【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理系统和基板处理方法
本申请基于2018年4月27日向日本申请的日本特愿2018－87735号和2018年9月13日向日本申请的日本特愿2018－171253号主张优先权，并将它们内容引用到本说明书中。本公开涉及基板处理系统和基板处理方法。
技术介绍
在专利文献1中，公开有通过使在外周部设有磨粒的圆板状的磨削工具旋转并使磨削工具的至少外周面与半导体晶圆呈线状抵接而将半导体晶圆的周端部磨削成大致L字状的方案。半导体晶圆是通过将两张硅晶圆贴合而制成的。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平9－216152号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开所涉及的技术能适当地去除将基板彼此接合而成的层叠基板中的一个基板的周缘部。用于解决问题的方案本公开的一技术方案为一种基板处理系统，其对基板进行处理，其中，该基板处理系统具有：改性层形成装置，其沿着第1基板中的去除对象的周缘部与中央部之间的边界在该第1基板的内部形成改性层；界面处理装...
【技术保护点】
1.一种基板处理系统，其对基板进行处理，其中，/n该基板处理系统具有：/n改性层形成装置，其沿着第1基板中的去除对象的周缘部与中央部之间的边界在该第1基板的内部形成改性层；/n界面处理装置，其对所述第1基板与第2基板接合的界面的位于所述周缘部处的部分进行规定的处理；/n周缘去除装置，其将所述周缘部以所述改性层为基点去除；/n位置检测装置，其检测由所述改性层形成装置形成的所述改性层的位置或者所述界面的由所述界面处理装置处理后的位置；以及/n控制装置，其控制所述改性层形成装置和所述界面处理装置，/n在所述控制装置中，/n基于由所述位置检测装置检测出的所述改性层的位置，控制所述界...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180427 JP 2018-087735;20180913 JP 2018-1712531.一种基板处理系统，其对基板进行处理，其中，
该基板处理系统具有：
改性层形成装置，其沿着第1基板中的去除对象的周缘部与中央部之间的边界在该第1基板的内部形成改性层；
界面处理装置，其对所述第1基板与第2基板接合的界面的位于所述周缘部处的部分进行规定的处理；
周缘去除装置，其将所述周缘部以所述改性层为基点去除；
位置检测装置，其检测由所述改性层形成装置形成的所述改性层的位置或者所述界面的由所述界面处理装置处理后的位置；以及
控制装置，其控制所述改性层形成装置和所述界面处理装置，
在所述控制装置中，
基于由所述位置检测装置检测出的所述改性层的位置，控制所述界面的由所述界面处理装置处理的位置，
或者，基于由所述位置检测装置检测出的所述界面的位置，控制由所述改性层形成装置形成的所述改性层的位置。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
所述位置检测装置使用红外线检测由所述改性层形成装置形成的所述改性层的位置或者所述界面的由所述界面处理装置处理后的位置。
3.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
所述改性层形成装置在比由所述界面处理装置处理后的所述界面的端部所对应的位置靠径向内侧的位置形成所述改性层。
4.根据权利要求3所述的基板处理系统，其中，
所述改性层形成装置在自所述界面的端部所对应的位置向径向内侧去500μm以内的位置形成所述改性层。
5.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
所述界面处理装置使所述界面改性。
6.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
所述界面处理装置具有：
第1液体供给部，其用第1蚀刻液对形成于所述第2基板的表面的膜进行蚀刻；以及
第2液体供给部，其用第2蚀刻液对所述第2基板的表面的、所述膜已被蚀刻的部分进行蚀刻。
7.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
所述界面处理装置对形成于所述第1基板的表面的膜或者形成于所述第2基...
【专利技术属性】
技术研发人员：田之上隼斗，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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