基板处理装置及其控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够提高使用了超临界状态的处理流体的干燥处理后的晶圆的清洁度的基板处理装置及其控制方法。基板处理装置具有：处理容器，具有能够收纳被液体湿润了表面的状态的基板的处理空间；处理流体供给部，向处理空间中朝向液体供给超临界状态的处理流体；第1排气管线，与第1排气源连接，利用第1排气压使处理空间排气；第2排气管线，与有别于第1排气源的第2排气源连接，在第1排气源和处理空间之间与第1排气管线连接，利用第2排气压经由第1排气管线使处理空间排气；以及控制部，控制第2排气压。超临界状态的处理流体与液体接触而干燥基板。控制部在处理流体供给部停止向处理空间供给处理流体的期间使第2排气压高于第1排气压。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及其控制方法
本公开关于基板处理装置及其控制方法。
技术介绍
在作为基板的半导体晶圆(以下，称为晶圆)等的表面形成集成电路的层叠结构的半导体装置的制造工序中，进行利用化学溶液等清洗液去除晶圆表面的微小灰尘、自然氧化膜等、利用液体处理晶圆表面的液处理工序。公知有在液处理工序中，在去除附着于晶圆的表面的液体等时，使用超临界状态的处理流体的方法(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-12538号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供能够提高使用了超临界状态的处理流体的干燥处理后的晶圆的清洁度的基板处理装置及其控制方法。用于解决问题的方案本公开的一技术方案的基板处理装置具有：处理容器，其具有能够收纳被液体湿润了表面的状态的基板的处理空间；处理流体供给部，其在所述处理空间朝向所述液体供给超临界状态的处理流体；第1排气管线，其与第1排气源连接，利用第1排气压使所述处理空间排气；第2排气管线，其与有别于所述第1排气源的第2排气源连接，在所述第1排气源和所述处理空间之间与所述第1排气管线连接，并利用第2排气压经由所述第1排气管线使所述处理空间排气；以及控制部，其控制所述第2排气压。所述超临界状态的处理流体与所述液体接触而对所述基板进行干燥。所述控制部在所述处理流体供给部停止向所述处理空间供给所述处理流体的期间，使所述第2排气压高于所述第1排气压。专利技术的效果根据本公开，能够提高使用了超临界状态的处理流体的干燥处理后的晶圆的清洁度。附图说明图1是表示清洗处理系统的整体结构的一例的横剖俯视图。图2是表示超临界处理装置的处理容器的一例的外观立体图。图3是表示处理容器的一例的剖视图。图4是表示处理容器的维护用开口的周边的剖视图(其1)。图5是表示处理容器的维护用开口的周边的剖视图(其2)。图6是表示第1实施方式的超临界处理装置的整个系统的结构例的图。图7是表示第1实施方式的控制部的功能结构的框图。图8是表示IPA的干燥机制的图。图9是表示使用了喷射器的异物去除处理的一例的剖视图(其1)。图10是表示使用了喷射器的异物去除处理的一例的剖视图(其2)。图11是表示使用了喷射器的异物去除处理的一例的剖视图(其3)。图12是表示使用了喷射器的异物去除处理的一例的剖视图(其4)。图13是表示第2实施方式的超临界处理装置的整个系统的结构例的图。图14是表示第3实施方式的处理容器的局部的剖视图。具体实施方式以下，参照附图对本公开的实施方式进行说明。在各附图中，有时对相同的或相对应的结构标注相同的或相对应的附图标记并省略说明。[清洗处理系统的结构]图1是表示清洗处理系统1的整体结构的一例的横剖俯视图。清洗处理系统1具备：多个清洗装置2(在图1所示的例中为两台清洗装置2)，其向晶圆W供给清洗液而对该晶圆W进行清洗处理；以及多个超临界处理装置3(在图1所示的例中为6台超临界处理装置3)，其使附着于清洗处理后的晶圆W的干燥防止用的液体(在本实施方式中为异丙醇(IPA))与超临界状态的处理流体(在本实施方式中为二氧化碳(CO2))接触而去除该液体。在该清洗处理系统1，载体100载置于载置部11，存储于该载体100的晶圆W借助送入送出部12以及交接部13向清洗处理部14以及超临界处理部15交接。作为载体100例如使用FOUP(Front-OpeningUnifiedPod：前开式晶圆传送盒)。在清洗处理部14以及超临界处理部15，晶圆W首先被送入设于清洗处理部14的清洗装置2来接受清洗处理，之后，被送入设于超临界处理部15的超临界处理装置3来接受从晶圆W上去除IPA的干燥处理。在图1中，附图标记“121”表示在载体100和交接部13之间输送晶圆W的第1输送机构，附图标记“131”表示暂时地载置在清洗处理部14以及超临界处理部15和送入送出部12之间被输送的晶圆W的、起到作为缓冲作用的交接架。交接部13的开口部与晶圆输送路径162连接，沿着晶圆输送路径162设有清洗处理部14以及超临界处理部15。在清洗处理部14，隔着该晶圆输送路径162各配置有一台清洗装置2，合计设置有两台清洗装置2。另一方面，在超临界处理部15，隔着晶圆输送路径162各配置有三台进行从晶圆W去除IPA的干燥处理的、作为基板处理装置发挥功能的超临界处理装置3，合计设置有6台超临界处理装置3。在晶圆输送路径162配置有第2输送机构161，第2输送机构161设为能够在晶圆输送路径162内移动。载置于交接架131的晶圆W由第2输送机构161收取，第2输送机构161将晶圆W送入清洗装置2以及超临界处理装置3。另外，清洗装置2以及超临界处理装置3的数量以及配置方式不特别限定，根据每单位时间的晶圆W的处理张数以及各清洗装置2和各超临界处理装置3的处理时间等，以适当的方式配置适当数量的清洗装置2以及超临界处理装置3。清洗装置2构成为例如利用旋转清洗逐张清洗晶圆W的单片式的装置。在该情况下，能够一边以将晶圆W保持为水平的状态使该晶圆W绕铅垂轴线旋转，一边将清洗用的化学溶液、用于洗去化学溶液的冲洗液在适当的时刻向晶圆W的处理面供给，从而进行晶圆W的清洗处理。清洗装置2所使用的化学溶液以及冲洗液不特别限定。例如，能够向晶圆W供给作为碱性的化学溶液的SC1液(即，氨水和双氧水的混合液)，从晶圆W去除微粒、有机性的污染物质。之后，向晶圆W供给作为冲洗液的去离子水(DeIonizedWater：DIW)，而能够从晶圆W洗去SC1液。然后，能够向晶圆W供给作为酸性的化学溶液的稀氢氟酸水溶液(DilutedHydroFluoricacid：DHF)而去除自然氧化膜，之后，也向晶圆W供给DIW而从晶圆W洗去稀氢氟酸水溶液。而且，清洗装置2在结束了利用化学溶液进行的清洗处理后，停止晶圆W的旋转，并向晶圆W供给IPA来作为干燥防止用的液体，使残留于晶圆W的处理面的DIW置换为IPA。此时，向晶圆W供给足够量的IPA，形成有半导体的图案的晶圆W的表面成为被IPA充满的状态，而在晶圆W的表面形成IPA的液膜。晶圆W维持着被IPA充满的状态，并且利用第2输送机构161自清洗装置2送出。这样，赋予到晶圆W表面的IPA起到防止晶圆W干燥的作用。特别是，为了防止在从清洗装置2向超临界处理装置3输送晶圆W的过程中因IPA蒸发而导致在晶圆W产生所谓的图案倒塌，清洗装置2向晶圆W赋予足够量的IPA，以使得在晶圆W的表面形成具有比较厚的厚度的IPA膜。自清洗装置2送出的晶圆W以被IPA充满的状态利用第2输送机构161送入超临界处理装置3的处理容器内，而在超临界处理装置3进行IPA的干燥处理。[超临界处理装置]接着，对在超临界处理装置(基板处理装置)3进行的、使用了超临界流体的干燥处理的详细内容进行说本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其中，/n该基板处理装置具有：/n处理容器，其具有能够收纳被液体湿润了表面的状态的基板的处理空间；/n处理流体供给部，其向所述处理空间中朝向所述液体供给超临界状态的处理流体；/n第1排气管线，其与第1排气源连接，利用第1排气压使所述处理空间排气；/n第2排气管线，其与有别于所述第1排气源的第2排气源连接，在所述第1排气源和所述处理空间之间与所述第1排气管线连接，并利用第2排气压经由所述第1排气管线使所述处理空间排气；以及/n控制部，其控制所述第2排气压，/n所述超临界状态的处理流体与所述液体接触而对所述基板进行干燥，/n所述控制部在所述处理流体供给部停止向所述处理空间供给所述处理流体的期间，使所述第2排气压高于所述第1排气压。/n

