基板处理装置及其控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够提高使用了超临界状态的处理流体的干燥处理后的晶圆的清洁度的基板处理装置及其控制方法。基板处理装置具有：处理容器，具有能够收纳被液体湿润了表面的状态的基板的处理空间；处理流体供给部，向处理空间中朝向液体供给超临界状态的处理流体；第1排气管线，与第1排气源连接，利用第1排气压使处理空间排气；第2排气管线，与有别于第1排气源的第2排气源连接，在第1排气源和处理空间之间与第1排气管线连接，利用第2排气压经由第1排气管线使处理空间排气；以及控制部，控制第2排气压。超临界状态的处理流体与液体接触而干燥基板。控制部在处理流体供给部停止向处理空间供给处理流体的期间使第2排气压高于第1排气压。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及其控制方法
本公开关于基板处理装置及其控制方法。
技术介绍
在作为基板的半导体晶圆(以下，称为晶圆)等的表面形成集成电路的层叠结构的半导体装置的制造工序中，进行利用化学溶液等清洗液去除晶圆表面的微小灰尘、自然氧化膜等、利用液体处理晶圆表面的液处理工序。公知有在液处理工序中，在去除附着于晶圆的表面的液体等时，使用超临界状态的处理流体的方法(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-12538号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供能够提高使用了超临界状态的处理流体的干燥处理后的晶圆的清洁度的基板处理装置及其控制方法。用于解决问题的方案本公开的一技术方案的基板处理装置具有：处理容器，其具有能够收纳被液体湿润了表面的状态的基板的处理空间；处理流体供给部，其在所述处理空间朝向所述液体供给超临界状态的处理流体；第1排气管线，其与第1排气源连接，利用第1排气压使所述处理空间排气；第2排气管线，其与有别于所述第1排气源本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其中，/n该基板处理装置具有：/n处理容器，其具有能够收纳被液体湿润了表面的状态的基板的处理空间；/n处理流体供给部，其向所述处理空间中朝向所述液体供给超临界状态的处理流体；/n第1排气管线，其与第1排气源连接，利用第1排气压使所述处理空间排气；/n第2排气管线，其与有别于所述第1排气源的第2排气源连接，在所述第1排气源和所述处理空间之间与所述第1排气管线连接，并利用第2排气压经由所述第1排气管线使所述处理空间排气；以及/n控制部，其控制所述第2排气压，/n所述超临界状态的处理流体与所述液体接触而对所述基板进行干燥，/n所述控制部在所述处理流体供给部停止向所述处理空间供给...

【技术特征摘要】
20190604 JP 2019-1047991.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有：
处理容器，其具有能够收纳被液体湿润了表面的状态的基板的处理空间；
处理流体供给部，其向所述处理空间中朝向所述液体供给超临界状态的处理流体；
第1排气管线，其与第1排气源连接，利用第1排气压使所述处理空间排气；
第2排气管线，其与有别于所述第1排气源的第2排气源连接，在所述第1排气源和所述处理空间之间与所述第1排气管线连接，并利用第2排气压经由所述第1排气管线使所述处理空间排气；以及
控制部，其控制所述第2排气压，
所述超临界状态的处理流体与所述液体接触而对所述基板进行干燥，
所述控制部在所述处理流体供给部停止向所述处理空间供给所述处理流体的期间，使所述第2排气压高于所述第1排气压。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述控制部在所述基板的干燥结束之后，使所述第2排气压高于所述第1排气压。


3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述控制部在所述处理流体供给部开始供给所述处理流体之前，使所述第2排气压高于所述第1排气压。


4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有设于所述第1排气管线的第1开闭阀，
所述第2排气管线连接于所述第1开闭阀和所述第1排气源之间。


5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有设于所述第1排气管线的所述第1开闭阀和所述第1排气源之间的背压阀，
所述第2排气管线连接于所述背压阀和所述第1排气源之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：枇杷聪，冈村聪，五师源太郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP