本实用新型提供一种贮藏器和基板处理装置。用于防止向作为被处理体的基板供给含有泡的处理液。贮藏器具备：容器部，其具有上壁、侧壁以及底壁，在内部收容处理液；液体喷出路径，其具有设置在比收容于容器部内的处理液的液面高的位置的液体喷出口，能够向...

本发明提供温度调整装置、基板处理装置以及控制载置台的控制方法。该温度调整装置具备：载置台，其具有多个加热部和多个温度检测部，所述多个加热部设置于在径向和周向上分别具有至少两个以上的单独区段的区段区域内的每个所述单独区段，所述多个温度检测...

本发明提供一种能够精度良好地蚀刻基板的周缘部的基板处理装置。本公开的一形态的基板处理装置具备基板旋转部、气液分离部以及排气路径。基板旋转部保持基板并使该基板旋转。气液分离部以包围基板旋转部的外周的方式设置，使气体和液滴分离。排气路径以包...

提供一种用于防止副产物的附着的静电卡盘、支承台及等离子体处理装置。提供一种用于对基板及边缘环进行支承的静电卡盘，包括：第一区域，具有第一上表面，并且被构成为对被放置在所述第一上表面上的基板进行保持；第二区域，具有第二上表面，以包围所述第...

本发明提供基片检查方法、基片检查系统和控制装置。基片检查方法包括：基于模型形成用基片的膜的特征量的测量结果，和拍摄模型形成用基片而生成的模型形成用拍摄图像，来构建表示基片的拍摄图像中的像素值与该基片的膜的特征量的关系的相关模型的步骤；拍...

本发明提供一种基板加工装置。提供一种能够使基板加工装置的维护作业简易化的技术。基板加工装置包括：旋转盘，其以对基板进行加工的工具能够更换的方式安装该工具；主轴电动机，其使所述旋转盘旋转；升降机构，其借助所述主轴电动机使所述旋转盘升降；面...

【技术问题】在对被处理体供给药液来进行处理时，防止在处理中产生异常，或者检测药液流路中的含有聚合物的药液相对于其他药液是否为希望的比例。【技术手段】本发明的装置包括：含有聚合物的药液所流动的药液流路；对所述药液流路照射激光的激光照射部；...

本发明提供能够提高使用了超临界状态的处理流体的干燥处理后的晶圆的清洁度的基板处理装置及其控制方法。基板处理装置具有：处理容器，具有能够收纳被液体湿润了表面的状态的基板的处理空间；处理流体供给部，向处理空间中朝向液体供给超临界状态的处理流...

本实用新型提供基板处理装置和基板处理系统。使光学检测供向基板供给的流体流通的供给路径中的异物的基板处理装置小型化。基板处理装置包括：供给路径，其供向基板供给的流体流通；以及异物检测单元，所述供给路径的局部构成流路形成部，该异物检测单元利...

成膜装置具有：在处理腔室内的处理空间保持用于发射溅射粒子的靶的靶保持部、从靶发射溅射粒子的溅射粒子发射单元、具有供溅射粒子穿过的穿过孔的溅射粒子遮蔽板、设为能够遮蔽穿过孔的遮蔽构件、使遮蔽构件沿水平方向移动的移动机构、以及控制部。控制部...

本发明提供定位装置和定位方法。本发明的一个方式的定位装置包括：载置基片的载置台；从下方保持上述载置台的保持部；使上述载置台相对于上述保持部升降的升降销；和对准器，其从下方支承上述保持部，使上述保持部相对于上述升降销的相对位置变化，在上述...

本发明提供一种接合装置和接合方法，适当地进行接合中的基板之间的位置对准。该接合装置将第一基板与第二基板接合，具备：第一保持部，其保持所述第一基板；第二保持部，其保持所述第二基板；第一摄像部，其设置于所述第一保持部，对保持于所述第二保持部...

本发明提供对于以下情况有利的燕尾槽加工方法以及基板处理装置：在基板处理装置中，当使用切削工具加工收纳密封构件的燕尾槽时，抑制反应生成物在供切削工具插入的导入孔堆积。在利用设于形成基板处理装置的第一构件和第二构件之间的密封面的密封构件将基...

本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。一示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内的等离子体生成过程中的第一期间，向设置于腔室内的基板支撑器的下部电极施加第一直流电压的工序。等离子体处理方法还包括在...

本发明的一个方式提供一种等离子体处理装置，其包括：圆筒体状的处理容器；沿着所述处理容器的长度方向相对配置的一对等离子体电极；和向所述一对等离子体电极供给高频电功率的高频电源，在所述等离子体电极中，离被供给所述高频电功率的供电位置较远的位...

本发明提供许可证认证装置和许可证认证方法。本发明的一方式的许可证认证装置进行应用程序的许可证期限的认证，其中，上述应用程序是用于调整半导体工厂内的半导体制造装置的参数的应用程序，上述许可证认证装置包括：许可证信息保存部，其保存包含上述许...

本发明提供成膜装置。该成膜装置包括处理容器、在处理容器内保持基片的基片保持部和配置于基片保持部的上方的靶单元。靶单元包括：靶，其具有主体部和其周围的呈环状的凸缘部，能够释放溅射颗粒；具有靶电极且保持靶的靶保持部；将靶的凸缘部夹持在靶保持...

一种基板处理系统，具备：预对准装置，其具有预对准台和检测器，所述预对准台保持被处理基板，所述检测器检测被保持于所述预对准台的所述被处理基板的中心位置和结晶方位；以及激光加工装置，其具有激光加工台和激光加工头，所述激光加工台保持所述被处理...

一种基板处理系统，其对基板进行处理，其中，该基板处理系统具有：改性层形成装置，其沿着第1基板中的去除对象的周缘部与中央部之间的边界在该第1基板的内部形成改性层；界面处理装置，其对所述第1基板与第2基板接合的界面的位于所述周缘部处的部分进...

一种对基板进行处理的基板处理系统，其中，该基板处理系统具有：偏心检测装置，其检测接合第1基板和第2基板而成的层叠基板中的所述第1基板的偏心；改性层形成装置，其沿着所述第1基板中的去除对象的周缘部与中央部之间的边界在该第1基板的内部形成改...