【技术特征摘要】
20190604 JP 2019-1047991.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有：
处理容器，其具有能够收纳被液体湿润了表面的状态的基板的处理空间；
处理流体供给部，其向所述处理空间中朝向所述液体供给超临界状态的处理流体；
第1排气管线，其与第1排气源连接，利用第1排气压使所述处理空间排气；
第2排气管线，其与有别于所述第1排气源的第2排气源连接，在所述第1排气源和所述处理空间之间与所述第1排气管线连接，并利用第2排气压经由所述第1排气管线使所述处理空间排气；以及
控制部，其控制所述第2排气压，
所述超临界状态的处理流体与所述液体接触而对所述基板进行干燥，
所述控制部在所述处理流体供给部停止向所述处理空间供给所述处理流体的期间，使所述第2排气压高于所述第1排气压。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述控制部在所述基板的干燥结束之后，使所述第2排气压高于所述第1排气压。


3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述控制部在所述处理流体供给部开始供给所述处理流体之前，使所述第2排气压高于所述第1排气压。


4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有设于所述第1排气管线的第1开闭阀，
所述第2排气管线连接于所述第1开闭阀和所述第1排气源之间。


5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有设于所述第1排气管线的所述第1开闭阀和所述第1排气源之间的背压阀，
所述第2排气管线连接于所述背压阀和所述第1排气源之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：枇杷聪，冈村聪，五师源太郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP