一种增加边缘玻璃导流的晶圆新型PG工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种增加边缘玻璃导流的晶圆新型PG工艺，属于芯片加工领域。包括以下步骤：在晶圆片上形成光掩膜层，采用新型的掩膜版对光掩膜层曝光，所述掩膜版的图案由正常区域和辅助区域组成，正常区域为若干正常芯片大小的矩形组合，其辅助区域为在正常区域的边缘增加一圈辅助矩形，所述辅助矩形的长度与正常芯片大小相同，其宽度为正常芯片大小的1/3～2/3，再对曝光后的晶圆进行开沟形成沟道，对开沟后的晶圆依次进行正常的玻璃涂覆、曝光、显影；本发明专利技术在晶圆边缘形成了导流槽，确保后续玻璃涂覆中，晶圆片上的玻璃粉厚度一致，提高了芯片成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种增加边缘玻璃导流的晶圆新型PG工艺
本专利技术属于芯片加工领域，具体涉及一种增加边缘玻璃导流的晶圆新型PG工艺。
技术介绍
目前的半导体晶圆在PG工艺上的流程大概是涂PG（玻璃粉）、曝光、显影等流程，由于常规的MASK（光掩膜）设计是只有正常的芯片的设计，在PG涂布后，由于旋涂通过离心力的作用，玻璃粉会渐渐的向边缘移动，由于边缘没有导流槽，玻璃到边缘时，边缘的玻璃会越积越多，这样的晶圆，在显影后最外观的芯片，玻璃会相对其他区域的芯片的玻璃高度要高。这样会影响同批次的芯片的玻璃厚度一致性。而且厚度不一致，后续加工的MASK由于受力不均，碎片的几率增加很多。
技术实现思路
针对现有技术中缺陷与不足的问题，本专利技术提出了一种增加边缘玻璃导流的晶圆新型PG工艺，在晶圆边缘形成了导流槽，确保后续玻璃涂覆中，晶圆片上的玻璃粉厚度一致，提高了芯片成品率。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案为：一种增加边缘玻璃导流的晶圆新型PG工艺,包括如下步骤：步骤一：在晶圆片上形成光掩膜层；步骤二：采用新型的掩本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种增加边缘玻璃导流的晶圆新型PG工艺，其特征在于包括如下步骤：/n步骤一：在晶圆片上形成光掩膜层；/n步骤二：采用新型的掩膜版对光掩膜层曝光，所述掩膜版的图案由正常区域和辅助区域组成，正常区域为若干正常芯片大小的矩形组合，其辅助区域为在正常区域的边缘增加一圈辅助矩形，所述辅助矩形的长度与正常芯片大小相同，其宽度为正常芯片大小的1/3～2/3；/n步骤三：对曝光后的晶圆进行开沟形成沟道；/n步骤四：对开沟后的晶圆做玻璃涂覆；/n步骤五：对玻璃涂覆后的晶圆进行曝光、显影。/n

【技术特征摘要】
1.一种增加边缘玻璃导流的晶圆新型PG工艺，其特征在于包括如下步骤：
步骤一：在晶圆片上形成光掩膜层；
步骤二：采用新型的掩膜版对光掩膜层曝光，所述掩膜版的图案由正常区域和辅助区域组成，正常区域为若干正常芯片大小的矩形组合，其辅助区域为在正常区域的边缘增加一圈辅助矩形，所述辅助矩形的长度与正常芯片大小相同，其宽度为正常芯片大小的1/3～2/3；
步骤三：对曝光后的晶圆进行开沟形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪良恩，汪曦凌，杨庄生，李建利，
申请(专利权)人：安徽芯旭半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34