基片处理控制方法、基片处理装置和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供根据基片处理的状态来适当地控制各种参数的基片处理控制方法、基片处理装置和存储介质。具有包含多个第一水准单元的第一要素和包含的多个第二水准单元的第二要素的基片处理装置中的基片处理控制方法，其包括：获取步骤，其对每个基片获取包含确定进行了第一处理的第一水准单元的信息、确定进行了第二处理的第二水准单元的信息和关于基片的特性的特征量的信息的数据集；计算步骤，其基于数据集，计算包含特征量的预期值、相对于预期值的第一水准单元的水准单元偏差和相对于预期值的第二水准单元的水准单元偏差的信息；以及修正步骤，其基于在计算步骤中计算出的信息，修正第一水准单元的第一参数或者第二水准单元的第二参数。单元的第二参数。单元的第二参数。

【技术实现步骤摘要】
基片处理控制方法、基片处理装置和存储介质


[0001]本专利技术涉及基片处理控制方法、基片处理装置和存储介质。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种技术，在基片上形成了抗蚀剂图案后测量其尺寸，基于该结果修正热处理的处理温度。此外，在专利文献1中还记载了如下技术，在修正后的处理温度下测量进行了热处理的抗蚀图案的尺寸，基于检查结果修正曝光处理的处理条件。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2009-267144号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供一种根据基片处理的状态适当地控制各种参数的技术。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一个方式的基片处理控制方法是基片处理装置中的基片处理控制方法，上述基片处理装置包括：第一要素，其包含对基片进行基于第一参数的第一处理的多个第一水准单元；和第二要素，其包含对基片进行基于第二参数的第二处理的多个第二水准单元，上述基片处理控制方法包括：获取步骤，其对在上述第一水准单元中进行了上述第一处理后在上述第二水准单元中进行了上述第二处理的多个基片的每一者，获取数据集，上述数据集包含：确定进行了第一处理的上述第一水准单元的信息；确定进行了上述第二处理的第二水准单元的信息；和关于上述基片的特性的特征量的信息；计算步骤，其基于与上述多个基片的每一者对应的数据集，计算包含上述特征量的预期值、相对于上述预期值的上述第一水准单元的水准单元偏差和相对于上述预期值的上述第二水准单元的水准单元偏差的信息；以及修正步骤，其基于在上述计算步骤中计算出的信息，修正上述第一水准单元中的上述第一参数或者上述第二水准单元中的上述第二参数。
[0010]专利技术效果
[0011]依照本专利技术，提供一种根据基片处理的状态适当地控制各种参数的技术。
附图说明
[0012]图1是表示基片处理系统的概要结构的一个例子的示意图。
[0013]图2是表示涂敷显影装置的一个例子的示意图。
[0014]图3是表示检查单元的一个例子的示意图。
[0015]图4是表示控制装置的功能性结构的一个例子的框图。
[0016]图5是表示控制装置的硬件结构的一个例子的框图。
[0017]图6是表示由控制装置进行的控制的一个例子的流程图。
[0018]图7的(a)和图7的(b)是用于说明膜厚的修正的一个例子的图。
[0019]图8是表示由控制装置进行的单元偏差的计算方法的一个例子的流程图。
[0020]图9的(a)和图9的(b)是表示检查结果和单元偏差的计算结果的一个例子的图。
[0021]图10的(a)和图10的(b)是表示检查结果和单元偏差的计算结果的一个例子的图。
[0022]图11是表示单元偏差的计算结果的一个例子的图。
[0023]图12是表示单元偏差的计算结果的一个例子的图。
[0024]附图标记说明
[0025]1……
基片处理系统；2
……
涂敷显影装置；3
……
曝光装置；11～14
……
处理模块；100
……
控制装置；101
……
检查结果保持部；102
……
修正值计算部；103
……
回归系数计算部；104
……
参数修正值计算部；106
……
方案保持部；107
……
单元控制部；U1
……
涂敷单元；U2
……
热处理单元；U3
……
检查单元。
具体实施方式
[0026]以下，对各种例示的实施方式进行说明。
