【技术实现步骤摘要】
研磨后清洗方法以及半导体结构的形成方法
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种研磨后清洗方法以及半导体结构的形成方法。
技术介绍
在集成电路(IC)芯片的制备过程中，需要经常对用于制造IC的半导体晶圆(wafer)进行晶圆清洗过程。晶圆清洗的目的是为了去除粘附于晶圆表面上的有机残留物(Residue)、金属杂质或微粒(Particle)等污染物(Contamination)。金属杂质的污染会造成PN结界面的漏电、栅极氧化层的击穿电压降低等现象；微粒的附着则会影响光刻工艺图案转移的真实性，甚至会造成电路结构的短路。因此，晶圆清洗直接影响集成电路制备的成品率，业界一直追寻最有效的去除有机残留物、金属杂质或微粒等污染物的清洗方法。在集成电路的制造过程中，通常包括采用化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)工艺进行平坦化处理的步骤。然而，在化学机械研磨工艺的过程中，研磨颗粒及研磨副产物容易吸附在晶圆表面形成污染物颗粒，所述污染物颗粒容易在后续工艺制程中造成缺陷(Defect)。...
【技术保护点】
1.一种研磨后清洗方法，适于对研磨处理后的晶圆进行清洗，清除晶圆表面的污染物颗粒，其特征在于，包括：/n对所述晶圆执行第一清洗制程，所述第一清洗制程包括第一子清洗制程，所述第一子清洗制程的步骤包括：采用兆声波去离子水和第一化学清洗剂进行第一冲洗处理；其中，所述第一化学清洗剂适于增大污染物颗粒的亲水性以及污染物颗粒与晶圆表面的电性排斥力；/n执行所述第一清洗制程后，对所述晶圆进行干燥处理。/n
【技术特征摘要】
1.一种研磨后清洗方法，适于对研磨处理后的晶圆进行清洗，清除晶圆表面的污染物颗粒，其特征在于，包括：
对所述晶圆执行第一清洗制程，所述第一清洗制程包括第一子清洗制程，所述第一子清洗制程的步骤包括：采用兆声波去离子水和第一化学清洗剂进行第一冲洗处理；其中，所述第一化学清洗剂适于增大污染物颗粒的亲水性以及污染物颗粒与晶圆表面的电性排斥力；
执行所述第一清洗制程后，对所述晶圆进行干燥处理。
2.如权利要求1所述的研磨后清洗方法，其特征在于，所述第一清洗制程还包括在所述第一子清洗制程之后的第二子清洗制程，所述第二子清洗制程的步骤包括：采用去离子水和第二化学清洗剂进行第二冲洗处理；
其中，所述第二化学清洗剂与第一化学清洗剂的成分相同，且所述第二化学清洗剂的质量百分比浓度小于所述第一化学清洗剂的质量百分比浓度。
3.如权利要求1所述的研磨后清洗方法，其特征在于，所述第一化学清洗剂的质量百分比浓度至少为5％。
4.如权利要求1所述的研磨后清洗方法，其特征在于，所述第一化学清洗剂的质量百分比浓度为5％至30％。
5.如权利要求2所述的研磨后清洗方法，其特征在于，所述第二化学清洗剂的质量百分比浓度是所述第一化学清洗剂的质量百分比浓度的5％至20％。
6.如权利要求1所述的研磨后清洗方法，其特征在于，在所述第一子清洗制程的步骤中，所述第一冲洗处理的处理时间为5秒至20秒。
7.如权利要求2所述的研磨后清洗方法，其特征在于，在所述第二子清洗制程的步骤中，所述第二冲洗处理的处理时间为5秒至20秒。
8.如权利要求1所述的研磨后清洗方法，其特征在于，在所述第一子清洗制程的步骤中，所述兆声波去离子水的兆声波功率至少为40瓦。
9.如权利要求1所述的研磨后清洗方法，其特征在于，在所述第一子清洗制程的步骤中，所述兆声波去离子水的兆声波功率为40瓦至200瓦。
10.如权利要求1所述的研磨后清洗方法，其特征在于，所述第一子清洗制程的步骤还包括：进行所述第一冲洗处理后，采用去离子水和所述第一化学清洗剂进行第一刷洗处理。
11.如权利要求10所述的研磨后清洗方法，其特征在于，所述第一子清洗制程的步骤还包括：进行所述第一刷洗处理后，采用去离子水进行第二刷洗处理。
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【专利技术属性】
技术研发人员：章毅，徐志贤，林先军，蒋莉，金懿，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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