一种等离子体反应器制造技术

一种等离子体反应器包括：反应腔，反应腔内底部设有导电基座，所述导电基座通过射频匹配网络连接到射频电源装置，所述导电基座上方用于放置待处理基片，反应腔内顶部包括一个上电极组件，所述导电基座和所述上电极组件之间为等离子体处理空间；一个第一导电接地环围绕围绕设置在导电基座的外围；一第二导电接地环电连接在所述第一导电接地环外侧壁和所述反应腔内侧壁之间，所述第二导电接地环上开设有多个气体通道，以使得所述等离子体处理空间内的气体能够穿过所述多个气体通道被排出；所述导电基座与所述第一导电接地环之间包括一绝缘环，所述绝缘环的介电常数小于3.5。所述绝缘环的介电常数小于3.5。所述绝缘环的介电常数小于3.5。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体反应器


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，具体涉及一种电容耦合等离子体反应器


技术介绍

[0002]半导体芯片被日益广泛的应用到各种电子设备中，在半导体器件的制造过程中，等离子体刻蚀是将晶圆加工成设计图案的关键工艺，等离子体刻蚀工艺需要用到等离子体处理器，这些处理器会对待处理的基片进行等离子刻蚀、化学气相沉积等工艺。在典型的等离子体刻蚀工艺中，工艺气体(如CF4、O2等)在反应腔内在射频(Radio Frequency，RF)激励作用下形成等离子体。这些等离子体与晶圆表面发生物理轰击作用及化学反应，从而刻蚀出具有特定结构的晶圆。
[0003]电容耦合式(CCP)等离子处理器广泛应用于芯片制造工艺中的介电材料层刻蚀步骤。随着等离子刻蚀工艺的不断演进，半导体器件中的关键尺寸(criticaldimension)越来越小，现在的技术前沿已经推进到了关键尺寸7nm、5nm以下。在如此小的关键尺寸要求下，不仅等离子处理步骤大幅增加，芯片加工步骤总数可达上千步，而且等离子处理工艺的均一性要求也极高，均一性要求需要在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体反应器，其特征在于，包括：反应腔，反应腔内底部设有导电基座，所述导电基座通过射频匹配网络连接到射频电源装置，所述导电基座上方用于放置待处理基片，反应腔内顶部包括一个上电极组件，所述导电基座和所述上电极组件之间为等离子体处理空间；一第一导电接地环围绕围绕设置在导电基座的外围；一第二导电接地环电连接在所述第一导电接地环的外侧壁和所述反应腔的内侧壁之间，所述第二导电接地环上开设有多个气体通道，以使得所述等离子体处理空间内的气体能够穿过所述多个气体通道被排出；所述导电基座与所述第一导电接地环之间包括一绝缘环，所述绝缘环的介电常数小于3.5；所述绝缘环上方包括一耦合环，所述耦合环覆盖绝缘环上表面和导电基座的外侧部分上表面，其中耦合环由第一陶瓷材料制成，所述第一陶瓷材料的热导率高于所述绝缘环的热导率。2.如权利要求1所述的等离子体反应器，其特征在于，所述射频电源装置输出一个高频射频功率，所述高频射频功率的频率大于40Mhz。3.如权利要求1所述的等离子体反应器，其特征在于，所述导电基座下方还设置有一个设备板，所述第一导电接地环围绕所述设备板的侧壁和部分底面。4.如权利要求1所述的等离子体反应器，其特征在于，一个第二绝缘环围绕所述设备板，位于设备板和第一导电接地环之间。5.如权利要求4所述的等离子体反应器，其特征在于，所述第二绝缘环覆盖所述设备板底面部分区域，且第二绝缘环的介电常数小于3.2。6.如权利要求3所述的等离子体反应器，其特征在于，所述绝缘环围绕所述导电基座和设备板的侧壁设置，一个第二绝缘环位于所述设备板下方。7.如权利要求1所述的等离子体反应器，其特征在于，所述耦合环上方设置一聚焦环和一边缘环，所述聚焦环和边缘环覆盖所述耦合环，且所述聚焦环和所述边缘环的上表面暴露于所述等离子体处理空间。8.如权利要求1所述的等离子体反应器，其特征在于，所述第二导电接地环上方包括一等离子约束环，所述等离子约束环围绕所述导电基座设置。9.如权利要求1所述的等离子体反应器，其特征在于，所述上电极组件包括一安装板，所述安装板与...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂乐义，叶如彬，杨宽，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：