公开的示例性实施例的处于第一位置的可配置的法拉第屏蔽体的锁定构件，使得法拉第屏蔽体电浮动。
[0020]图10描绘了根据本公开的示例性实施例的处于第二位置的可配置的法拉第屏蔽体的锁定构件，使得法拉第屏蔽体电接地。
[0021]图11描绘了根据本公开的示例性实施例的电浮动的等离子体处理装置的可配置的法拉第屏蔽体。
[0022]图12描绘了据本公开的示例性实施例的图11的截面图。
[0023]图13描绘了根据本公开的示例性实施例的电接地的等离子体处理装置的可配置的法拉第屏蔽体。
[0024]图14描绘了根据本公开的示例性实施例的控制操作可配置的法拉第屏蔽体的方法的流程图。
具体实施方式
[0025]现在将详细参考本专利技术的实施例，附图中示出了实施例的一个或多个示例。每个示例被提供用于解释实施例，并非是对本专利技术的限制。事实上，对于本领域技术人员来说显
而易见的是，在不脱离本公开的范围或精神的情况下可以对实施例进行各种修改和变化。例如，作为一个实施例的一部分示出或描述的特征可以与另一个实施例一起使用以产生又一实施例。因此，本专利技术旨在涵盖随附权利要求书及其等效物范围内的此类修改和变化。
[0026]本公开的示例性方面涉及等离子体处理装置。等离子体处理装置可以包括电接地的法拉第屏蔽体。替选地，等离子体处理装置可包括非电接地(例如浮动)的法拉第屏蔽体。然而，期望地是等离子体处理装置包括可以选择性地耦合到电接地(例如射频接地平面)的法拉第屏蔽体，从而该法拉第屏蔽体可以选择性地接地或选择性地浮动。
[0027]本公开的示例性方面涉及可配置的法拉第屏蔽体。可配置的法拉第屏蔽体可以包括多个肋状体。多个肋状体中的每个都可以彼此间隔开。例如，在一些实施方式中，多个肋状体可以彼此周向间隔开。可配置的法拉第屏蔽体可以包括多个导电带。在一些实施方式中，多个导电带中的每个可以耦合到多个肋状体中的对应肋状体。
[0028]在一些实施方式中，可配置的法拉第屏蔽体可以包括锁定构件。锁定构件可以至少在第一位置和第二位置之间可移动，以经由多个导电带中的对应导电带将多个肋状体选择性地耦合至射频接地平面。例如，在一些实施方式中，锁定构件可以限定多个槽口。当锁定构件处于第一位置时，多个导电带中的每个可被定位于多个槽口中的对应槽口，使得多个导电带不接触(例如触碰)射频接地平面。以这种方式，多个肋状体可以与射频接地平面去耦合，使得法拉第屏蔽体是电浮动的(例如非电接地)。
[0029]在一些实施方式中，锁定构件可以围绕轴线旋转并且沿着轴线移动(例如平移)，以从第一位置移动到第二位本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可配置的法拉第屏蔽体，所述可配置的法拉第屏蔽体限定了轴向、圆周方向和径向，所述可配置的法拉第屏蔽体包括：多个肋状体，所述肋状体中的每个肋状体沿所述圆周方向彼此间隔开；多个导电带；以及锁定构件，至少在第一位置和第二位置之间可移动，以经由所述多个导电带的对应导电带将所述多个肋状体中的每个肋状体选择性地耦合到射频接地平面。2.根据权利要求1所述的可配置的法拉第屏蔽体，其中，所述多个导电带中的每个导电带被耦合到所述多个肋状体中的对应肋状体。3.根据权利要求1所述的可配置的法拉第屏蔽体，其中，所述锁定构件围绕所述轴向旋转并沿所述轴向平移，以在所述第一位置和所述第二位置之间移动。4.根据权利要求1所述的可配置的法拉第屏蔽体，其中，所述多个导电带中的每个导电带包括：第一部分，耦合到所述多个肋状体的对应肋状体；第二部分，相对于所述第一部分弯曲；以及第三部分，相对于所述第二部分弯曲，所述第三部分基本上平行于所述第一部分。5.根据权利要求4所述的可配置的法拉第屏蔽体，其中，所述第二部分以大于90度的角度相对于所述第一部分弯曲。6.根据权利要求4所述的可配置的法拉第屏蔽体，其中，所述多个导电带中的至少一个导电带包含铍铜。7.根据权利要求4所述的可配置的法拉第屏蔽体，其中，所述可配置的法拉第屏蔽体进一步包括：介电间隔件，沿所述轴向定位于所述射频接地平面和所述多个肋状体之间。8.根据权利要求7所述的可配置的法拉第屏蔽体，其中，当所述锁定构件处于所述第一位置时，所述多个导电带中的每个导电带定位于由所述锁定构件限定的多个槽口中的对应槽口内，使得所述多个导电带与所述射频接地平面间隔开；以及当所述锁定构件处于所述第二位置时，所述锁定构件将所述多个导电带中的每个导电带的所述第三部分压靠在所述射频接地平面上。9.根据权利要求7所述的可配置的法拉第屏蔽体，其中，所述锁定构件处于中间的第三位置，所述锁定构件将所述多个导电带中的每个导电带的所述第二部分压靠在所述介电间隔件上。10.根据权利要求1所述的可配置的法拉第屏蔽体，其中，所述锁定构件包括限定多个槽口的环。11.一种操作等离子体处理装置的可配置的法拉第屏蔽体的方法，所述方法包括：将所述可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分移动到第一位置，以将所述可配置的法拉第屏蔽体与射频接地平面去耦合，使得所述可配置的法拉第屏蔽体在用于工件的等离子体处理工艺的第一部分期间电浮动，所述工件设置在所述等离子体处理装置的处理室内；在所述可配置的法拉第屏蔽体的所述至少一部分处于所述第一位置时，将射频功率施加至所述可配置的法拉第屏蔽体；以及
将所述可配置的法拉第屏蔽体的所述至少一部分从所述第一位置移动到第二位置，以将所述可配置的法...
【专利技术属性】
技术研发人员：龙茂林，
申请(专利权)人：玛特森技术公司，
类型：发明
国别省市：
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