用于制造测试晶片的装置制造方法及图纸

一种用于将扁平的半导体晶片保持在位(在适当位置或正确位置)的装置，其包括至少两个承载板、被固定或能固定在承载板上的接收体以及在接收器侧具有抽吸端的穿透该接收器体的真空通道，其中该接收侧具有软材料的限定的抽吸结构，并且其中至少两个承载板每个在背离接收体的一侧上具有支撑装置，该支撑装置在每种情况下被紧固到与承载板共用的基板上，使得两个承载板之间的最小距离为至少1mm。

【技术实现步骤摘要】
用于制造测试晶片的装置
本技术的目的是一种用于切割半导体晶片的装置，其中所生产的半导体晶片从更大的半导体晶片中被切割出。
技术介绍
单晶半导体晶片(也称为晶片)是现代电子技术的基础。在所述半导体晶片上生产部件的过程中，进行热处理过程同时具有非常复杂的涂覆步骤。通常通过首先使用所谓的浮区法(FZ)或切克劳斯基工艺(Czochralskiprocess，CZ)拉动单晶棒来生产单晶半导体晶片，特别是硅半导体晶片。以这种方式生产的棒被分成晶体件，该晶体件通常在线锯或内孔锯中被加工成半导体晶片。在研磨、抛光和边缘处理之后，可以可选地通过CVD施加外延层。然后这些半导体晶片可用于进一步的部件处理。如果直到在部件处理中对半导体晶片进行热处理时才意识到该半导体晶片是不合适的，那么会产生相当大的成本，这取决于相应的制造的竖直范围。由于这个原因，需要在错误风险最小的装置处理中仅包括半导体晶片。为此目的，单个测试晶片通常从一块晶体上切下，并进行一个或多个测试，这些测试适合于评估相应的晶体件的适用性。由于这种用于风险评估的测试很可能包含多个实验，因此在许多情况下，必须使用晶体件的数个测试盘，以正确地评估风险。然而，每个测试晶片也意味着价值上的损失。这可能是相当大的，尤其是对于大晶片直径的情况。因此，期望能够在适合用于晶体件的风险评估的恰好一个测试晶片上进行多个测试。现在的任务是将半导体晶片切成较小的件，以便以合适的方式将其用于各种测试。常见的技术是机械地打断半导体晶片。但是，事实证明，由于以下数个原因，此方法是不合适的。尽管单晶半导体晶片在晶体给出的优选方向上断裂，但是产生了数量不可忽视的分裂体，并且断裂表面通常是不确定的且粗糙的，从而使得该半导体晶片不适合于测试。在断开之前用玻璃切割器划刻半导体晶片或用激光刻划半导体晶片会降低分裂的频率，但是断裂表面仍然不确定。在激光处理的情况下，由于在预切割期间需要高温，因此产生了额外的热预算。特殊测试，尤其是在哈尔(Hal)导体盘的边缘上的特殊测试，可能会伪造结果。在这两种情况下，也存在金属的额外的污染风险，这意味着可以伪造金属的测试。另一个基本的缺陷是，因而获得的碎片不能呈现对于进行大多数测试是有利的某些优选的形状(例如“圆形”)。通过从更大的半导体晶片钻出也可以获得由半导体材料制成的数个圆形的测试晶片。风险因素包括所用的钻头的污染的增加和断裂风险的增加。此外，只能钻出有限的形状(仅圆形)。在WO01/75966A1中描述了通过激光切割半导体材料。在WO01/75966A1中描述的方法具有缺点。激光切割伴随着温度的显著升高，这可能改变切割表面附近的半导体晶片的性能。另外，增加的热预算会导致杂质(例如金属)扩散到表面中，这可能不利于要进行的测试的有效性。如果根据现有技术将半导体材料放置在基板上，然后用激光切割，则会产生另外的问题，即激光束不可避免地切割或至少伤害基板。一方面，这导致额外的成本，因为必须更换基板，并且另一方面，存在额外的杂质源，这些杂质可能在升高的温度下扩散到半导体材料中，进而影响那里的测试的有效性。所描述的问题引起了本技术的任务。
技术实现思路
本技术的问题通过权利要求书中描述的装置解决。附图说明图1示出了用于固定扁平的半导体晶片的本技术的装置的俯视图。每个承载板(101)配备有数个接收器(102)。框架(103)围绕承载板，其与工作台(104)一起形成平坦表面。装置A和B各自示出了根据本技术的装置的一个特征。图2示出了用于固定扁平的半导体晶片的基于本技术的装置的另一特征的平面图。每个承载板(201)设置有数个接收器(202)。框架(203)围绕承载板，其与工作台(204)一起形成平坦表面。装置A和B示出了所专利技术的装置的其它特征。图3示出了所专利技术的装置的侧视图。这里301是支撑板，302是支撑体，303是支撑装置，并且304是基板。图4示出了所专利技术的装置的另一视图，其中401支撑板，402接收器体，403支撑元件，404基板，405工作台，并且406表示框架。框架、工作台和支撑板被布置成使得它们形成平坦表面。包括承载体、接收体、框架、支撑元件和基板的该装置构造使得它无需工具就可从工作台上卸下。具体实施方式根据本技术的装置的优选设计包括至少两个承载板，由此至少一个接收器可以被固定在每个承载板的一侧上。各个承载板优选地散置有一个或多个通道，目的是能够向接收体施加负压。接收器体的抽吸侧是与被保持的工件接触或者应该接触的一侧。接收器体的抽吸侧优选地由软材料(例如橡胶)制成。支撑板的背离抽吸盘的一侧被连接至支撑装置。该连接是以使得承载板的表面在接收体的一侧上形成平面这样的方式进行的。该连接可以例如通过焊接或粘接来进行。优选地，至少两个支撑装置被连接到基板，一个承载板优选地被附接到至少两个支撑装置中的每个。该连接可以通过焊接或粘接来进行。承载板的优选形状是圆形。但是，如果需要切割，也可以采用其它形状。由承载板的边缘之间的距离定义的两个承载板之间的距离的最小值特别优选的是大于0.5mm(毫米)，并且优选小于10mm，特别是大于1mm且小于2mm。专利技术人已经发现，该距离范围一方面特别适合于牢固地保持待加工的工件，另一方面特别适合于具有足够的空间使得水的动能可以很好地分布在工件的背离水射流的一侧上，并且不会对切割的工件造成任何损坏。如果要加工的工件包括半成品材料(例如硅(Si)，砷化镓(GaAs)或锗化硅(SiGe))和/或非常薄(小于1mm)，则工件可能在加工过程中破裂。因此，如上所述的设置承载板之间的距离特别重要。专利技术人已经发现支撑装置的长度为至少100mm。如果它小于100mm，则水射流的能量可能足以使被夹持的工件折断或在切割过程中使其移动，这两者都是不利的。具有用于支撑板的凹槽的框架特别优选被插入装置中，该框架通过一个或多个支撑元件被固定至基板，使得框架和所使用的支撑板的所有表面在抽吸元件的一侧上形成平面。框架还可以优选地配备有用于抽吸元件的安装体，以能够甚至更好地保持工件。为此目的，框架还配备了通道，其允许施加真空。整个装置优选地在没有工具的情况下被插入工作台的凹槽中，使得工作台的表面与框架和支撑板形成一个水平面。专利技术人已经发现用塑料制造整个装置是有利的。如果装置由金属合金制成，则存在金属(例如，铜(Cu)，镍(Ni)，铁(Fe))的可能的测量(例如，少数承载件的寿命测量)可能被不利地影响的风险。塑料包括以下材料：PVC(聚氯乙烯)，PE(聚乙烯)，PP(聚丙烯)或PEEK(聚醚醚酮)。专利技术人已经发现在切割半导体晶片时进行以下步骤是有利的：(1)将半导体晶片放置在该装置上<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于将扁平的半导体晶片保持就位的装置，包括：/n至少两个承载板，/n被固定或能固定在承载板上的接收体，以及/n穿透接收器体的真空通道，所述接收器体在接收器侧上具有抽吸端，/n其中，所述接收侧具有软材料的限定的抽吸结构，/n其特征在于，/n所述至少两个承载板中的每个在背离所述接收体的一侧上具有支撑装置，所述支撑装置被紧固到与所述承载板共用的基板上，使得在两个承载板之间的最小距离为至少1mm。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于将扁平的半导体晶片保持就位的装置，包括：
至少两个承载板，
被固定或能固定在承载板上的接收体，以及
穿透接收器体的真空通道，所述接收器体在接收器侧上具有抽吸端，
其中，所述接收侧具有软材料的限定的抽吸结构，
其特征在于，
所述至少两个承载板中的每个在背离所述接收体的一侧上具有支撑装置，所述支撑装置被紧固到与所述承载板共用的基板上，使得在两个承载板之间的最小距离为至少1mm。


2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
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【专利技术属性】
技术研发人员：S·埃伦施文特纳，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：新型
国别省市：德国;DE