一种晶圆背面的金属化结构制造技术

本实用新型专利技术涉及电子技术领域，尤其是一种晶圆背面的金属化结构，包括薄化后的集成电路晶圆，所述的薄化后的集成电路晶圆为硅晶圆基板，硅晶圆基板上表面为形成有集成电路，硅晶圆基板的下表面为薄化后的晶圆背面，硅晶圆基板上位于集成电路的上方设置有保护胶层，晶圆背面向下依次设置有金属种子层、金属薄膜层和离子注入保护层，本实用新型专利技术提升产能及良率、提高自动化率使操作安全与优化质量、节省设备投资及维修费、减少原料耗材费用、金属层较佳的附着性等目标的解决方案，在产品良率与产能上均具有优势。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆背面的金属化结构
本技术涉及电子
，具体领域为一种晶圆背面的金属化结构。
技术介绍
众所习知，绝缘栅型双极晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，功率金属氧化场效晶体管PowerMOSFET(MOSFieldEffectTransistor)，智能功率器件IPD(IntelligentPowerDevice)等的应用范围日益广泛，从降低能量损失、优化散热功能等方面来看，都需要将晶圆薄化，同时在晶背进行金属化制程，因此薄化制程与晶背金属化的制程，关系着功率半导体器件的效能与良率。目前，在互补式金氧半导体CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor)制程中，对于晶圆处理的后段制程，包括背面研磨或蚀刻、表面处理、清洗、背面金属化等步骤。在习知的晶圆薄化制程其步骤包含有：直接研磨晶圆背面以达到目标厚度；或分段研磨晶圆到第一阶段厚度，以蚀刻制程对所述第一阶段厚度之该晶圆进行蚀刻，达到到目标厚度。在习知的晶圆背面金属化制程中，一般习知利用蒸镀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆背面的金属化结构，包括薄化后的集成电路晶圆，其特征在于：所述的薄化后的集成电路晶圆为硅晶圆基板，硅晶圆基板上表面为形成有集成电路，硅晶圆基板的下表面为薄化后的晶圆背面，硅晶圆基板上位于集成电路的上方设置有保护胶层，晶圆背面向下依次设置有金属种子层、金属薄膜层和离子注入保护层。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆背面的金属化结构，包括薄化后的集成电路晶圆，其特征在于：所述的薄化后的集成电路晶圆为硅晶圆基板，硅晶圆基板上表面为形成有集成电路，硅晶圆基板的下表面为薄化后的晶圆背面，硅晶圆基板上位于集成电路的上方设置有保护胶层，晶圆背面向下依次设置有金属种子层、金属薄膜层和离子注入保护层。


2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏晋苗，苏冠暐，
申请(专利权)人：北京芯之路企业管理中心有限合伙，
类型：新型
国别省市：北京;11