涂敷、显影装置和涂敷、显影方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够以高生产率进行处理且占地面积较小的涂敷、显影装置和涂敷、显影方法，其具备：处理模块，其设置有包括曝光前处理组件的处理组件；和中继模块，其设置有曝光后处理组件和第1送入送出组件，在各层设置有所述处理组件，在设置有所述曝光前处理组件的层的所述中继模块侧端，设置有在将基板在两模块之间交接之际载置该基板的交接部，所述中继模块在沿着所述宽度方向与所述处理模块的所述交接部相邻的区域设置有第2送入送出组件，在中继侧输送区域设置有所述第1送入送出组件，在所述深度方向上，在将所述第2送入送出组件夹在中间地与所述曝光后处理组件相对的区域，设置有使基板中继的中继机构。

【技术实现步骤摘要】
涂敷、显影装置和涂敷、显影方法
本公开涉及一种涂敷、显影装置和涂敷、显影方法。
技术介绍
在专利文献1中公开有一种基板处理装置，该基板处理装置具有：处理部，其设置有在基板上形成抗蚀剂膜的涂敷处理单元、进行显影处理的显影处理单元；和转接模块，其配置于该处理部与利用液浸法进行曝光处理的曝光装置之间。在该基板处理装置中，转接模块由送入送出模块和清洗干燥处理模块构成。送入送出模块设置有进行基板相对于曝光装置的送入和送出的输送机构。另外，清洗干燥处理模块设置有进行曝光处理前的基板的清洗和干燥处理的两个清洗干燥处理部、以及基板的两个输送机构。在专利文献1的基板处理装置中，处理部、清洗干燥处理模块、送入送出模块、曝光装置沿着第1方向排列设置，两个清洗干燥处理部和基板的两个输送机构在水平面内沿着与上述第1方向正交的第2方向配置，在两个清洗干燥处理部之间配置有两个输送机构。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-219434号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开的技术提供能够以高生产率进行处理且占地面积较小的涂敷、显影装置。用于解决问题的方案本公开的一技术方案是一种涂敷、显影装置，其用于在基板形成抗蚀剂膜，向曝光装置输送该基板，之后，对由该曝光装置进行液浸曝光后的基板进行显影处理，其中，该涂敷、显影装置具备：处理模块，其设置有包括曝光前处理组件的处理组件，该曝光前处理组件在包括抗蚀剂膜的涂敷膜形成后且液浸曝光前对基板进行液处理；和中继模块，其设置有：曝光后处理组件，其在液浸曝光后且显影处理前对基板进行液处理；和第1送入送出组件，其相对于所述曝光装置送入送出基板，并且，该中继模块在宽度方向上连结所述处理模块和所述曝光装置，对于所述处理模块，在上下方向上多层化，在各层设置有所述处理组件，在沿着所述宽度方向延伸的输送区域设置有输送基板的输送机构，在设置有所述曝光前处理组件的层的所述中继模块侧端，设置有在将基板在两模块之间交接之际载置该基板的交接部，对于所述中继模块，在沿着所述宽度方向与所述处理模块的所述交接部相邻的区域，设置有相对于所述交接部和所述曝光后处理组件送入送出基板的第2送入送出组件，在从在俯视时与所述第2送入送出组件重叠的区域起沿着与所述宽度方向正交的深度方向延伸的中继侧输送区域，设置有所述第1送入送出组件，在沿着上下方向与所述中继侧输送区域相邻且沿着所述深度方向与所述第2送入送出组件相邻的区域，设置有所述曝光后处理组件，在所述深度方向上，在将所述第2送入送出组件夹在中间地与所述曝光后处理组件相对的区域，设置有使基板在所述第1送入送出组件与所述第2送入送出组件之间中继的中继机构。专利技术的效果根据本公开，能够提供能够以高生产率进行处理且占地面积较小的涂敷、显影装置。附图说明图1是示意性地表示本实施方式的涂敷、显影装置的结构的概略的俯视图。图2是示意性地表示本实施方式的涂敷、显影装置的结构的概略的主视图。图3是示意性地表示本实施方式的涂敷、显影装置的结构的概略的后视图。图4是示意性地表示本实施方式的涂敷、显影装置的内部结构的概略的局部纵剖主视图。图5是示意性地表示本实施方式的涂敷、显影装置的左侧子模块所具有的第3层模块的内部结构的概略的俯视图。图6是示意性地表示本实施方式的涂敷、显影装置的右侧子模块所具有的第3层模块的内部结构的概略的俯视图。图7是示意性地表示本实施方式的涂敷、显影装置的右侧子模块的结构的概略的右侧视图。图8是示意性地表示本实施方式的涂敷、显影装置的右侧子模块所具有的第6层模块的内部结构的概略的俯视图。图9是示意性地表示本实施方式的涂敷、显影装置的转接模块的内部结构的概略的右侧视图。图10是用于说明本实施方式的效果的图。具体实施方式在半导体器件等的制造工艺中的光刻工序中，为了在半导体晶圆(以下，称为“晶圆”。)