静电卡盘、支承台及等离子体处理装置制造方法及图纸

提供一种用于防止副产物的附着的静电卡盘、支承台及等离子体处理装置。提供一种用于对基板及边缘环进行支承的静电卡盘，包括：第一区域，具有第一上表面，并且被构成为对被放置在所述第一上表面上的基板进行保持；第二区域，具有第二上表面，以包围所述第一区域的方式在周向上延伸，并且被构成为对被放置在该第二上表面上的边缘环进行支承；电极，设置在所述第二区域；以及具有伸缩性的部件，其中，所述第一上表面和所述第二上表面沿着单一的平坦面延伸，在所述第一区域与所述第二区域之间提供将所述第一上表面与所述第二上表面彼此分离的空间，所述具有伸缩性的部件布置在所述边缘环的容纳在所述空间内的部分与所述静电卡盘之间。

【技术实现步骤摘要】
静电卡盘、支承台及等离子体处理装置
本公开涉及一种静电卡盘、支承台及等离子体处理装置。
技术介绍
在电子设备的制造中，将等离子体处理应用于基板。在等离子体处理中使用等离子体处理装置。等离子体处理装置包括腔室和支承台。支承台包括静电卡盘。基板在腔室内被放置在静电卡盘上，并由静电卡盘保持。为了提高等离子体处理的均匀性，将聚焦环以包围基板的边缘的方式装载在静电卡盘上。在专利文献1及专利文献2中记载了这种等离子体处理装置。在专利文献1所记载的等离子体处理装置中，静电卡盘具有中心部及外周部。基板放置在中心部上。中心部相对于外周部向上方突出。中心部的直径小于基板的直径。聚焦环装载在外周部上。聚焦环以包围基板的边缘的方式装载在外周部上。基板的边缘区域布置在聚焦环的内缘部分上。在专利文献2所记载的等离子体处理装置中，静电卡盘具有平坦的上表面。聚焦环装载在静电卡盘的上表面上。在由聚焦环所包围的区域内，基板被放置在静电卡盘的上表面上。基板的边缘与聚焦环彼此分开。因此，基板的边缘与聚焦环之间的间隙使静电卡盘露出。<现有技术文献><本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于对基板及边缘环进行支承的静电卡盘，包括：/n第一区域，具有第一上表面，并且被构成为对被放置在所述第一上表面上的基板进行保持；/n第二区域，具有第二上表面，以包围所述第一区域的方式在周向上延伸，并且被构成为对被放置在该第二上表面上的边缘环进行支承；/n电极，设置在所述第二区域；以及/n具有伸缩性的部件，/n其中，所述第一上表面和所述第二上表面沿着单一的平坦面延伸，/n在所述第一区域与所述第二区域之间提供将所述第一上表面与所述第二上表面彼此分离的空间，/n所述具有伸缩性的部件布置在所述边缘环的容纳在所述空间内的部分与所述静电卡盘之间。/n

【技术特征摘要】
20190605 JP 2019-1057041.一种用于对基板及边缘环进行支承的静电卡盘，包括：
第一区域，具有第一上表面，并且被构成为对被放置在所述第一上表面上的基板进行保持；
第二区域，具有第二上表面，以包围所述第一区域的方式在周向上延伸，并且被构成为对被放置在该第二上表面上的边缘环进行支承；
电极，设置在所述第二区域；以及
具有伸缩性的部件，
其中，所述第一上表面和所述第二上表面沿着单一的平坦面延伸，
在所述第一区域与所述第二区域之间提供将所述第一上表面与所述第二上表面彼此分离的空间，
所述具有伸缩性的部件布置在所述边缘环的容纳在所述空间内的部分与所述静电卡盘之间。


2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，
所述边缘环具有
具有环形形状的第一部分；以及
具有环形形状，并且与所述第一部分共同具有中心轴线的第二部分，
所述第二部分在所述第一部分上延伸，
所述第一部分的内径小于所述第二部分的内径，
所述第一部分的外径小于所述第二部分的外径，
所述边缘环的所述第二部分装载在所述静电卡盘的所述第二区域上，
所述边缘环的所述第一部分容纳在由所述静电卡盘提供的所述空间内。


3.根据权利要求2所述的静电卡盘，其中，
所述具有伸缩性的部件布置在所述第一区域的外侧端面与所述第一部分的内侧端面之间、和/或所述第一部分的下表面与所述静电卡盘的相对表面之间。


4.根据权利要求3所述的静电卡盘，其中，
所述静电卡盘还包括设置在所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域，
所述第三区域以使所述第一区域、所述第二区域、及所述第三区域一体化的方式与所述第一区域和所述第二区域连接，

【专利技术属性】
技术研发人员：高山将步，佐佐木康晴，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP