一种铌酸锂晶圆的减薄方法技术

本发明专利技术公开了一种铌酸锂晶圆的减薄方法，属于芯片封装技术领域。本发明专利技术的铌酸锂晶圆的减薄方法，包括以下步骤：提供一铌酸锂晶圆，在铌酸锂晶圆的背面贴第一划片胶膜，并沿铌酸锂晶圆正面的切割道进行预切割至预定深度；去除第一划片胶膜，在铌酸锂晶圆的正面贴磨片胶膜，磨片胶膜为双层胶膜；对铌酸锂晶圆的背面进行研磨至晶粒分离；在铌酸锂晶圆的背面贴第二划片胶膜，再去除磨片胶膜。本发明专利技术实现了铌酸锂晶圆的研磨前切割工艺，避免了现有技术中铌酸锂晶圆在磨切加工时易出现脆性破坏、亚表面损伤层深和切割正背面崩裂大等损伤的现象，且芯片正背面崩裂均可以控制在10um以内，有利于保证铌酸锂芯片封装产品的品质。

【技术实现步骤摘要】
一种铌酸锂晶圆的减薄方法
本专利技术涉及芯片封装
，尤其涉及一种铌酸锂晶圆的减薄方法。
技术介绍
随着电子元件的小型化、轻量化及多功能化的需求日渐增加，集成电路对芯片的超薄化要求越来越高，微机电系统、图像传感器、、叠层芯片、多芯片封装等都会应用厚度小于50μm的超薄芯片。随着集成电路芯片不断向高密度、轻薄的方向发展，为了满足芯片的上述要求，在芯片封装时需要对晶圆背面减薄及切割。铌酸锂(LiNbO3)晶体由于其优良的压电、电光及非线性光学性能，在光存储、光波导、光通信技术中得到广泛应用，是很多集成光电器件的理想衬底材料，例如电光调制器、电光开关和偏振控制器等。目前铌酸锂晶圆均采用研磨后切割工艺封装，这是因为铌酸锂晶体硬度低、脆性大，来料及加工厚度均较薄，并且具有强各向异性等特点，导致在现有的研磨及切割过程中易出现脆性破坏、亚表面损伤层深和切割正背面崩裂大等损伤异常现象，加工效率低，而采用常规的研磨前切割方法又无法满足芯片的封装要求。有鉴于此，有必要提出一种适合于铌酸锂晶圆的研磨前切割工艺方法，以解决上述技术问题。...

【技术保护点】
1.一种铌酸锂晶圆的减薄法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一铌酸锂晶圆，在所述铌酸锂晶圆的背面贴第一划片胶膜，并沿所述铌酸锂晶圆正面的切割道进行预切割至预定深度；/n去除所述第一划片胶膜，在所述铌酸锂晶圆的正面贴磨片胶膜，所述磨片胶膜为双层胶膜；/n对所述铌酸锂晶圆的背面进行研磨至晶粒分离；/n在所述铌酸锂晶圆的背面贴第二划片胶膜，再去除所述磨片胶膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种铌酸锂晶圆的减薄法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一铌酸锂晶圆，在所述铌酸锂晶圆的背面贴第一划片胶膜，并沿所述铌酸锂晶圆正面的切割道进行预切割至预定深度；
去除所述第一划片胶膜，在所述铌酸锂晶圆的正面贴磨片胶膜，所述磨片胶膜为双层胶膜；
对所述铌酸锂晶圆的背面进行研磨至晶粒分离；
在所述铌酸锂晶圆的背面贴第二划片胶膜，再去除所述磨片胶膜。


2.根据权利要求1所述的铌酸锂晶圆的减薄方法，其特征在于，在提供一铌酸锂晶圆，在所述铌酸锂晶圆的背面贴第一划片胶膜，并沿所述铌酸锂晶圆正面的切割道进行预切割至预定深度的步骤中，所述划片胶膜具有软质基材，所述划片胶膜的型号为琳得科Lintec公司的V-8AR胶膜。


3.根据权利要求1所述的铌酸锂晶圆的减薄方法，其特征在于，在提供一铌酸锂晶圆，在所述铌酸锂晶圆的背面贴第一划片胶膜，并沿所述铌酸锂晶圆正面的切割道进行预切割至预定深度的步骤中，所述预定深度根据铌酸锂晶圆的目标厚度确定，所述预定深度大于铌酸锂晶圆的目标厚度。


4.根据权利要求1所述的铌酸锂晶圆的减薄方法，其特征在于，在提供一铌酸锂晶圆，在所述铌酸锂晶圆的背面贴第一划片胶膜，并沿所述铌酸锂晶圆正面的切割道进行预切割至预定深度的步骤中，预切割采用粒度3000#的研磨轮，转速为30000rpm，进给速度为20±0.5mm/s。


5.根据权利要求1所述的铌酸锂晶圆的减薄方法，其特征在于，在去除所述减薄胶膜，在去除所述第一划片胶膜，在所述铌酸锂晶圆的正面贴磨片胶膜，所述磨片胶膜为双层胶膜的步骤中，所述双层胶膜包括琳得科Lint...

【专利技术属性】
技术研发人员：何肇阳，赵亚东，罗立辉，钟志明，汪洋，陈楚杰，
申请(专利权)人：宁波芯健半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33