基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置和基板处理方法能够确保随着基板的大型化而同样大型化的、保护基板的边缘部的保护框的刚性，并且能够实现面内均匀的成膜。一种在处理容器内对基板进行处理的基板处理装置，其中，该基板处理装置具有：保护框，其具有环状的主体部和向所述主体部的内侧伸出的环状的遮檐部；基板载置台，其具有载置基板的载置面和在所述载置面的周围自所述载置面凹下的环状的台阶部，所述主体部能够收纳于所述台阶部；以及升降机构，其支承所述主体部并使所述保护框相对于所述基板载置台升降，在所述主体部收纳于所述台阶部时，所述遮檐部的顶端定位在载置于所述载置面的所述基板的边缘部的上方。部的上方。部的上方。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法


[0001]本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中，公开有一种成膜装置：在用于载置晶圆的载置台的上表面的位于晶圆的外周侧的部分以升降自如的方式设置薄板环状的环构件，该环构件用作防止在载置台的周边部形成薄膜的膜附着防止用覆盖环，向基板供给气体而进行成膜。
[0003]专利文献1：日本特开2010－59542号公报

技术实现思路

[0004]专利技术要解决的问题
[0005]本公开提供能够确保随着基板的大型化而同样大型化的、保护基板的边缘部的保护框的刚性并且能够实现面内均匀的成膜的基板处理装置和基板处理方法。
[0006]用于解决问题的方案
[0007]本公开的一技术方案为一种基板处理装置，其在处理容器内对基板进行处理，其中，
[0008]该基板处理装置具有：
[0009]保护框，其具有环状的主体部和向所述主体部的内侧伸出的环状的遮檐部；
[0010]基板载置台，其具有载置基板的载置面和在所述载置面的周围自所述载置面凹下的环状的台阶部，所述主体部能够收纳于所述台阶部；以及
[0011]升降机构，其支承所述主体部并使所述保护框相对于所述基板载置台升降，
[0012]在所述主体部收纳于所述台阶部时，所述遮檐部的顶端定位在载置于所述载置面的所述基板的边缘部的上方。
[0013]专利技术的效果
[0014]根据本公开，能够确保随着基板的大型化而同样大型化的保护基板的边缘部的保护框的刚性并且实现面内均匀的成膜。
附图说明
[0015]图1是表示实施方式所涉及的基板处理装置的一个例子的剖视图。
[0016]图2A是保护框的一个例子的俯视图。
[0017]图2B是图2A的B－B向视图，是保护框的一个例子的与长度方向正交的剖视图。
[0018]图3是表示保护框的主体部载置于基板载置台的台阶部、遮檐部的顶端定位于基板的边缘部的上方的状态的剖视图。
[0019]图4A是表示与保护框的形状依赖性相关的实验中应用的比较例的保护框的一个例子的剖视图。
[0020]图4B是表示与保护框的形状依赖性相关的实验中应用的实施例的保护框的一个
例子的剖视图。
[0021]图5是模拟了在与自基板载置台的载置面到保护框的上表面的高度依赖性和保护框的材质依赖性相关的实验中使用的基板载置台和保护框的剖视图。
[0022]图6是表示与高度依赖性相关的实验结果的图。
[0023]图7是表示与保护框的材质依赖性相关的实验结果1的图。
[0024]图8是表示与保护框的材质依赖性相关的实验结果2的图。
[0025]图9是表示实施方式所涉及的基板处理装置的其他例子的剖视图。
具体实施方式
[0026]以下，参照附图说明本公开的实施方式所涉及的基板处理装置和基板处理方法。此外，在本说明书和附图中，具有对实质上相同的结构要素标注相同的附图标记、从而省略重复的说明的情况。
[0027][实施方式][0028]＜基板处理装置＞
[0029]首先，参照图1说明本公开的实施方式所涉及的基板处理装置的一个例子。在此，图1是表示实施方式所涉及的基板处理装置的一个例子的剖视图。
[0030]图1所示的基板处理装置100是对FPD用的俯视呈矩形的基板(以下简称为“基板”)G执行各种基板处理方法的电感耦合型等离子体(Inductive Coupled Plasma：ICP)处理装置。作为基板G的材料，主要使用玻璃，根据用途，有时还会使用透明的合成树脂等。在此，基板处理包含蚀刻处理、使用了CVD(化学气相沉积：Chemical Vapor Deposition)法的成膜处理等。作为FPD，能例示出液晶显示器(Liquid Crystal Display：LCD)、电致发光(Electro Luminescence：EL)、等离子体显示板(Plasma Display Panel：PDP)等。基板G除了在其表面图案化电路的形态以外，还包含支承基板。另外，FPD用基板的平面尺寸随着世代的更新而大规模化，利用基板处理装置100处理的基板G的平面尺寸例如至少包含从第6代的1500mm
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1800mm左右的尺寸到第10.5代的3000mm
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3400mm左右的尺寸。另外，基板G的厚度为0.2mm至几mm左右。
[0031]图1所示的基板处理装置100具有长方体状的箱形的处理容器20、配设于处理容器20内且用于载置基板G的俯视呈矩形的外形的基板载置台70、控制部90。此外，处理容器也可以是圆筒状的箱形、椭圆筒状的箱形等形状，该形态下，基板载置台也为圆形或者椭圆形，载置于基板载置台的基板也为圆形等。
[0032]处理容器20被电介质板51划分为上下两个空间，由上腔室13形成作为上方空间的天线室A，由下腔室17形成作为下方空间的处理区域S。在此，相对于处理容器20的内部的处理区域S，将处理容器20的外部称为外部区域E。
[0033]在处理容器20中，在成为下腔室17与上腔室13之间的边界的位置以向处理容器20的内侧突出设置的方式配设有矩形环状的支承框14，在支承框14载置电介质板51。
[0034]形成天线室A的上腔室13由侧壁11和顶板12形成，上腔室13的整体由铝、铝合金等金属形成。
[0035]内部具有处理区域S的下腔室17由侧壁15(壁部的一个例子)和底板16(壁部的一个例子)形成，下腔室17的整体由铝、铝合金等金属形成。另外，侧壁15利用接地线21接地。
[0036]支承框14由导电性的铝、铝合金等金属形成，也可以称为金属框。另外，电介质板51由氧化铝(Al2O3)等陶瓷、石英形成。
[0037]在下腔室17的侧壁15的上端形成有矩形环状(环状)的密封槽22。在密封槽22嵌入O形密封圈等密封构件23，由支承框14的抵接面保持密封构件23，从而形成下腔室17与支承框14之间的密封构造。
[0038]在下腔室17的侧壁15开设有用于相对于下腔室17送入送出基板G的送入送出口18，送入送出口18构成为利用闸阀24开闭自如。另外，下腔室17与包含输送机构的输送室(均未图示)相邻，通过控制闸阀24开闭，由输送机构经由送入送出口18进行基板G的送入送出。
[0039]在电介质板51的下表面设有用于支承电介质板51的支承梁，支承梁兼作喷头57。喷头57由铝等金属形成，可以施加有由阳极氧化进行的表面处理。在喷头57内形成有沿水平方向延伸设置的气体流路58，气体流路58与向下方延伸设置并面向位于喷头57的下方的处理区域S的气体喷出孔59连通。
[0040]在电介质板51的上表面连接有与气体流路58连通的气体导入管65，气体导入管65气密地贯通于开设在上腔室13的顶板12的供给口12a，并经由与气体导入管65气密结合的气体供给管61连接于处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其在处理容器内对基板进行处理，其中，该基板处理装置具有：保护框，其具有环状的主体部和向所述主体部的内侧伸出的环状的遮檐部；基板载置台，其具有载置基板的载置面和在所述载置面的周围自所述载置面凹下的环状的台阶部，所述主体部能够收纳于所述台阶部；以及升降机构，其支承所述主体部并使所述保护框相对于所述基板载置台升降，在所述主体部收纳于所述台阶部时，所述遮檐部的顶端定位在载置于所述载置面的所述基板的边缘部的上方。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述保护框的上表面平坦。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，在所述主体部收纳于所述台阶部时，自所述载置面到所述保护框的上表面的高度为3mm以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其中，所述主体部的厚度为20mm以上。5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述遮檐部朝向顶端向下方倾斜而尖锐地形成。6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其中，在所述主体部收纳于所述台阶部时，所述遮檐部的顶端以非接触的状态定位在所述基板的边缘部的上方。7.根据权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其中，所述保护框由铝或氧化铝形成。8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置，其中，所述保护框的俯视形状为矩形框状，所述基板的俯视形状为矩形，所述基板的平面尺寸为1500mm
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤正律，佐藤吉宏，窪田真树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：