一种等离子体刻蚀反应器制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体集成电路制造技术领域，公开了一种等离子体刻蚀反应器。通过本发明专利技术创造，提供了一种具有刻蚀高对称性的刻蚀反应器，即包括同轴设置的射频馈入杆、下电极基座、静电吸盘、气体喷淋盘、腔壁、桥连环、射频屏蔽环和射频隔离环，其中，所述射频隔离环包括一体成型的下部隔离环体和上部隔离环体，由此可以在起到对射频信号进行有效隔离的基础上，通过隔离环的一体化设计使得对地寄生电容在径向分布更加均匀，从而降低对地寄生电容对刻蚀对称性的敏感性，实现腔内等离子体均匀分布，特别是高频等离子体的高对称性分布。此外，还可通过屏蔽环的一体化设计，优化射频电流在整个环面流通的一致性，进一步实现腔内等离子体均匀分布。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体刻蚀反应器
本技术属于半导体集成电路制造
，具体地涉及一种等离子体刻蚀反应器。
技术介绍
刻蚀技术是一种在半导体制造工艺中按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术，其不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。在典型的等离子体刻蚀工艺中，不同的工艺气体组合(如CxFy、O2和Ar等气体)在射频(Radiofrequency)环境中经过射频激励作用形成等离子体，然后在刻蚀腔体(典型的刻蚀腔体包括容性耦合腔体和感性耦合腔体两种)的上下电极电场作用下，使形成的等离子体与晶圆表面发生物理轰击和化学反应，完成对晶圆表面设计图案和关键工艺的处理过程。但是在晶圆的等离子体刻蚀过程中，特别是在高频刻蚀过程(如60MHz和40MHz等高频功率源占主导的刻蚀过程)中不可避免地会遇到刻蚀不对称性问题。这种不对称性主要来自于高频对刻蚀腔体寄生电容以及腔体射频主回路阻抗不均匀的高选择性，具体表现为：高频源的射频电流在整个刻蚀腔体中的流动存在不对称性，导致等离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体刻蚀反应器，其特征在于，包括同轴设置的射频馈入杆(1)、下电极基座(2)、静电吸盘(3)、气体喷淋盘(4)、腔壁(5)、桥连环(6)、射频屏蔽环(7)和射频隔离环(8)；/n所述射频馈入杆(1)、所述下电极基座(2)、所述静电吸盘(3)和所述气体喷淋盘(4)沿轴向依次设置，其中，所述射频馈入杆(1)、所述下电极基座(2)和所述静电吸盘(3)依次连接；/n所述腔壁(5)包括顶板(51)和环形侧壁体(52)，并使所述顶板(51)、所述环形侧壁体(52)、所述桥连环(6)、所述射频屏蔽环(7)的顶部、所述射频隔离环(8)的顶部和所述静电吸盘(3)围成一个等离子体刻蚀腔体(500)；/...

【技术特征摘要】
1.一种等离子体刻蚀反应器，其特征在于，包括同轴设置的射频馈入杆(1)、下电极基座(2)、静电吸盘(3)、气体喷淋盘(4)、腔壁(5)、桥连环(6)、射频屏蔽环(7)和射频隔离环(8)；
所述射频馈入杆(1)、所述下电极基座(2)、所述静电吸盘(3)和所述气体喷淋盘(4)沿轴向依次设置，其中，所述射频馈入杆(1)、所述下电极基座(2)和所述静电吸盘(3)依次连接；
所述腔壁(5)包括顶板(51)和环形侧壁体(52)，并使所述顶板(51)、所述环形侧壁体(52)、所述桥连环(6)、所述射频屏蔽环(7)的顶部、所述射频隔离环(8)的顶部和所述静电吸盘(3)围成一个等离子体刻蚀腔体(500)；
所述气体喷淋盘(4)位于所述等离子体刻蚀腔体(500)的顶部且连接所述顶板(51)，所述顶板(51)连接所述环形侧壁体(52)的顶部，所述环形侧壁体(52)通过所述桥连环(6)连接所述射频屏蔽环(7)；
所述射频隔离环(8)包括一体成型的下部隔离环体(81)和上部隔离环体(82)，其中，所述下部隔离环体(81)的内径小于所述上部隔离环体(82)的内径，所述下部隔离环体(81)隔空地包裹所述射频馈入杆(1)，所述上部隔离环体(82)包裹所述下电极基座(2)和所述静电吸盘(3)；
所述射频屏蔽环(7)电连接地且隔空地包裹所述射频馈入杆(1)，以及包裹所述射频隔离环(8)。


2.如权利要求1所述的等离子体刻蚀反应器，其特征在于，所述射频屏蔽环(7)包括一体成型的下部屏蔽环体(71)、中部屏蔽环体(72)和上部屏蔽环体(73)；
所述下部屏蔽环体(71)和所述中部屏蔽环体(72)隔空地包裹所述射频馈入杆(1)，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴堃，杨猛，
申请(专利权)人：上海邦芯半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31