一种LED芯片的切割方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片的切割方法，本发明专利技术采用紫外激光背面划片做标记同时利用激光高温汽化去除背面金属，采用锯片刀P面全半切和N面全切的方法，使芯片分割成为一个个个独立的晶粒，相比现有工艺从P面直接切透或最终使用裂片机劈裂，既消除了锯片刀直接切割金属造成刀刃磨损产生崩边和使用裂片机的机械压力带来的斜裂、崩边等外观异常，同时从背面全切割能增大发光面积。此种方法是一种即能改善切割外观又能够增大LED发光面积提高亮度的切割方法。本发明专利技术工艺简单，参数设置合理，不仅能改善切割外观，提高芯片良率，同时又增大了LED发光面积，提高亮度，具有较好的实用性和工业推广性。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片的切割方法
本专利技术涉及LED芯片制备
，具体是一种LED芯片的切割方法。
技术介绍
在LED芯片制备工艺中，切割就是将经过光刻、镀膜、减薄等工艺制程后的整个芯片分割成所需求尺寸的单一晶粒的过程，这是半导体发光二极管芯片制备工艺中不可或缺的一道工序。对于LED芯片，比较传统的也是现业界采用最广泛的切割方式是锯片切割。锯片切割是用高速旋转(3-4r/min)的金刚刀按工艺需求设定好的程序将芯片完全锯开成单一的晶粒；常规的GaAs基LED芯片的切割方法是先用金刚刀将芯片进行微切(半切)，再用金刚刀沿半切刀痕进行全切断。但是锯片切割存在一个不可避免的问题：GaAs材料比较脆，而且芯片正背面会蒸镀比较厚的金属材料，使得芯片本身的应力较大，再加上切割时切割刀直接接触芯片，这就使得芯片加工时容易破碎，芯片周围边缘容易产生崩边、崩角、裂纹等，影响芯片外观质量，降低良率。激光切割是随着激光技术的发展而出现的一种新型的切割技术，主要有激光表面切割和隐形切割两种；激光切割是通过一定能量密度和波长的激光束聚焦在芯片表面或内部，通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片的切割方法，其特征在于：包括以下步骤：/n1)准备芯片；/n2)芯片P面半切；/n3)芯片N面激光划片；/n4)芯片N面全切；/n5)扩膜机扩膜，使其分割成为一个个独立的晶粒；/n6)结束操作。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的切割方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)准备芯片；
2)芯片P面半切；
3)芯片N面激光划片；
4)芯片N面全切；
5)扩膜机扩膜，使其分割成为一个个独立的晶粒；
6)结束操作。


2.根据权利要求1所述的一种LED芯片的切割方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)准备芯片：取研磨后的芯片，备用；
2)芯片P面半切：取步骤1)准备的芯片，放入锯片机，锯片机自动校准水平，分别沿水平解理边和垂直解理边进行半切，直至将P面电极等距离分割；
3)芯片N面激光划片：取步骤2)切割后的芯片，贴蓝膜；再将贴完膜的芯片放入紫外激光划片机，根据P面半切刀痕调整水平，划片切割；
4)芯片N面全切：取步骤3)激光划片后的芯片，放入锯片机中，N面上沿着激光划痕切割，切割深度与P面的半切深度重合；
5)再将芯片放在扩膜机上，预热，扩膜，使其分割成为一个个独立的晶粒；
6)结束操作。


3.根据权利要求2所述的一种LED芯片的切割方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)准备芯片：取研磨后的芯片，备用；
2)芯片P面半切：取步骤1)准备的芯片，P面朝上放入锯片机，锯片机自动校准水平，分别沿水平解理边和垂直解理边进行半切，直至将P面电极等距离分割；半切深度为芯片厚度的22％-25％；
3)芯片N面激光划片：取步骤2)切割后的芯片，P面朝向蓝膜，N面朝上，贴在蓝膜上；再将贴...

【专利技术属性】
技术研发人员：李法健，闫宝华，王成新，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37