清洗设备制造技术

技术编号:26603101 阅读:17 留言:0更新日期:2020-12-04 21:26
本发明专利技术提供一种清洗设备,包括:清洗平台以及清洗装置,所述清洗平台上设置有清洗工位;所述清洗工位用于放置晶盒或花篮;所述清洗装置包括围绕所述清洗工位设置的多个喷头,所述多个喷头用于向放置在所述清洗工位上的所述晶盒或所述花篮喷射清洗介质。通过本发明专利技术实现了晶盒与花篮的兼容清洗,节省了人力。

【技术实现步骤摘要】
清洗设备
本专利技术涉及半导体制造领域,具体地,涉及一种清洗设备。
技术介绍
目前,晶盒与花篮为晶圆代工厂中承载硅片的容器,其中硅片放置在花篮中,而花篮放置在晶盒中,晶盒及花篮原理图见图1与图2所示。因晶盒、花篮均与硅片进行直接接触,如长期使用而不加以清洗,硅片的清洁度及良率都会受到不良影响,现有技术中,一般通过人工对晶盒或花篮进行清洗,并且未有任何一种清洗设备可以同时兼容腔室晶盒与花篮的清洗工序,因此,现有技术中清洗晶盒和花篮较困难。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种清洗设备,以兼容晶盒和花篮的清洗工序。为实现本专利技术的目的而提供一种清洗设备,包括:清洗平台以及清洗装置,所述清洗平台上设置有清洗工位;所述清洗工位用于放置晶盒或花篮;所述清洗装置包括围绕所述清洗工位设置的多个喷头,所述多个喷头用于向放置在所述清洗工位上的所述晶盒或所述花篮喷射清洗介质。优选地,所述多个喷头包括至少一个第一液路喷头和至少一个第二液路喷头,其中,所述第一液路喷头设置在所述清洗工位的下方,且所述第一液路喷头的喷射方向为竖直向上或与竖直方向成一定角度向上,所述第一液路喷头用于自下而上地向所述晶盒或所述花篮喷射清洗液体;所述第二液路喷头设置在所述清洗工位的上方,且所述第二液路喷头的喷射方向为竖直向下或与竖直方向成一定角度向下,所述第一液路喷头用于自上而下地向所述晶盒或所述花篮喷射所述清洗液体。优选地,所述第一液路喷头为两个,且对称地设置在所述清洗工位的轴线的两侧。优选地,所述清洗平台为多个,且沿竖直方向间隔设置;所述清洗装置的数量与所述清洗平台上的所述清洗工位的数量相同,且一一对应地设置。优选地,每个所述清洗平台上的所述清洗工位为多个,多个所述清洗工位呈阵列排布。优选地,所述清洗设备还包括:工艺腔室以及干燥装置;所述清洗平台以及所述清洗装置位于所述工艺腔室中;所述干燥装置用于干燥所述晶盒和/或所述花篮。优选地,所述干燥装置包括吹风机,所述吹风机用于向所述工艺腔室中输送干燥气体。优选地,所述干燥装置还包括:输气管以及安装在所述输气管上的过滤器;所述输气管用于将所述吹风机提供的干燥气体通过所述过滤器输送至所述工艺腔室中;所述过滤器用于过滤所述输气管中的干燥气体。优选地,所述多个喷头还包括:与所述输气管相连的至少一个气路喷头;所述气路喷头设置在所述清洗工位的下方,且所述气路喷头的喷射方向为竖直向上或与竖直方向成一定角度向上,所述气路喷头用于自下而上地向所述晶盒或所述花篮喷射所述干燥气体。优选地,所述清洗工位相对于水平方向倾斜预设角度,以便于所述清洗介质自放置在所述清洗工位上的所述晶盒或所述花篮排出。本专利技术具有以下有益效果:本专利技术提供的清洗设备可以清洗晶盒也可以清洗花篮,实现了晶盒与花篮的兼容清洗,节省了人力,提高了清洗效率。附图说明图1为现有晶盒的结构示意图;图2为现有花篮的结构示意图;图3为本专利技术实施例提供的清洗设备的一种结构示意图;图4为本专利技术实施例提供的清洗设备的一种正视图;图5为本专利技术实施例提供的清洗设备的一种侧视图;图6为本专利技术实施例提供的清洗设备的另一种结构示意图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案,下面结合附图来对本专利技术提供的清洗设备进行详细描述。图3所示为本专利技术实施例提供的清洗设备的一种结构示意图,包括:清洗平台5(图3中未示)以及清洗装置1,清洗平台5上设置有清洗工位2;清洗工位2用于放置晶盒或花篮;清洗装置1包括围绕清洗工位2设置的多个喷头,多个喷头用于向放置在清洗工位2上的晶盒或花篮喷射清洗介质。在本专利技术实施例提供的清洗设备中,围绕清洗工位2设置了多个喷头,使清洗装置1可以从多个方向向放置在清洗工位2上的晶盒或花篮喷射清洗介质,从而可以清洗晶盒,也可以清洗花篮,实现了晶盒与花篮的兼容清洗,节省了人力,提高了清洗效率。上述多个喷头的设置方式可以由工艺需求确定,比如可以是周向、侧向等围绕方式,或其他更复杂的方式。在本专利技术的另一个实施例中,参见图3,上述多个喷头包括至少一个第一液路喷头11和至少一个第二液路喷头12,其中,第一液路喷头11设置在清洗工位2的下方,且第一液路喷头11的喷射方向为竖直向上,也可以与竖直方向成一定角度向上,第一液路喷头11自下而上地向晶盒或花篮喷射清洗液体。进一步的,如图3所示,第一液路喷头11可以为两个,且对称地设置在清洗工位2的轴线的两侧。本实施例中第一液路喷头11的喷射角度可以根据清洗工艺需求基于组件的尺寸比例、喷头的喷射范围等参数自由设置,如图3所示,喷射方向优选为竖直向上。第二液路喷头12设置在清洗工位2的上方,且第二液路喷头12的喷射方向为竖直向下,也可以与竖直方向成一定角度向下,第二液路喷头12自上而下地向晶盒或花篮喷射清洗液体。本实施例中第二液路喷头1的喷射角度也可以根据清洗工艺需求基于组件的尺寸比例、喷头的喷射范围等参数自由设置,如图3所示,喷射方向优选为竖直向下。本专利技术实施例提供的清洗设备中,在清洗工位2下方设置有第一液路喷头11,其朝上喷射,当晶盒开口向下放置在清洗工位2上时,第一液路喷头11的清洗介质可以喷射到晶盒内表面,从而清洗晶盒的内表面;同时,在清洗工位2上方设置有第二液路喷头12,第二液路喷头12朝下喷射,第二液路喷头12的清洗介质可以喷射到晶盒的外表面,从而清洗晶盒的外表面。综上,通过第一液路喷头11与第二液路喷头12的共同作用可以同时喷射晶盒的内外表面,使整个晶盒被清洗装置完全清洗干净。类似的,同时使用第一液路喷头11与第二液路碰头12也可以使花篮被清洗装置1完全清洗干净。在本专利技术的另一个实施例中,如图4所示,清洗平台5为多个,且沿竖直方向间隔设置;清洗装置1的数量与清洗平台5上的清洗工位2的数量相同,且一一对应地设置。在本专利技术的另一个实施例中,如图4、5所示,每个清洗平台5上的清洗工位2为多个,多个清洗工位2呈阵列排布。从图4正视图可以看出工艺腔室6中清洗平台5分三层,每层清洗平台5上有四排清洗工位2,从图5侧视图中可以看出,每层清洗平台5上共两列清洗工位2,因此本清洗设备可同时最多完成24件花篮和/或晶盒的清洗。为了耐高温,工艺腔室6每层清洗平台5可由PVDF材质或不锈钢材质制作而成。如图5所示,清洗设备还可以包括:工艺腔室6以及干燥装置7,清洗平台5以及清洗装置1位于工艺腔室6中;干燥装置7用于干燥晶盒或花篮。优选地,干燥装置7包括吹风机71,吹风机71用于向工艺腔室6中输送干燥气体。干燥装置还可以采用加热或其他类似的干燥技术,只要能实现对应的干燥效果即可。如图4与图5所示,在本专利技术的另一个实施例中,干燥装置7还可以包括:输气管72以及安装在输气管72上的过滤器73。输气管72用于将吹本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清洗设备,其特征在于,包括:清洗平台以及清洗装置,所述清洗平台上设置有清洗工位;所述清洗工位用于放置晶盒或花篮;所述清洗装置包括围绕所述清洗工位设置的多个喷头,所述多个喷头用于向放置在所述清洗工位上的所述晶盒或所述花篮喷射清洗介质。/n

