射频调节装置、等离子体处理设备及射频电场调节方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种射频调节装置，等离子体处理设备及射频电场调节方法，包括位于等离子体处理设备的反应腔和内衬之间的挡板，和控制挡板移动的驱动组件，通过改变挡板的位置来调节等离子体处理设备内部射频回路的电容，进而调整射频电场的均匀性，有效弥补因在反应腔侧壁开设传片口或者反应腔内部组件的不对称产生的射频电场不均匀，使形成的等离子体更加均一稳定，为基片表面的加工良率提供保证。为基片表面的加工良率提供保证。为基片表面的加工良率提供保证。

【技术实现步骤摘要】
射频调节装置、等离子体处理设备及射频电场调节方法


[0001]本专利技术涉及等离子体刻蚀
，尤其涉及一种射频调解装置、应用该装置的等离子体处理设备以及射频电场的调节方法。

技术介绍

[0002]对半导体基片或衬底的微加工是一种众所周知的技术，可以用来制造例如，半导体、平板显示器、发光二极管(LED)、太阳能电池等。微加工制造的一个重要步骤为等离子体处理工艺步骤，该工艺步骤在一反应腔内部进行，工艺气体被输入至该反应腔内。射频源被电感和/或电容耦合至反应腔内部形成射频电场来激励工艺气体，以产生和保持等离子体，通过等离子体对基片进行刻蚀。
[0003]等离子体的密度会影响刻蚀的效率，而射频电场的分布会影响等离子体的密度。一般来说，影响反应腔内部射频电场的一个因素是反应腔内部的形貌，为了尽量达到均匀的射频电场，反应腔及内部的组件通常设计成对称结构，也即常见的圆柱或圆环型状。
[0004]但是，在现有技术中，反应腔及内部的部件并不是都可以设计成围绕中心的对称结构，根据不同情况，有些不对称的组件就会影响射频电场的均匀分布，进而导致刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频调节装置，位于等离子体处理设备反应腔的内壁和内衬之间，用于调节射频电场的分布，其特征在于，包括:位于所述反应腔的内壁和内衬之间且不与二者接触的挡板；位于反应腔内的驱动组件，所述驱动组件与所述挡板固定连接，用于挡板沿所述反应腔的内壁移动。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述挡板为环形，其在圆环的圆周方向上被分为至少两个弧形板，所述驱动组件可以控制所述弧形板分别运动。3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，至少有两个所述弧形板的高度不相同。4.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述挡板材质为半导体。5.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述挡板材质为金属。6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述挡板材质为铝，且表面镀有镍。7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述驱动组件还可以控制所述挡板沿圆周方向运动和/或沿反应腔的内壁上下运动。8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述驱动组件可以记录所述挡板的位置数据。9.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：阙留伟，吴磊，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：