【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法
[0001]本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。
技术介绍
[0002]在专利文献1中，公开有一种成膜装置：在用于载置晶圆的载置台的上表面的位于晶圆的外周侧的部分以升降自如的方式设置薄板环状的环构件，该环构件用作防止在载置台的周边部形成薄膜的膜附着防止用覆盖环，向基板供给气体而进行成膜。
[0003]专利文献1：日本特开2010－59542号公报
技术实现思路
[0004]专利技术要解决的问题
[0005]本公开提供能够确保随着基板的大型化而同样大型化的、保护基板的边缘部的保护框的刚性并且能够实现面内均匀的成膜的基板处理装置和基板处理方法。
[0006]用于解决问题的方案
[0007]本公开的一技术方案为一种基板处理装置，其在处理容器内对基板进行处理，其中，
[0008]该基板处理装置具有：
[0009]保护框，其具有环状的主体部和向所述主体部的内侧伸出的环状的遮檐部；
[0010]基板载置台，其具有载置基板的载置面和在所述...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其在处理容器内对基板进行处理，其中，该基板处理装置具有：保护框，其具有环状的主体部和向所述主体部的内侧伸出的环状的遮檐部；基板载置台，其具有载置基板的载置面和在所述载置面的周围自所述载置面凹下的环状的台阶部，所述主体部能够收纳于所述台阶部；以及升降机构，其支承所述主体部并使所述保护框相对于所述基板载置台升降，在所述主体部收纳于所述台阶部时，所述遮檐部的顶端定位在载置于所述载置面的所述基板的边缘部的上方。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述保护框的上表面平坦。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，在所述主体部收纳于所述台阶部时，自所述载置面到所述保护框的上表面的高度为3mm以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其中，所述主体部的厚度为20mm以上。5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述遮檐部朝向顶端向下方倾斜而尖锐地形成。6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其中，在所述主体部收纳于所述台阶部时，所述遮檐部的顶端以非接触的状态定位在所述基板的边缘部的上方。7.根据权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其中，所述保护框由铝或氧化铝形成。8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置，其中，所述保护框的俯视形状为矩形框状，所述基板的俯视形状为矩形，所述基板的平面尺寸为1500mm
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤正律，佐藤吉宏，窪田真树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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