衬底结构及包含其半导体结构的制造方法技术

本发明专利技术提供一种衬底结构及包含其半导体结构的制造方法。其中，衬底结构包含衬底、弯曲度调节层以及硅层。弯曲度调节层位于衬底的上表面上。硅层位于弯曲度调节层上。衬底结构具有总弯曲度值，此总弯曲度值位于‑20微米至‑40微米的范围内。

【技术实现步骤摘要】
衬底结构及包含其半导体结构的制造方法
本
技术实现思路
是有关于半导体制造技术，且特别是有关于用于成长氮化镓半导体材料的衬底结构及包含其半导体结构的制造方法。
技术介绍
氮化镓(GaN-based)半导体材料具有许多优秀的材料特性，例如高抗热性、宽能隙(band-gap)、与高电子饱和速率。因此，氮化镓半导体材料适合应用于高速与高温的操作环境。近年来，氮化镓半导体材料已广泛地应用于发光二极管(lightemittingdiode，LED)器件、高频率器件，例如具有异质界面结构的高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor，HEMT)。随着氮化镓半导体材料的发展，这些使用氮化镓半导体材料的半导体结构应用于更严苛的工作环境中，例如更高频、更高温或更高电压的工作环境。因此，具有氮化镓半导体材料的半导体结构的工艺条件也面临许多新的挑战。
技术实现思路
本
技术实现思路
的一些实施例提供衬底结构，此衬底结构包含衬底、弯曲度(bow)调节层以及硅层。弯曲度调节层位于衬底的上表面上。硅层位于弯曲度调节层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种衬底结构，其特征在于，所述衬底结构包括：/n一衬底；/n一弯曲度调节层，位于所述衬底的一上表面上；以及/n一硅层，位于所述弯曲度调节层上，其中所述衬底结构具有一总弯曲度值，所述总弯曲度值位于-20微米至-40微米的范围内。/n

【技术特征摘要】
1.一种衬底结构，其特征在于，所述衬底结构包括：
一衬底；
一弯曲度调节层，位于所述衬底的一上表面上；以及
一硅层，位于所述弯曲度调节层上，其中所述衬底结构具有一总弯曲度值，所述总弯曲度值位于-20微米至-40微米的范围内。


2.根据权利要求1所述的衬底结构，其特征在于，还包括：
一缓冲层，位于所述硅层上，所述缓冲层包括氮化铝、氮化镓、氮化镓铝、或其任意组合，且所述缓冲层的厚度为0.2微米至0.5微米。


3.根据权利要求1所述的衬底结构，其特征在于，所述衬底为氮化铝衬底。


4.根据权利要求1所述的衬底结构，其特征在于，所述衬底更具有相对于所述上表面的一下表面，且所述下表面上具有一标记。


5.根据权利要求1所述的衬底结构，其特征在于，所述弯曲度调节层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、或其任意组合。


6.根据权利要求1所述的衬底结构，其特征在于，所述衬底结构的直径为6英寸至8英寸。


7.根据权利要求1所述的衬底结构，其特征在于，所述衬底的厚度为750毫米至1000毫米，所述弯曲度调节层的厚度为0.3微米至2.5微米，所述硅层的厚度为0.1微米至0.6微米。


8.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
形成一衬底结构，包括：
提供一衬底；及
在所述衬底的一上表面上形成一弯曲度调节层，以将所述衬底结构的一总弯曲度值调节成为小于50微米；以及
在所述衬底结构之上形成一氮化镓半导体层。


9.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述衬底的所述上表面上形成所述弯曲度调节层，以将所述衬底结构的所述总弯曲度值调节成为-20微米至-40微米。


10.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述衬底结构的所述总弯曲度值等于所述衬底的一弯曲度值与所述弯曲度调节层的一弯曲度值的总和。


11.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述衬底结构还包括：
在所述弯曲度调节层上形成一硅层，其中所述衬底结构的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林永丰，周政道，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71