上形成所期望的抗蚀剂图案而进行一系列的处理。在上述一系列的处理中例如包括：向晶圆上供给抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理；对抗蚀剂膜进行曝光的曝光处理；向曝光后的抗蚀剂膜供给显影液而进行显影的显影处理等。这些处理中的抗蚀剂涂敷处理和显影处理等由涂敷、显影装置进行。作为上述的曝光处理的种类，存在液浸曝光处理。液浸曝光是在曝光透镜与晶圆之间隔着水等液浸液而进行曝光的方法。在进行液浸曝光的情况下，形成液浸曝光用的保护膜的组件、在液浸曝光处理前清洗晶圆的背面的组件、在液浸曝光后清洗晶圆的表面的组件等多种处理组件搭载于涂敷、显影装置。不过，进一步要求抗蚀剂图案形成的高生产率化。为了达成高生产率化，需要增多涂敷、显影装置的各处理组件的搭载数。不过，在液浸曝光的情况下，如上述那样搭载多种处理组件，因此，若增多各处理组件的搭载数，则装置大型化。具体而言，装置的占地面积变大。在专利文献1的基板处理装置中，如前述那样，处理部、清洗干燥处理模块、送入送出模块、曝光装置沿着第1方向排列设置，两个清洗干燥处理部和基板的两个输送机构沿着上述第2方向配置，在两个清洗干燥处理部之间配置有两个输送机构。由此，谋求了装置的大型化的抑制。不过，专利文献1的基板处理装置的上述第1方向的长度较大，要求进一步的小型化。因此，本公开的技术提供能够以高生产率进行处理且占地面积较小的涂敷、显影装置。以下，一边参照附图一边对本实施方式的涂敷、显影装置和涂敷、显影方法进行说明。此外，对在本说明书和附图中具有实质上相同的功能构成的要素标注相同的附图标记，从而省略重复说明。图1是示意性地表示涂敷、显影装置1的结构的概略的俯视图。图2和图3分别是示意性地表示涂敷、显影装置1的结构的概略的主视图和后视图。图4是示意性地表示涂敷、显影装置1的内部结构的概略的局部纵剖主视图。图5是示意性地表示涂敷、显影装置1的随后论述的左侧子模块所具有的第3层模块的内部结构的概略的俯视图。图6是示意性地表示涂敷、显影装置1的随后论述的右侧子模块所具有的第3层模块的内部结构的概略的俯视图。图7是示意性地表示上述右侧子模块的结构的概略的右侧视图。图8是示意性地表示上述右侧子模块的第6层模块的内部结构的概略的俯视图。图9是示意性地表示涂敷、显影装置1的随后论述的转接模块B3的内部结构的概略的右侧视图。如图1所示，涂敷、显影装置1设为承载模块B1、处理模块B2、作为中继模块的转接模块B3以承载模块B1、处理模块B2、作为中继模块的转接模块B3的顺序沿着宽度方向(图的X方向)排列。在以下的说明中，存在将上述的宽度方向说明为左右方向的情况。在转接模块B3的右侧(图的X方向正侧)连接有曝光装置E。承载模块B1是送入送出收纳有多张作为基板的晶圆W的承载件C的模块，具有载置模块B11和检查模块B12。在载置模块B11设置有在相对于涂敷、显影装置1的外部送入送出承载件C之际载置承载件C的载置板11。载置板11沿着在水平面内与上述宽度方向(图的X方向本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种涂敷、显影装置，其用于在基板形成抗蚀剂膜，向曝光装置输送该基板，之后，对由该曝光装置进行液浸曝光后的基板进行显影处理，其中，/n该涂敷、显影装置具备：/n处理模块，其设置有包括曝光前处理组件的处理组件，该曝光前处理组件在包括抗蚀剂膜的涂敷膜形成后且液浸曝光前对基板进行液处理；和/n中继模块，其设置有：曝光后处理组件，其在液浸曝光后且显影处理前对基板进行液处理；和第1送入送出组件，其相对于所述曝光装置送入送出基板，并且，该中继模块在宽度方向上连结所述处理模块和所述曝光装置，/n对于所述处理模块，/n在上下方向上多层化，在各层设置有所述处理组件，/n在沿着所述宽度方向延伸的输送区域设置有输送基板的输送机构，/n在设置有所述曝光前处理组件的层的所述中继模块侧端，设置有在将基板在两模块之间交接之际载置该基板的交接部，/n对于所述中继模块，/n在沿着所述宽度方向与所述处理模块的所述交接部相邻的区域，设置有相对于所述交接部和所述曝光后处理组件送入送出基板的第2送入送出组件，/n在从在俯视时与所述第2送入送出组件重叠的区域起沿着与所述宽度方向正交的深度方向延伸的中继侧输送区域，设置有所述第1送入送出组件，/n在沿着上下方向与所述中继侧输送区域相邻且沿着所述深度方向与所述第2送入送出组件相邻的区域，设置有所述曝光后处理组件，/n在所述深度方向上，在将所述第2送入送出组件夹在中间地与所述曝光后处理组件相对的区域，设置有使基板在所述第1送入送出组件与所述第2送入送出组件之间中继的中继机构。/n...

