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本实用新型涉及半导体集成电路制造技术领域，公开了一种等离子体刻蚀反应器。通过本发明创造，提供了一种具有刻蚀高对称性的刻蚀反应器，即包括同轴设置的射频馈入杆、下电极基座、静电吸盘、气体喷淋盘、腔壁、桥连环、射频屏蔽环和射频隔离环，其中，所述射...
该专利属于上海邦芯半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海邦芯半导体设备有限公司授权不得商用。

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