一种碳化硅晶圆的研磨抛光装置与其制程方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及电子技术领域，尤其是一种碳化硅晶圆的研磨抛光装置与其制程方法，包括晶圆握持器、晶圆握持环、研磨台、研磨抛光垫和研磨浆液与去离子水供应控制装置，晶圆握持环安装在晶圆握持器上，研磨抛光垫安装在研磨台上，晶圆握持环与研磨抛光垫对应配合设置，研磨抛光垫包括有研磨区和抛光区，研磨抛光垫呈圆形设置，抛光区位于研磨抛光垫的中心处，研磨区环绕在抛光区的外部，研磨区与抛光区之间环绕设置有沟槽，研磨浆液与去离子水供应控制装置分别对应于研磨区和抛光区单独供应管路设置，晶圆握持器上设置有用于带动晶圆握持器移动的移动装置，本发明专利技术具备简化制程步骤实现提升产能、自动化，并提供优化质量、降低成本。

A grinding and polishing device for silicon carbide wafer and its manufacturing process

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶圆的研磨抛光装置与其制程方法
本专利技术涉及电子
，具体领域为一种碳化硅晶圆的研磨抛光装置与其制程方法。
技术介绍
众所习知，所述碳化硅(SiC)晶圆或基材与硅(Si)相比，无论应用在微波电路芯片或功率器件或传感器件的制造上，碳化硅晶圆或基材其产品在高温、大电流、高电压、高频率、较佳开关速度、节能、易操作性、集成小型化等优异的效能。碳化硅晶圆或基材与硅的加工工艺同样都由晶棒或铸锭的切片、使其剥切成片成需要的晶圆厚度与形状，经过研磨或磨削使其平坦(所述的“研磨”制程)、在经过精密研磨或抛光去除损伤表层或瑕疵缺陷(所述的“抛光”制程)等构成。本专利技术所述碳化硅晶圆或基材，于切片后的研磨抛光制程方法与装置，该制程方法于装置乃基于碳化硅晶圆制造所需的精密规格与提升良率的需求，从而降低晶圆缺陷率、达标平坦度等需求。另外，随着基板的大口径化与量产化的进展，由于碳化硅晶圆远比硅晶圆硬度高，且其化学特性对热效应稳定，因此研磨与抛光加工相对困难，研磨对基材移除力高但易造成表面细微刮伤与裂痕；化学机械抛光可以使晶圆表面平坦度佳但本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅晶圆的研磨抛光装置，其特征在于：包括晶圆握持器、晶圆握持环、研磨台、研磨抛光垫和研磨浆液与去离子水供应控制装置，所述晶圆握持环安装在晶圆握持器上，所述研磨抛光垫安装在研磨台上，晶圆握持环与研磨抛光垫对应配合设置，研磨抛光垫包括有研磨区和抛光区，研磨抛光垫呈圆形设置，抛光区位于研磨抛光垫的中心处，研磨区环绕在抛光区的外部，研磨区与抛光区之间环绕设置有沟槽，研磨浆液与去离子水供应控制装置分别对应于研磨区和抛光区单独供应管路设置，晶圆握持器上设置有用于带动晶圆握持器移动的移动装置，移动装置带动晶圆握持器位于研磨区或抛光区。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶圆的研磨抛光装置，其特征在于：包括晶圆握持器、晶圆握持环、研磨台、研磨抛光垫和研磨浆液与去离子水供应控制装置，所述晶圆握持环安装在晶圆握持器上，所述研磨抛光垫安装在研磨台上，晶圆握持环与研磨抛光垫对应配合设置，研磨抛光垫包括有研磨区和抛光区，研磨抛光垫呈圆形设置，抛光区位于研磨抛光垫的中心处，研磨区环绕在抛光区的外部，研磨区与抛光区之间环绕设置有沟槽，研磨浆液与去离子水供应控制装置分别对应于研磨区和抛光区单独供应管路设置，晶圆握持器上设置有用于带动晶圆握持器移动的移动装置，移动装置带动晶圆握持器位于研磨区或抛光区。


2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆的研磨抛光装置，其特征在于：所述的研磨区和抛光区在研磨抛光垫上均匀4等分设置，相邻研磨区之间和相邻抛光区之间分别设置有直线沟槽，直线沟槽与沟槽连通。


3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆的研磨抛光装置，其特征在于：所述的研磨区表面嵌镶有研磨磨砺。


4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆的研磨抛光装置，其特征在于：所述的研磨区由环氧树脂基材制成。


5.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆的研磨抛光装置，其特征在于：所述的抛光区由聚胺酯树脂发泡体基材制成。


6.一种碳化硅晶圆的研磨抛光制程方法，其特征在于：其步骤为：
(1)前工程为已经完成碳化硅晶圆剥切成片步骤，晶圆双面的表面会残留瑕疵与不平坦的情况；
(2)将碳化硅晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏晋苗，苏冠暐，
申请(专利权)人：北京芯之路企业管理中心有限合伙，
类型：发明
国别省市：北京;11