包括温度测量单元的工程腔室及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种工程腔室及包括所述工程腔室的基板处理装置。所述基板处理装置可包括上部电极、配置在所述上部电极的下方的气体分配单元、配置在所述气体分配单元的下方的喷头，包括与所述喷头接触且测量所述喷头的温度的第一温度传感器的温度传感器单元及配置在所述喷头的下部的下部电极。所述第一温度传感器可通过所述上部电极及所述气体分配单元后直接接触所述喷头。本发明专利技术的基板处理装置能够准确地测量在处理空间进行的工序的温度。准确地测量在处理空间进行的工序的温度。准确地测量在处理空间进行的工序的温度。

【技术实现步骤摘要】
包括温度测量单元的工程腔室及基板处理装置
[0001]本申请要求于2020年12月30日向韩国特许厅申请的韩国专利技术申请第10
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2020
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0187431号的优先权。


[0002]本专利技术的例示性实施例涉及包括温度测量单元的工程腔室及包括温度测量单元的基板处理装置。更具体来讲，本专利技术的例示性实施例涉及包括能够通过喷头准确地测量工序温度的温度测量单元的工程腔室及包括能够通过喷头准确地测量工序温度的温度测量单元的基板处理装置。

技术介绍

[0003]包括半导体装置的集成电路装置或包括平板显示装置的显示装置大体可采用包括沉积腔室、溅射腔室、蚀刻腔室、清洗腔室、干燥腔室等多种工程腔室的基板处理装置制成。所述工程腔室中的一部分能够利用等离子体处理基板，在极高温度及/或强电场内可产生等离子体。
[0004]现有的基板处理装置包括在所述工程腔室内接触气体分配装置且测量对基板进行的等离子体工序的温度的温度传感器。但现有的温度传感器由于接触用于向所述工程腔室内分配工程气体的气体分配单元，因此可能无法准本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种工程腔室，其特征在于，包括：气体分配单元；喷头，配置在所述气体分配单元的下方；以及温度测量单元，具有与所述喷头接触且测量所述喷头的温度的第一温度传感器。2.根据权利要求1所述的工程腔室，其特征在于，所述工程腔室还包括：下部电极，配置在所述气体分配单元上的上部电极及与所述上部电极相对，所述第一温度传感器通过所述上部电极及所述气体分配单元后直接接触所述喷头。3.根据权利要求2所述的工程腔室，其特征在于：设有通过所述上部电极及所述气体分配单元收容所述第一温度传感器的第一收容孔。4.根据权利要求2所述的工程腔室，其特征在于：所述喷头包括收容所述第一温度传感器的端部的收容槽。5.根据权利要求2所述的工程腔室，其特征在于：所述第一温度传感器与结合所述气体分配单元与所述喷头的结合部件接触。6.根据权利要求5所述的工程腔室，其特征在于：所述结合部件具有螺栓结构。7.根据权利要求2所述的工程腔室，其特征在于，所述温度测量单元还包括：第二温度传感器，通过所述上部电极后接触所述气体分配单元，测量所述气体分配单元的温度。8.根据权利要求7所述的工程腔室，其特征在于：所述上部电极设有收容所述第二温度传感器的第二收容孔。9.根据权利要求1所述的工程腔室，其特征在于：所述第一温度传感器包括热电偶温度传感器。10.根据权利要求1所述的工程腔室，其特征在于：所述第一温度传感器包括光纤传感器。11.一种基板处理装置，其特征在于，包括：上部电极；气体分配单元，配置在所述上部电极的下方；喷头，配置在所述气体分配单元的下方；温度传感器单元，包括与所述喷头接触且测量所述喷头的温度的第一温度传感器；以及下部电极，配置在所述喷头...

【专利技术属性】
技术研发人员：金斗淳，文商珉，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：