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本发明提供一种衬底结构及包含其半导体结构的制造方法。其中，衬底结构包含衬底、弯曲度调节层以及硅层。弯曲度调节层位于衬底的上表面上。硅层位于弯曲度调节层上。衬底结构具有总弯曲度值，此总弯曲度值位于‑20微米至‑40微米的范围内。...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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