一种硅基LED芯片的切割方法技术

本发明专利技术公开了一种硅基LED芯片的切割方法，对于硅基芯片，现在普遍用到得是刀轮切割，在使用刀轮切割时因硅材料很脆而且芯片正背面都会蒸镀比较厚的金属材料，这就使得其加工时刀片容易磨损易破碎，芯片会产生崩边(P面或N面)、崩角、毛刺等，严重影响芯片质量，降低良率；本发明专利技术中利用锯片机进行锯片切割，在P面切割出切割道后，隐形划片机直接沿着切割道进行激光切割，保证激光可以顺利穿透外延层，进入芯片内部并形成龟裂层，再利用裂片机施加外力裂片，不仅解决切割过程中的崩边(P面或N面)、崩角、毛刺等，还提高了芯片切割的效率，保证芯片良率；本发明专利技术的方法工艺合理，实用性强，具有很强市场应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基LED芯片的切割方法
本专利技术涉及LED芯片制备
，具体是一种硅基LED芯片的切割方法。
技术介绍
在LED芯片制备工艺中，切割就是将制好的整个芯片分割成符合所需尺寸的单一晶粒，这是半导体发光二极管芯片制造工艺中一道必不可少的工序。对于LED芯片，切割工艺目前有两种：锯片切割和激光切割；传统的也是业界采用最广泛的切割方式是锯片切割；锯片切割是用高速旋转的锯片刀按设定好的程式将芯片完全锯开成单一晶粒。锯片切割技术已经相当成熟，至今仍为砷化镓、硅、磷化镓基等芯片切割的主流技术。但此方式存在一个问题：有些半导体材料很脆，而且芯片正背面都会蒸镀比较厚的金属材料，这就使得其加工时容易破碎，锯片切割后，芯片周围边缘会产生崩边(P面或N面)、崩角、毛刺等，严重影响芯片质量，降低良率。激光切割是随着激光技术的发展而出现的一种新型的切割技术，主要有激光表切和隐切两种。它是用一定能量密度和波长的激光束聚焦在芯片表面或内部，通过激光在芯片表面或内部灼烧出划痕，然后再用裂片机沿划痕裂开.表层切割采用355nm或266nm本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基LED芯片的切割方法，其特征在于：包括以下步骤：/n1)准备芯片；/n2)锯片切割；/n3)隐形激光切割；/n4)裂片机劈裂；/n5)扩膜，使其分割成为一个个独立的晶粒；/n6)结束操作。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅基LED芯片的切割方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)准备芯片；
2)锯片切割；
3)隐形激光切割；
4)裂片机劈裂；
5)扩膜，使其分割成为一个个独立的晶粒；
6)结束操作。


2.根据权利要求1所述的一种硅基LED芯片的切割方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)准备芯片：取减薄的LED芯片，贴在白膜上；
2)锯片切割：取步骤1)贴上白膜的芯片，放入锯片机中，使锯片刀沿切割道锯片，沿芯片的垂直解理边和平行解理边切割，直至P面电极等距离分割；
3)隐形激光切割：取步骤2)锯片切割处理后的芯片，放入隐形划片机中，沿锯片机刀痕位置，利用隐形划片机将激光作用在芯片内部，焦点为芯片厚度的2/3进行切割，形成龟裂层；
4)裂片机劈裂：取步骤3)隐形激光切割处理后的芯片，揭下白膜，芯片转移至蓝膜上，贴一层保护膜，再放入裂片机中劈裂；
5)取步骤4)处理的芯片，放至扩膜机上预热后进行扩膜，使其分割成为一个个独立的晶粒；
6)结束操作。


3.根据权利要求2所述的一种硅基LED芯片的切割方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)准备芯片：取减薄的LED芯片，N面向下朝向白膜，P面向上，贴在白膜上，芯片与白膜之间无颗粒及肉眼可见气泡；
2)锯片切割：取步骤1)贴上白膜的芯片，放入锯片机中，使锯片刀沿切割道锯片，沿芯片的垂直解理边和平行解理边切割，直至P面电极等距离分割；所述切割深度为30-40um，切割后除去切割道内的金属；
3)隐形激光切割：取步骤2)锯片切割...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴金凤，李法健，任忠祥，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37