基片处理方法、半导体器件的制造方法和等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够提高蚀刻处理中的选择比的基片处理方法、半导体器件的制造方法和等离子体处理装置。一个示例的实施方式的基片处理方法包括a)步骤和b)步骤。a)是将具有第一区域和第二区域的基片提供到腔室内的步骤。b)是通过从第一处理气体生成第一等离子体以在第一区域和第二区域上形成沉积膜的步骤。第一处理气体是包括含有碳原子及氟原子的第一气体和含有硅原子的第二气体的混合气体。

【技术实现步骤摘要】
基片处理方法、半导体器件的制造方法和等离子体处理装置
本专利技术的一个示例的实施方式涉及基片处理方法、半导体器件的制造方法和等离子体处理装置。
技术介绍
在电子器件的制造中，有时进行对作为绝缘层的氧化硅膜通过蚀刻形成孔或槽等的处理(专利文献1～3)。专利文献1公开了关于蚀刻方法的技术。该方法包括在含有金属的掩模和含有硅的层上形成包含碳氟化合物的沉积物的步骤。该方法还包括用沉积物所包含的碳氟化合物的自由基蚀刻含有硅的层的步骤。专利文献2公开了关于蚀刻方法的技术。该方法包括对由氧化硅构成的区域进行蚀刻，并且在该区域上形成包含碳氟化合物的沉积物的步骤。该方法还包括用沉积物所包含的碳氟化合物的自由基蚀刻区域的步骤。专利文献3公开了关于蚀刻处理的技术。该蚀刻处理包括：将含硅膜用等离子体蚀刻至中途的步骤；和还用等离子体蚀刻形成有含碳膜的含硅膜的步骤。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-11127号公报专利文献2：日本特开2015-173240号公报专利文献3：日本特开2016-2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：/na)将具有第一区域和第二区域的基片提供到腔室内的步骤；以及/nb)通过从第一处理气体生成第一等离子体，在所述第一区域和所述第二区域上形成沉积膜的步骤，/n所述第一处理气体是包括含有碳原子及氟原子的第一气体和含有硅原子的第二气体的混合气体。/n

【技术特征摘要】
20191001 JP 2019-1814871.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
a)将具有第一区域和第二区域的基片提供到腔室内的步骤；以及
b)通过从第一处理气体生成第一等离子体，在所述第一区域和所述第二区域上形成沉积膜的步骤，
所述第一处理气体是包括含有碳原子及氟原子的第一气体和含有硅原子的第二气体的混合气体。


2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
所述沉积膜含有碳原子和氟原子，
所述b)通过调节所述第一气体与所述第二气体的流量比，来控制形成在所述第一区域和所述第二区域上的沉积膜的碳原子和氟原子的组成比。


3.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第一气体是碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体。


4.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第一气体包含从C5F8气体、C3F8气体、C4F8气体、C5F8气体、C4F6气体、CF4气体、CH3F气体、CHF3气体和CH2F2气体的组中选择的至少一种。


5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第二气体包含从SiCl4气体、SiH4气体、Si2H6气体、SiH2Cl2气体、Si4H10气体和Si5H12气体的组中选择的至少一种。


6.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第一区域包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：胜沼隆幸，西出大亮，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP