用于加工多个工件的处理系统，包括：与第一处理腔室和第二处理腔室处于工艺流连通中的传送腔室，传送腔室具有第一直侧；其中，第一处理腔室包括至少一个第一处理站，并且其中，第一处理腔室沿着第一直侧设置；其中，第二处理腔室包括至少两个第二处理站，...

提供了用于工件处理系统的片架。片架被配置为容纳一个或多个能够更换的部件、一个或多个工件以及一个或多个基座保护器。片架包括分隔器，分隔器被配置为将一个或多个能够更换的部件与一个或多个工件和/或一个或多个基座保护器分隔开。片架被配置为设置在...

本公开提供一种等离子体处理设备，包括具有一个或多个侧壁以及穹顶的处理腔室。等离子体处理设备包括：设置在处理腔室中的工件支撑件，被配置为在处理期间支撑工件；用于在处理腔室中产生等离子体的感应线圈组件；设置在感应线圈组件和穹顶之间的法拉第屏...

提供了一种等离子体源阵列。等离子体源阵列包括设置在基板上的多个混合等离子体子源。每个混合子源包括：具有内部区域和外部表面的介电管；感应耦合等离子体源，感应耦合等离子体源用于产生感应耦合等离子体并靠近介电管的外部表面设置；电容耦合等离子体...

公开了用于在等离子体处理装置或其他应用中发电的匹配电路。匹配电路提供在统一的物理外壳中，并被配置为在多个不同的频率提供阻抗匹配。例如，在双频实施中，第一和第二RF发生器可以以连续模式或脉冲模式在第一和第二各自的频率向包括第一和第二电路部...

本公开提供了基座组件和等离子体加工设备。该基座组件包括被配置为支撑工件的静电卡盘。该基座组件包括具有顶表面和底表面的聚焦环。该聚焦环可以被配置为当工件定位在静电卡盘上时围绕工件的周边。该基座组件包括多个绝缘体。该基座组件还包括定位在聚焦...

提供一种压力控制系统。该压力控制系统包括构件，该构件至少部分位于泵送端口内，该泵送端口流体耦合在多头处理腔室与泵之间，该泵被配置为从多头处理腔室中抽出气体。该构件可相对于泵送端口转动。该压力控制系统包括多个压力传感器。所述压力传感器中的...

公开了一种静电吸盘，其包括具有第一夹持电极和第二夹持电极的夹持层。提供了限定第一夹持区域和第二夹持区域的第一夹持电极。第一夹持区域和第二夹持区域由第一间隙分开，并且通过跨第一间隙延伸的至少一个电连接件电连接。第二夹持电极设置为从第一夹持...

本公开提供了一种用于将气体注入处理腔室的气体注入组件。在一些示例中，气体注入组件可以包括用于接收气流的入口。气体注入组件可以包括用于分配自入口接收的气流的多个气体进料口。气体注入组件可以包括竖直布置在气体注入组件内侧的多个子通道，多个子...

本公开提供了一种用于将工艺气体注入腔室的栅组件。栅组件包括用于将工艺气体输送到栅组件的气体入口、竖直延伸通过栅组件的至少一部分的多个喷嘴以及竖直堆叠布置的多个层。多个层包括：顶层，包括被配置为从气体入口接收工艺气体的一个或多个内部气体注...

本公开提供了可配置的法拉第屏蔽体及其操作方法、等离子体处理装置。该可配置的法拉第屏蔽体包括多个肋状体。每个肋状体可以沿圆周方向彼此间隔开。此外，可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分至少在第一位置和第二位置之间可移动，以将可配置的法拉第屏蔽体...

本公开提供了包括等离子体室和感应耦合的等离子体源的等离子体处理设备或系统。所述屏蔽装置被设置在等离子体室和感应耦合的等离子体源之间。屏蔽装置包括顶环形部分、底环形部分和多个热垫，所述热垫通过一个或多个保持构件被接合到顶环形部分和/或底环...

提供了一种用于加工工件的方法，工件包括铜层和钌层，该方法包括：将工件放置在加工腔室中的工件支撑件上，工件已经使用化学机械抛光CMP工艺被加工以至少部分地去除铜层；在钌层上进行臭氧蚀刻工艺，以至少部分地去除钌层，其中，臭氧蚀刻工艺包括将工...

本公开提供了一种弧光灯。该弧光灯可以包括管。该弧光灯可以包括一个或多个入口，所述一个或多个入口被配置为接收在操作期间循环通过弧光灯的水作为水冷壁，该水冷壁被配置为冷却弧光灯。该弧光灯可以包括多个电极，所述多个电极被配置为在经由一个或多个...

本公开提供一种用于处理工件的等离子体处理设备。在一个示例性实施例中，用于处理工件的等离子体处理设备包括处理腔室、与处理腔室分开的等离子体腔室、以及配置为在等离子体腔室中生成等离子体的感应耦合等离子体源。该设备包括设置在处理腔室内的基座，...

本公开提供了用于加工工件的方法。所述工件可以包括金属层。在一个示例性实施方案中，所述方法可以包括将工件支撑在工件支撑件上。所述方法可以包括对工件进行预处理工艺以由金属层的至少一部分形成预处理层。所述方法还可以包括对工件进行处理工艺以由预...

本公开提供了用于处理工件的方法及等离子体刻蚀机、半导体器件，涉及半导体制造领域。具体实现方案为：将工件置于腔室中的工件支撑件上，所述工件上形成有侧墙结构；选择组分调节气体，调整碳与氟的体积比以处理所述工件；组分调节气体包含符合化学通式C

提供了一种用于等离子体处理设备的升降销的升降销组件。升降销组件包括限定升降销延伸到其中的开口的销外壳。销外壳被定位成使得开口与由静电卡盘限定的开口对齐。该组件包括部分地定位在由销外壳限定的开口内的销高度调节构件。销高度调节构件可沿轴线在...

提供了加工工件的方法。该工件可以包括钌层和铜层。在一个示例性实施方案中，用于加工工件的方法可以包括在工件支撑件上支撑工件。该方法可以包括在工件上向钌层的至少一部分实施臭氧蚀刻工艺。该方法还可以包括对工件实施氢自由基处理工艺以去除铜层上的...

本公开提供了一种传送装置和处理系统。该传送装置可以包括第一传送组件，用于向腔室传送第一工件；第二传送组件，用于从该腔室传送出第二工件；阻隔组件，设置于该第一传送组件与该第二传送组件之间，用于阻隔该第一工件和该第二工件的能量传递；支撑组件...