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本申请实施例公开了一种三维存储器的制造方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构上形成有第一沟道孔；在所述第一沟道孔内填充第一半导体层；对所述第一半导体层进行刻蚀；以在所述第一半导体层内形成具有倾斜侧壁的沟槽，所述沟槽的顶部开口尺寸...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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