一种三维存储器的制造方法技术

本申请实施例公开了一种三维存储器的制造方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构上形成有第一沟道孔；在所述第一沟道孔内填充第一半导体层；对所述第一半导体层进行刻蚀；以在所述第一半导体层内形成具有倾斜侧壁的沟槽，所述沟槽的顶部开口尺寸大于底部开口尺寸；在所述沟槽内填充第二半导体层；其中，所述第一半导体层为未掺杂半导体层，所述第二半导体层为掺杂半导体层。

【技术实现步骤摘要】
一种三维存储器的制造方法
本申请实施例涉及半导体制造领域，特别涉及一种三维存储器的制造方法。
技术介绍
在3DNAND器件的制造过程中，在形成上层堆叠结构前，需要在下层堆叠结构的沟道孔内填充牺牲层以避免上层堆叠结构塌陷。然而由于沟道孔侧壁轮廓和牺牲层的材料等因素的影响，牺牲层的填充过程中容易出现空隙等问题。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种三维存储器的制造方法。为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：第一方面，本申请实施例提供一种三维存储器的制造方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构上形成有第一沟道孔；在所述第一沟道孔内填充第一半导体层；对所述第一半导体层进行刻蚀；以在所述第一半导体层内形成具有倾斜侧壁的沟槽，所述沟槽的顶部开口尺寸大于底部开口尺寸；在所述沟槽内填充第二半导体层；其中，所述第一半导体层为未掺杂半导体层，所述第二半导体层为掺杂半导体层。在一种可选的实施方式中，所述第一半导体层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供半导体结构，所述半导体结构上形成有第一沟道孔；/n在所述第一沟道孔内填充第一半导体层；/n对所述第一半导体层进行刻蚀；以在所述第一半导体层内形成具有倾斜侧壁的沟槽，所述沟槽的顶部开口尺寸大于底部开口尺寸；/n在所述沟槽内填充第二半导体层；/n其中，所述第一半导体层为未掺杂半导体层，所述第二半导体层为掺杂半导体层。/n

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体结构，所述半导体结构上形成有第一沟道孔；
在所述第一沟道孔内填充第一半导体层；
对所述第一半导体层进行刻蚀；以在所述第一半导体层内形成具有倾斜侧壁的沟槽，所述沟槽的顶部开口尺寸大于底部开口尺寸；
在所述沟槽内填充第二半导体层；
其中，所述第一半导体层为未掺杂半导体层，所述第二半导体层为掺杂半导体层。


2.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，
所述第一半导体层的表面粗糙度低于所述第二半导体层的表面粗糙度。


3.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，
所述第一半导体层为未掺杂非晶硅层；
所述第二半导体层为掺杂非晶硅层。


4.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述填充第一半导体层在第一反应室内执行；所述对所述第一半导体层进行刻蚀，包括：
在所述第一反应室内，通入刻蚀气体对所述第一半导体层进行原位刻蚀。


5.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，在对所述第一半导体层进行刻蚀的步骤中采用的刻蚀气体包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：李拓，蒲浩，李磊，宋文博，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42