【技术特征摘要】
1.一种清洗设备,其特征在于,包括:清洗平台以及清洗装置,所述清洗平台上设置有清洗工位;所述清洗工位用于放置晶盒或花篮;所述清洗装置包括围绕所述清洗工位设置的多个喷头,所述多个喷头用于向放置在所述清洗工位上的所述晶盒或所述花篮喷射清洗介质。


2.根据权利要求1所述的清洗设备,其特征在于,所述多个喷头包括至少一个第一液路喷头和至少一个第二液路喷头,其中,
所述第一液路喷头设置在所述清洗工位的下方,且所述第一液路喷头的喷射方向为竖直向上或与竖直方向成一定角度向上,所述第一液路喷头用于自下而上地向所述晶盒或所述花篮喷射清洗液体;
所述第二液路喷头设置在所述清洗工位的上方,且所述第二液路喷头的喷射方向为竖直向下或与竖直方向成一定角度向下,所述第一液路喷头用于自上而下地向所述晶盒或所述花篮喷射所述清洗液体。


3.根据权利要求2所述的清洗设备,其特征在于,所述第一液路喷头为两个,且对称地设置在所述清洗工位的轴线的两侧。


4.根据权利要求1-3任意一项所述的清洗设备,其特征在于,所述清洗平台为多个,且沿竖直方向间隔设置;所述清洗装置的数量与所述清洗平台上的所述清洗工位的数量相同,且一一对应地设置。


5.根据权利要求4所述的清洗设备,其特征在于,每个所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:张洪蛟李爱兵
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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