[0027]在一个例示的实施方式中，基片处理控制方法是基片处理装置中的基片处理控制方法，上述基片处理装置包括：第一要素，其包含对基片进行基于第一参数的第一处理的多个第一水准单元；和第二要素，其包含对基片进行基于第二参数的第二处理的多个第二水准单元，上述基片处理控制方法包括：获取步骤，其对在上述第一水准单元中进行了上述第一处理后在上述第二水准单元中进行了上述第二处理的多个基片的每一者，获取数据集，上述数据集包含：确定进行了第一处理的上述第一水准单元的信息；确定进行了上述第二处理的第二水准单元的信息；和关于上述基片的特性的特征量的信息；计算步骤，其基于与上述多个基片的每一者对应的数据集，计算包含上述特征量的预期值、相对于上述预期值的上述第一水准单元的水准单元偏差和相对于上述预期值的上述第二水准单元的水准单元偏差的信息；以及修正步骤，其基于在上述计算步骤中计算出的信息，修正上述第一水准单元中的上述第一参数或者上述第二水准单元中的上述第二参数。
[0028]在上述的基片处理控制方法中，能够获得数据集，该数据集包含确定进行了第一处理的第一水准单元的信息、确定进行了第二处理的第二水准单元的信息和关于基片的特性的特征量的信息。然后，基于该数据集，在计算步骤中，能够计算包含特征量的预期值、相对于预期值的第一水准单元的水准单元偏差和相对于预期值的第二水准单元的水准单元偏差的信息。此外，基于计算出的信息，能够修正第一水准单元中的第一参数或者第二水准单元中的第二参数。通过采用这样的构成，能够基于对第一水准单元和第二水准单元计算出的特征量的预期值和水准偏差进行参数的修正。因此，即使是进行了如多个种类的处理单元那样多个水准单元中的处理的基片，也能够利用包含基片的特征量的数据集，适当地进行相对于目标值的每个单元的修正。
[0029]也可以为，在上述计算步骤中，基于与多个上述基片的每一者对应的数据集，计算包含相对于上述预期值的上述第一水准单元的水准单元偏差和相对于上述预期值的上述第二水准单元的水准单元偏差的信息，以使基于上述数据集的上述特征量的预期值以外的范数变得最小。
[0030]在上述的构成中，在计算第一水准单元中的第一水准单元偏差和第二水准单元中
的第二水准单元偏差时，计算水准单元偏差以使特征量的预期值以外的范数变得最小。由此，例如在只能获得通过最小二乘法等现有的方法无法计算每个单元的单元偏差的范围的数据集的情况下，也能够计算第一水准单元偏差和第二水准单元偏差。因此，能够适当地进行相对于特征量的预期值的每个单元的修正。
[0031]也可以为，在上述计算步骤中，在对上述第一要素和上述第二要素预先决定了与使减小其修正值的处理优先的顺序对应的范数最小化优先级的情况下，基于上述数据集，从上述范数最小化优先级高的要素起依次计算单元偏差，以使上述特征量的平均值的预期值以外的范数变得最小。
[0032]在预先决定了与使减小修正值的处理优先的顺序对应的范数最小化优先级的情况下，从范数最小化优先级高的要素起依次计算单元偏差以使范数变得最小。通过这样的构成，对范数最小化优先级高的要素，能够防止以包含来源于其他本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置中的基片处理控制方法，所述基片处理装置包括：第一要素，其包含对基片进行基于第一参数的第一处理的多个第一水准单元；和第二要素，其包含对基片进行基于第二参数的第二处理的多个第二水准单元，所述基片处理控制方法的特征在于，包括：获取步骤，其对在所述第一水准单元中进行了所述第一处理后在所述第二水准单元中进行了所述第二处理的多个基片的每一者，获取数据集，所述数据集包含：确定进行了所述第一处理的所述第一水准单元的信息；确定进行了所述第二处理的所述第二水准单元的信息；和关于所述基片的特性的特征量的信息；计算步骤，其基于与所述多个基片的每一者对应的数据集，计算包含所述特征量的预期值、相对于所述预期值的所述第一水准单元的水准单元偏差和相对于所述预期值的所述第二水准单元的水准单元偏差的信息；以及修正步骤，其基于在所述计算步骤中计算出的信息，修正所述第一水准单元中的所述第一参数或者所述第二水准单元中的所述第二参数。2.如权利要求1所述的基片处理控制方法，其特征在于：在所述计算步骤中，基于与多个所述基片的每一者对应的数据集，计算包含相对于所述预期值的所述第一水准单元的水准单元偏差和相对于所述预期值的所述第二水准单元的水准单元偏差的信息，以使基于所述数据集的所述特征量的预期值以外的范数变得最小。3.如权利要求1所述的基片处理控制方法，其特征在于，还包括：在所述计算步骤中，在对所述第一要素和所述第二要素预先决定了与使减小其修正值的处理优...

【专利技术属性】
技术研发人员：鹤田丰久，小西仪纪，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：