基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板处理方法和基板处理装置。[课题]提供一种技术：其可以防止RuO

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理装置
本公开涉及基板处理方法和基板处理装置。
技术介绍
专利文献1中记载了如下方案：使钌(Ru)与臭氧或氧原子的气体反应以生成蒸气压高的RuO4，并对Ru进行蚀刻。另外，专利文献1中记载了如下方法：在臭氧或氧原子的气体中添加微量的卤素气体或卤化氢气体以产生Ru的卤化反应，从而抑制RuO2的生成。进而，专利文献1中记载了如下方案：在臭氧或氧原子的气体中添加还原性气体，从而将RuO2还原为Ru。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2001-284317号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开的一方式提供如下技术：可以防止RuO2的生成所导致的蚀刻的停止、且可以改善蚀刻所导致的钌膜的表面粗糙。用于解决问题的方案本公开的一方式的基板处理方法重复多次包括如下工序的循环：对包含钌膜的基板供给含氢气体，将前述钌膜的氧化物进行还原的工序；和，对前述基板供给含氧气体，将前述钌膜进行氧化并蚀刻的工序。专利技术的效果>根据本公开的一方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理方法，其重复多次包括如下工序的循环：/n对包含钌膜的基板供给含氢气体，将所述钌膜的氧化物进行还原的工序；和，/n对所述基板供给含氧气体，将所述钌膜进行氧化并蚀刻的工序。/n

【技术特征摘要】
20190930 JP 2019-1808261.一种基板处理方法，其重复多次包括如下工序的循环：
对包含钌膜的基板供给含氢气体，将所述钌膜的氧化物进行还原的工序；和，
对所述基板供给含氧气体，将所述钌膜进行氧化并蚀刻的工序。


2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述含氢气体包含选自H2气体、NH3气体、肼气体和肼化合物气体中的至少1种以上。


3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，所述含氢气体为经等离子体化的含氢气体。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，其中，所述含氧气体包含选自O2气体和O3气体中的至少1种以上。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其中，所述含氧气体为经等离子体化的含氧气体。


6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：村上博纪，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP