PG芯片光刻生产工艺制造技术

本发明专利技术提供一种PG芯片光刻生产工艺，涉及半导体器件加工技术领域。本发明专利技术中包括准备粘度为300～400mPa.S的光刻胶；在所述光刻胶中添加玻璃粉，并装入盛有陶瓷球的陶瓷罐中，通过滚动的方式，将玻璃粉碾碎混合均匀，获取玻璃浆；所述玻璃粉的质量为光刻胶质量的1～2倍；通过涂布机将所述玻璃浆均匀涂覆在硅片的表面，在通过曝光将光刻版的图案转移到所述硅片上；通过喷淋显影的方式将所述硅片中心多余的玻璃浆去除；上述玻璃浆配置，使粘度降低，改善玻璃浆在晶圆表面的流动性，更加均匀的覆盖，并且由于粘度降低在显影时可以降低喷淋压力和时间，减少或避免了有机溶液向玻璃粉中的渗透，在玻璃烧结后，玻璃在融化结晶过程中不会改变方向，避免空洞的产生。避免空洞的产生。避免空洞的产生。

【技术实现步骤摘要】
PG芯片光刻生产工艺


[0001]本专利技术涉及半导体器件加工
，具体涉及一种PG芯片光刻生产工艺。

技术介绍

[0002]二极管芯片加工过程中，PG工艺是比较普遍的生产工艺，其特点是利用光刻胶和玻璃粉的混合，通过曝光显影的方式，将不需要保留的玻璃浆去除，再通过烧结的方式挥发掉玻璃浆的有机溶剂，再重新结晶后成型，形成了芯片PN结周围的玻璃钝化层。这种工艺的优势在于通过旋转涂布的方式将玻璃浆涂覆在硅片表面，玻璃的厚度可以自由控制，而且各区域玻璃厚度均匀稳定。
[0003]为便于激光切割，目前常见的PG芯片由于沟槽底部有切割道，芯片在切割后，当环境湿度多大或者芯片电压过高时，测试容易打火，即瞬间电压过大，台面测试针容易和沟槽发生电弧现象，从而导致芯片烧毁而失效，为解决此问题，需要将沟槽增加隔离层，即沟槽涂满玻璃。
[0004]然而问题在于，当硅片涂满玻璃时，显影只能通过喷淋的方式进行，该种喷淋方式具有一定的压力，当台面无用的玻璃被去除时，沟槽的玻璃也会受到一定的影响，在玻璃烧结结晶后，会出现沟槽玻璃空洞等现象，从而失去了玻璃钝化能力。

技术实现思路

[0005](一)解决的技术问题
[0006]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种PG芯片光刻生产工艺，解决了玻璃烧结后沟槽玻璃出现空洞的技术问题。
[0007](二)技术方案
[0008]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：
[0009]一种PG芯片光刻生产工艺，包括：
[0010]S1、准备粘度为300～400mPa.S的光刻胶；
[0011]S2、在所述光刻胶中添加玻璃粉，并装入盛有陶瓷球的陶瓷罐中，通过滚动的方式，将玻璃粉碾碎混合均匀，获取玻璃浆；所述玻璃粉的质量为光刻胶质量的1～2倍；
[0012]S3、通过涂布机将所述玻璃浆均匀涂覆在硅片的表面，在通过曝光将光刻版的图案转移到所述硅片上；
[0013]S4、通过喷淋显影的方式将所述硅片中心多余的玻璃浆去除。
[0014]优选的，还包括：
[0015]S5、将喷淋显影后的硅片进行烧结，再通过结晶的方式降温结晶；
[0016]S6、将烧结结晶后的硅片通过依次通过光刻、去氧化、表面金属化、切割的方式，将该硅片最终作业到分割后的状态。
[0017]优选的，所述S1中的光刻胶具体通过高粘度光刻胶加二甲苯配置获取。
[0018]优选的，所述S4中：将喷头的压力设置为5～20Mpa；显影的时间控制在8～12s。
[0019]优选的，所述S1中的光刻胶粘度为300mPa.S；
[0020]优选的，所述S2中玻璃粉的质量为光刻胶质量的1倍；
[0021]优选的，所述S4中喷头的压力设置为5Mpa，显影的时间控制在8s。
[0022]优选的，所述S1中的光刻胶粘度为400mPa.S；
[0023]优选的，所述S2中玻璃粉的质量为光刻胶质量的2倍；
[0024]优选的，所述S4中喷头的压力设置为20Mpa，显影的时间控制在12s。
[0025]优选的，所述S1中的光刻胶粘度为350mPa.S；
[0026]优选的，所述S2中玻璃粉的质量为光刻胶质量的1.5倍；
[0027]优选的，所述S4中喷头的压力设置为12.5Mpa，显影的时间控制在10s。
[0028](三)有益效果
[0029]本专利技术提供了一种PG芯片光刻生产工艺。与现有技术相比，具备以下有益效果：
[0030]本专利技术中包括准备粘度为300～400mPa.S的光刻胶；在所述光刻胶中添加玻璃粉，并装入盛有陶瓷球的陶瓷罐中，通过滚动的方式，将玻璃粉碾碎混合均匀，获取玻璃浆；所述玻璃粉的质量为光刻胶质量的1～2倍；通过涂布机将所述玻璃浆均匀涂覆在硅片的表面，在通过曝光将光刻版的图案转移到所述硅片上；通过喷淋显影的方式将所述硅片中心多余的玻璃浆去除；上述公开的玻璃浆配置，可以让粘度降低，改善玻璃浆在晶圆表面的流动性，更加均匀的覆盖，并且由于粘度降低在显影时可以降低喷淋压力和时间，减少或避免了有机溶液向玻璃粉中的渗透，在玻璃烧结后，玻璃在融化结晶过程中就不会改变方向，避免空洞的产生。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0032]图1为本专利技术实施例提供的一种PG芯片光刻生产工艺的流程示意图；
[0033]图2为本专利技术实施例提供的另一种PG芯片光刻生产工艺的流程示意图。
具体实施方式
[0034]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0035]本申请实施例通过提供一种PG芯片光刻生产工艺，解决了玻璃烧结后沟槽玻璃出现空洞的技术问题。
[0036]本申请实施例中的技术方案为解决上述技术问题，总体思路如下：
[0037]本专利技术实施例中包括准备粘度为300～400mPa.S的光刻胶；在所述光刻胶中添加玻璃粉，并装入盛有陶瓷球的陶瓷罐中，通过滚动的方式，将玻璃粉碾碎混合均匀，获取玻璃浆；所述玻璃粉的质量为光刻胶质量的1～2倍；通过涂布机将所述玻璃浆均匀涂覆在硅
片的表面，在通过曝光将光刻版的图案转移到所述硅片上；通过喷淋显影的方式将所述硅片中心多余的玻璃浆去除；上述公开的玻璃浆配置，可以让粘度降低，改善玻璃浆在晶圆表面的流动性，更加均匀的覆盖，并且由于粘度降低在显影时可以降低喷淋压力和时间，减少或避免了有机溶液向玻璃粉中的渗透，在玻璃烧结后，玻璃在融化结晶过程中就不会改变方向，避免空洞的产生。
[0038]为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
[0039]如图1所示，本专利技术实施例提供了一种PG芯片光刻生产工艺，包括：
[0040]S1、准备粘度为300～400mPa.S的光刻胶。
[0041]所述光刻胶具体通过高粘度光刻胶加二甲苯配置获取。
[0042]S2、在所述光刻胶中添加玻璃粉，并装入盛有陶瓷球的陶瓷罐中，通过滚动的方式，将玻璃粉碾碎混合均匀，获取玻璃浆；所述玻璃粉的质量为光刻胶质量的1～2倍；
[0043]S3、通过涂布机将所述玻璃浆均匀涂覆在硅片的表面，在通过曝光将光刻版的图案转移到所述硅片上；
[0044]S4、通过喷淋显影的方式将所述硅片中心多余的玻璃浆去除。
[0045]需要注意的是，本步骤中将喷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PG芯片光刻生产工艺，其特征在于，包括：S1、准备粘度为300～400mPa.S的光刻胶；S2、在所述光刻胶中添加玻璃粉，并装入盛有陶瓷球的陶瓷罐中，通过滚动的方式，将玻璃粉碾碎混合均匀，获取玻璃浆；所述玻璃粉的质量为光刻胶质量的1～2倍；S3、通过涂布机将所述玻璃浆均匀涂覆在硅片的表面，在通过曝光将光刻版的图案转移到所述硅片上；S4、通过喷淋显影的方式将所述硅片中心多余的玻璃浆去除。2.如权利要求1所述的PG芯片光刻生产工艺，其特征在于，还包括：S5、将喷淋显影后的硅片进行烧结，再通过结晶的方式降温结晶；S6、将烧结结晶后的硅片通过依次通过光刻、去氧化、表面金属化、切割的方式，将该硅片最终作业到分割后的状态。3.如权利要求2所述的PG芯片光刻生产工艺，其特征在于，所述S1中的光刻胶具体通过高粘度光刻胶加二甲苯配置获取。4.如权利要求1～3任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪良恩，李建利，汪曦凌，
申请(专利权)人：安徽芯旭半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：