【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理装置
本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，包括通过向半导体晶圆等基板供给处理液来进行液处理的液处理工序。作为这样的液处理之一，存在通过向旋转的基板的表面的中心供给加热后的药液来进行的药液清洗处理或湿蚀刻处理。供给至基板的中心部的加热后的药液在扩散至基板的周缘部的期间温度下降。另外，在圆周速度高的基板周缘部，基板容易变冷。因此，向基板的背面供给加热后的液体例如水来实现基板的温度的均匀化(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献1专利文献1：日本特开2015-057816号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供一种在向旋转的基板供给药液的液处理中抑制处理液的消耗量并且提高液处理的面内均匀性的技术。用于解决问题的方案本公开的一个方式所涉及的基板处理方法包括以下工序：基板升温工序，将基板进行加热来使所述基板的温度上升；液膜形成工序，在所述基板升温工序之后，将所述基板进行加热，并且...
【技术保护点】
1.一种基板处理方法，包括以下工序：/n基板升温工序，将基板进行加热来使所述基板的温度上升；/n液膜形成工序，在所述基板升温工序之后，将所述基板进行加热，并且一边使所述基板以第一转速旋转一边向所述基板的第一面供给预湿液，来在所述基板的第一面形成所述预湿液的液膜；/n药液处理工序，在所述液膜形成工序之后，将所述基板进行加热，并且一边使所述基板以比所述第一转速低的第二转速旋转一边向所述基板的第一面供给药液，来通过所述药液对所述基板的第一面进行处理；以及/n基板降温工序，在所述药液处理工序之后，使所述基板的温度下降。/n
【技术特征摘要】
20190927 JP 2019-1776371.一种基板处理方法，包括以下工序：
基板升温工序，将基板进行加热来使所述基板的温度上升；
液膜形成工序，在所述基板升温工序之后，将所述基板进行加热，并且一边使所述基板以第一转速旋转一边向所述基板的第一面供给预湿液，来在所述基板的第一面形成所述预湿液的液膜；
药液处理工序，在所述液膜形成工序之后，将所述基板进行加热，并且一边使所述基板以比所述第一转速低的第二转速旋转一边向所述基板的第一面供给药液，来通过所述药液对所述基板的第一面进行处理；以及
基板降温工序，在所述药液处理工序之后，使所述基板的温度下降。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
至少通过向所述基板的所述第一面的背侧的第二面供给与所述药液不同的加热后的流体来进行所述基板升温工序、所述液膜形成工序以及所述药液处理工序中的对所述基板的加热。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板升温工序包括向所述基板的所述第二面供给比所述药液处理工序中的所述基板的目标温度高的第一温度的所述加热后的流体，使被供给至所述基板的所述第二面的所述加热后的流体的温度在所述药液处理工序开始前下降至比所述第一温度低的第二温度。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
通过仅向所述基板的所述第一面的背侧的第二面供给与所述药液不同的加热后的流体来进行所述基板升温工序。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
通过向所述基板的所述第一面及该第一面的背侧的第二面供给与所述药液不同的加热后的流体来进行所述基板升温工序。
6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
通过仅向所述基板的所述第一面的周缘部供给与所述药液不同的加热后的流体以及向所述基板的所述第一面的背侧的第二面供给与所述药液不同的加热后的流体来进行所述基板升温工序。
7.根据权利要求5或6所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述液膜形成工序中也继续向所述基板的所述第一面供给与在所述基板升温工序中供给至所述基板的所述第一面的所述药液不同的所述加热后的流体，在所述液膜形成工序中，将与所述药液不同的所述加热后的流体用作所述预湿液。
8.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述液膜形成工序中使用的预湿液为与在所述药液处理工序中使用的药液相同的液体，在所述液膜形成工序中以第一流量供给作为所述预湿液的所述药液，在所述药液处理工序中以比所述第一流量小的第二流量供给所述药液。
9.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述药液处理工序中，以常温向所述基板供给所述药液。
10.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
至少通过向所述基板的所述第一面的背侧的第二面供给比所述药液...
【专利技术属性】
技术研发人员：上村史洋，笠原政俊，南辉臣，须中郁雄，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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