下电极组件和包含下电极组件的等离子体处理装置制造方法及图纸

一种下电极组件及其包含下电极组件的等离子体处理装置，其中，所述下电极组件包括：基座；静电夹盘，位于所述基座上，用于吸附待处理基片，其材料为陶瓷非金属材料；气体输送管道，贯穿所述基座，用于输送气体；气体扩散腔、气体入口和气体出口，设于所述静电夹盘内，来自于所述气体输送管道内的气体通过气体入口进入气体扩散腔，再经所述气体扩散腔扩散后通过气体出口输出至待处理基片的背面。所述等离子体处理装置能够防止电弧放电。处理装置能够防止电弧放电。处理装置能够防止电弧放电。

【技术实现步骤摘要】
下电极组件和包含下电极组件的等离子体处理装置


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种下电极组件和包含下电极组件的等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]在半导体器件制造的各种工序中，等离子体处理是将待处理基片放置于等离子体处理装置内加工成设计图案的关键工艺。在典型的等离子体处理工艺中，工艺气体在射频(Radio Frequency，RF)激励作用下形成等离子体。这些等离子体在经过上电极和下电极之间的电场(电容耦合或者电感耦合)作用后与待处理基片表面发生物理轰击作用及化学反应，从而对待处理基片进行处理。
[0003]在利用等离子体对静电夹盘上的待处理基片进行处理的场合中，往往需要更高的待处理基片温度以及更高的射频功率，在高温高功率下容易导致气孔内的气体被击穿产生电弧(arcing)，严重的电弧会对待处理基片和静电夹盘造成电弧损伤，甚至会导致静电夹盘永久性破坏。
[0004]因此，迫切需要一种等离子体处理装置以降低电弧损伤。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供了一种下电极组件和包含本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于等离子体处理装置的下电极组件，其特征在于，包括：基座；静电夹盘，位于所述基座上，用于吸附待处理基片，其材料为陶瓷非金属材料；气体输送管道，贯穿所述基座，用于输送气体；气体扩散腔、气体入口和气体出口，设于所述静电夹盘内，来自于所述气体输送管道内的气体通过气体入口进入气体扩散腔，再经所述气体扩散腔扩散后通过气体出口输出至待处理基片的背面。2.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述静电夹盘包括若干个同心的气体区域，每个所述气体区域设有所述气体扩散腔、气体入口和气体出口，每个气体区域对应一个气体输送管道。3.如权利要求2所述的下电极组件，其特征在于，所述基座包括平台部和位于平台部外围的台阶部；所述静电夹盘位于所述平台部上。4.如权利要求3所述的下电极组件，其特征在于，所述台阶部包括至少一个边缘扩散区，所述下电极组件还包括：边缘进气口、边缘扩散腔和边缘出气口，设于各个所述边缘扩散区内，所述边缘进气口和边缘出气口分别位于所述边缘扩散腔的下方和上方，所述边缘进气口和边缘出气口与边缘扩散腔连通且贯穿台阶部。5.如权利要求2所述的下电极组件，其特征在于，所述气体区域的个数为2个以上。6.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述静电夹盘的材料包括：绝缘材料或者半导体材料；所述静电夹盘的材料包括：氧化铝或者氮化铝。7.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述气体扩散腔为带缺口的环形腔；所述下电极组件还包括：电极，设于所述缺口之间、以及环形腔内外的静电夹盘内；直流电源，与所述电极电连接，用于产生静电吸引力以吸附待处理基片。8.如权利要求1所述的下电极组...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄国民，江家玮，郭二飞，吴狄，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：