【技术特征摘要】
20191002 JP 2019-1820751.一种涂敷、显影装置，其用于在基板形成抗蚀剂膜，向曝光装置输送该基板，之后，对由该曝光装置进行液浸曝光后的基板进行显影处理，其中，
该涂敷、显影装置具备：
处理模块，其设置有包括曝光前处理组件的处理组件，该曝光前处理组件在包括抗蚀剂膜的涂敷膜形成后且液浸曝光前对基板进行液处理；和
中继模块，其设置有：曝光后处理组件，其在液浸曝光后且显影处理前对基板进行液处理；和第1送入送出组件，其相对于所述曝光装置送入送出基板，并且，该中继模块在宽度方向上连结所述处理模块和所述曝光装置，
对于所述处理模块，
在上下方向上多层化，在各层设置有所述处理组件，
在沿着所述宽度方向延伸的输送区域设置有输送基板的输送机构，
在设置有所述曝光前处理组件的层的所述中继模块侧端，设置有在将基板在两模块之间交接之际载置该基板的交接部，
对于所述中继模块，
在沿着所述宽度方向与所述处理模块的所述交接部相邻的区域，设置有相对于所述交接部和所述曝光后处理组件送入送出基板的第2送入送出组件，
在从在俯视时与所述第2送入送出组件重叠的区域起沿着与所述宽度方向正交的深度方向延伸的中继侧输送区域，设置有所述第1送入送出组件，
在沿着上下方向与所述中继侧输送区域相邻且沿着所述深度方向与所述第2送入送出组件相邻的区域，设置有所述曝光后处理组件，
在所述深度方向上，在将所述第2送入送出组件夹在中间地与所述曝光后处理组件相对的区域，设置有使基板在所述第1送入送出组件与所述第2送入送出组件之间中继的中继机构。


2.根据权利要求1所述的涂敷、显影装置，其中，
所述处理模块的所述输送区域、所述交接部以及所述中继模块的所述第2送入送出组件沿着所述宽度方向排列。


3.根据权利要求2所述的涂敷、显影装置，其中，
与曝光前的基板和曝光后的基板相关的位于所述第1送入送出组件与所述第2送入送出组件之间的输送路径在俯视时全部与所述中继模块的深度方向直线重叠。


4.根据权利要求1所述的涂敷、显影装置，其中，
设置有所述曝光前处理组件的层层叠起来，
针对所述曝光前处理组件的所述输送机构在层间通用。


5.根据权利要求4所述的涂敷、显影装置，其中，
所述交接部仅针对1个层设置。


6.根据权利要求1所述的涂敷、显影装置，其中，
所述曝光前处理组件的所述宽度方向的组件间间距比所述处理模块内的所述涂敷膜形成组件的所述宽度方向的组件间间距窄。


7.根据权利要求6所述的涂敷、显影装置，其中，
在所述处理模块中，
用于形成所述涂敷膜的涂敷膜形成组件在从侧方包围要形成涂敷膜的所述基板的杯的外侧，设置有从上方朝向所述基板喷出所述涂敷膜形成用的液体的喷嘴和所述喷嘴的待机部，
所述曝光前处理组件仅在从侧方包围要进行所述曝光前的液处理的所述基板的杯的内侧或下部，设置有向所述基板供给用于进行该液处理的液体的喷嘴，
所述曝光前处理组件以比所述涂敷膜形成组件的密度高的密度设置。


8.根据权利要求1～7中任一项所述的涂敷、显影装置，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边刚史，土山正志，佐藤宽起，滨田一平，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP