基于本公开的接合装置(41)的参数调整方法包括获取工序和参数变更工序。在获取工序中，从检查重合基板(T)的检查装置(31)获取表示重合基板(T)产生的变形的方向和程度的检查结果，所述重合基板(T)是通过利用接合装置(41)将第一基板(W...

本发明提供能够提高蚀刻处理中的选择比的基片处理方法、半导体器件的制造方法和等离子体处理装置。一个示例的实施方式的基片处理方法包括a)步骤和b)步骤。a)是将具有第一区域和第二区域的基片提供到腔室内的步骤。b)是通过从第一处理气体生成第一...

本发明提供用于以原子层水平形成有机膜的基片处理方法和等离子体处理装置。在例示的实施方式中，提供基片处理方法。基片处理方法包括：a)将基片提供到腔室内的步骤；和b)在基片的表面形成有机膜的步骤。b)包括两个步骤b1)和b2)。b1)对腔室...

本发明涉及等离子体处理装置。提供用于避免由盖环的损耗引起的工艺变化的技术。一个例示的实施方式的等离子体处理装置具备载置台、聚焦环、盖环、导电性环以及高频电源。聚焦环载置于载置台，具有导电性。导电性环载置于盖环。位于聚焦环的外周的第1侧面...

本发明提供一种载置台和等离子体处理装置。提供使基板温度的面内均匀性提高的载置台。提供一种载置台，该载置台具有：载置面，其用于载置基板；电极，其配置在所述载置面的下方，用于施加偏压电力；供电线，其配置在所述电极的下方，用于施加偏压电力；以...

本发明提供一种涂布显影装置和涂布显影方法。所述涂布显影装置具备：处理块，其设置有对基板进行处理的处理模块；以及中继块，其将所述处理块与所述曝光装置沿宽度方向进行连结，其中，所述中继块设置有进行基板的搬入和搬出的搬入搬出机构，所述处理块沿...

本发明提供一种能够以高生产率进行处理且占地面积较小的涂敷、显影装置和涂敷、显影方法，其具备：处理模块，其设置有包括曝光前处理组件的处理组件；和中继模块，其设置有曝光后处理组件和第1送入送出组件，在各层设置有所述处理组件，在设置有所述曝光...

提供了一种半导体器件。该半导体器件包括晶体管堆叠，该晶体管堆叠具有堆叠在衬底上方的多个晶体管对。该多个晶体管对中的每个晶体管对包括堆叠在彼此上方的n型晶体管和p型晶体管。该多个晶体管对具有：堆叠在该衬底上方并电耦合到该多个晶体管对的栅极...

【技术问题】在用气体对能够在正面侧形成半导体器件的基片进行处理的方法中，在基片的背面形成膜厚的面内均匀性良好的薄膜。【技术手段】该方法包含：在正面朝上的状态下用支承部对基片的背面进行支承，在基片的背面和与背面相对的引导面之间形成间隙的工...

例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置包括腔室、构件以及加热器。在腔室的内部空间中生成等离子体。构件局部地配置于腔室的内部空间中。加热器构成为对构件进行加热。构件自内部空间朝向腔室的外侧延伸而暴露于腔室的外侧的空间。

提供一种处理方法，包括：埋入工序，在形成有凹部的基底膜埋入有机膜；以及蚀刻工序，在所述埋入工序之后，进行蚀刻直到所述基底膜的顶部的至少一部分暴露为止。

根据本发明的一方式的基片处理方法包括：用可旋转的基片保持部(31)来保持基片的工序；在基片的上方配置顶板部(41)的工序；向基片供给处理液的工序；和向基片与顶板部(41)之间供给冲洗液(Lr)来用冲洗液(Lr)清洗基片和顶板部(41)的...

本发明的对处理对象基片进行处理的基片处理方法，包括如下所述的工序：在形成于上述处理对象基片的基片表面的基底膜上涂敷用于形成抗蚀剂膜的抗蚀剂液之前，在上述基底膜的极性比上述抗蚀剂液的极性高的情况下，进行使上述基底膜的极性降低的处理，在上述...

本发明提供一种基板处理方法，该基板处理方法是针对被涂布有抗蚀层下方的膜用的含金属的液体的基板的处理方法，所述基板处理方法在对被涂布有所述含金属的液体的基板进行加热处理的加热处理工序(S05)之前包括以下工序：脱保护促进工序(S02)，促...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够抑制处理液的消耗量并且提高液处理的面内均匀性。基板处理方法包括以下工序：基板升温工序，将基板进行加热来使所述基板的温度上升；液膜形成工序，在所述基板升温工序之后，将所述基板进行加热，并且一边...

本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：能够保持基片的基片保持部；使上述基片保持部绕旋转轴线旋转的旋转驱动部；向上述基片的周缘部释放处理液的处理液喷嘴；和气体喷嘴，其在自上述处理液从上述处理液喷嘴的释放口被释放的时刻...

本发明涉及基板处理方法和基板处理装置。[课题]提供一种技术：其可以防止RuO

本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够将半导体膜选择性地形成于氮化膜和氧化膜中的氮化膜。成膜方法包括以下工序：对露出氮化膜的区域与露出氧化膜的区域相邻的基板供给含氟气体，使氟形成于所述基板，并且选择性地蚀刻所述氮化膜和所述氧化膜中的所述...

本发明提供处理基片的装置和清洁工作台的方法。在基片处理装置的工作台载置要处理的基片，从液体供给部供给用于进行基片的温度调节的液体，该液体流过形成于工作台内的流路。控制部进行如下控制：在将上述流路内的流体从上述液体用从气体供给部供给的气体...

在例示性的实施方式所涉及的方法中，通过等离子体蚀刻来蚀刻第一区域，以使第一区域在比第二区域靠基板内的更深的位置提供其上表面。接下来，通过在等离子体处理装置的腔室内生成烃气的等离子体，来在基板上形成含碳的沉积物。接下来，通过等离子体蚀刻，...