一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法，其包括以下步骤：步骤1、根据所需尺寸及形状裁切碳化硅晶圆，并对碳化硅晶圆表面进行清洁处理；步骤2、在碳化硅晶圆上外延生长阻隔层；步骤3、对碳化硅晶圆进行图形化光刻处理，并在碳化硅晶圆上形成阻隔区域和开放区域，其中，开放区域没有阻隔层；步骤4、采用化学沉积横向外延过生长方法在碳化硅晶圆上生长碳化硅外延层，即可形成高质量籽晶。本发明专利技术制备方法成本低，且制备出的籽晶质量高。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种氮化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法。
技术介绍
对于电子器件、电力器件、机械零部件而言，材料是一个非常重要的参数，会影响与决定其元器零件的终性能。SiC是一种宽带间隙半导体，宽带间隙由2.2到3.3eV。传统上，SiC晶体因其优越的物理和化学特性一直当作为未来半导体材料进行研究和开发。近年来，SiC作为短波长光学器件，（从蓝色到紫外线）、高压、大功率、高频电子器件的材料备受关注，并积极开展其相关研发工作。SiC晶体具有制备方法，其中，物理气相输运法（PVT）具有能够生产高产优质碳化硅的优势，现已得到广泛应用。物理气相输运法是一种通过粘合材料将籽晶连接到籽晶托盘底座的方法，并从托盘底座上的籽晶生长碳化硅晶锭。该方法生长出的SiC晶体存在的缺陷有两个发生源，一是由现有籽晶中原本就存在的缺陷产生，二是生长过程初始阶段产生的缺陷。可见，籽晶的质量直接影响了制备出的SiC晶体的质量。为了尽量减少籽晶自身的缺陷，许多研究正在使用重复生长的高质量籽晶。然本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/n步骤1、根据所需尺寸及形状裁切碳化硅晶圆，并对碳化硅晶圆表面进行清洁处理；/n步骤2、在碳化硅晶圆上外延生长阻隔层；/n步骤3、对碳化硅晶圆进行图形化光刻处理，并在碳化硅晶圆上形成阻隔区域和开放区域，其中，开放区域没有阻隔层；/n步骤4、采用化学沉积横向外延过生长方法在碳化硅晶圆上生长碳化硅外延层，即可形成高质量籽晶。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1、根据所需尺寸及形状裁切碳化硅晶圆，并对碳化硅晶圆表面进行清洁处理；
步骤2、在碳化硅晶圆上外延生长阻隔层；
步骤3、对碳化硅晶圆进行图形化光刻处理，并在碳化硅晶圆上形成阻隔区域和开放区域，其中，开放区域没有阻隔层；
步骤4、采用化学沉积横向外延过生长方法在碳化硅晶圆上生长碳化硅外延层，即可形成高质量籽晶。


2.根据权利要求1所述的一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法，其特征在于：所述步骤1中，采用RCA工艺对碳化硅晶圆表面进行清洁处理。


3.根据权利要求1所述的一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法，其特征在于：所述步骤2中，采用MOCVD方法进行阻隔层的生长。


4.根据权利要求1所述的一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法，其特征在于：所述阻隔层的材料为二氧化硅、氮化硅或氮化铝。


5.根据权利要求1所述的一种碳化硅PVT长...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东键，叶宏伦，钟健，张本义，姜政余，
申请(专利权)人：璨隆科技发展有限公司，阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司，新疆璨科半导体材料制造有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32