吹扫方法及结构、沉积工艺及进气系统技术方案

本发明专利技术提供的吹扫方法及结构、沉积工艺及进气系统，用于化学气相沉积工艺中，其中基片承载在卡盘上，在进行化学气相沉积工艺的过程中，向基片的边缘输送吹扫气体和工艺气体。由于向基片的边缘通入吹扫气体和工艺气体，其中的工艺气体与通入腔室中的工艺气体反应，促进基片边缘的反应的持续进行，以补充基片边缘的生成物，从而调节基片的边缘的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
吹扫方法及结构、沉积工艺及进气系统
本专利技术属于半导体制造
，具体涉及一种吹扫方法及结构、沉积工艺及进气系统。
技术介绍
在集成电路(IC)制造工艺过程中，特别是化学气相沉积(CVD)工艺中，为了固定、支撑及传送晶片并实现温度控制，并避免在工艺过程中出现移动或错位现象，通常使用真空卡盘(VacuumChuck)。图1为现有技术中真空卡盘的结构示意图。如图1所示，真空卡盘301用于承载基片401，腔室101与内衬102、真空卡盘301共同构成工艺环境。在进行工艺前，进气口204会通入Ar或N2，使腔室内保持工艺压力，同时开启背吹管路，使工艺压力大于背吹压力，从而使基片401稳定在真空卡盘301上。为防止工艺过程中，生成物附着在基片401的侧面或背面，边缘吹扫管路303还需要通入Ar或N2，以将生成物吹走。但是，在上述真空卡盘的结构中，不可避免的会产生如下问题：其一，边缘吹扫气体会影响基片边缘的气体均匀性；其二，因为反应气体从四周抽离，无法实现对沉积区域的特殊要求，如在区域内不能沉积或刻蚀；其三，若需要调节边缘均匀性，只能通过更换边缘吹扫组件或者运气结构实现，但边缘吹扫组件或者运气结构的研发周期长，耗时耗力。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种吹扫方法及结构、沉积工艺及进气系统，以解决现有技术中基片边缘的气体均匀性的问题。作为本专利技术的一方面，本专利技术提供了一种吹扫方法，用于化学气相沉积工艺中，其中基片承载在卡盘上；其中，所述吹扫方法包括：在进行所述化学气相沉积工艺过程中，向所述基片的边缘输送吹扫气体和工艺气体。进一步地，所述在进行所述化学气相沉积工艺过程中，向所述基片的边缘输送吹扫气体和工艺气体的步骤，进一步包括：第一吹扫阶段，向所述基片的边缘输送所述吹扫气体；第二吹扫阶段，向所述基片的边缘输送吹扫气体与工艺气体的混合气体。进一步地，在所述混合气体中，所述吹扫气体与工艺气体的流量比例的取值范围在10:1～100:1。进一步地，所述工艺气体的流量的取值范围在1sccm～20sccm。进一步地，所述吹扫气体包括惰性气体；所述工艺气体包括抑制反应的气体或者促进反应的气体。作为本专利技术的另一方面，本专利技术提供了一种工艺方法，其包括：向反应腔室中通入第一工艺气体，同时采用本专利技术提供的吹扫方法向基片的边缘输送吹扫气体和第二工艺气体。进一步地，所述第一工艺气体包括卤化物气体和碱性气体；所述第二工艺气体包括卤化物气体。作为本专利技术的再一方面，本专利技术提供了一种吹扫结构，用于向置于卡盘上的基片边缘输送气体，其中，所述吹扫结构包括混合管路、第一进气管路、第二进气管路、第一气源和第二气源，其中，所述混合管路的出气端设置在基片的边缘处，用于向基片的边缘提供吹扫气体和工艺气体；所述第一进气管路的出气端和进气端分别与所述混合管路的进气端和所述第一气源连接；所述第二进气管路的出气端和进气端分别与所述混合管路的进气端和所述第二气源连接；所述第一气源用于提供所述吹扫气体；所述第二气源用于提供所述工艺气体。进一步地，在所述第一进气管路上设置有第一通断阀和第一流量控制阀；在所述第二进气管路上设置有第二通断阀和第二流量控制阀。作为本专利技术的又一方面，本专利技术还提供了一种进气系统，包括进气结构和吹扫结构，所述进气结构用于向反应腔室内通入第一工艺气体；其中，所述吹扫结构采用本专利技术提供的吹扫结构，用于向基片的边缘输送吹扫气体和第二工艺气体。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的吹扫方法，用于化学气相沉积工艺中，其中基片承载在卡盘上，在进行化学气相沉积工艺的过程中，向基片的边缘输送吹扫气体和工艺气体。由于向基片的边缘通入吹扫气体和工艺气体，其中的工艺气体与通入腔室中的工艺气体反应，促进基片边缘的反应的持续进行，以补充基片边缘的生成物，调节基片的边缘的均匀性。本专利技术提供的工艺方法，向反应腔室中通入第一工艺气体，同时采用本专利技术提供的吹扫方法，向基片的边缘输送吹扫气体和第二工艺气体，第一工艺气体与自边缘输送的第二工艺气体在基片的边缘反应，促进基片边缘的反应的持续进行，以补充基片边缘的生成物，调节基片的边缘的均匀性。本专利技术提供的吹扫结构，用于向置于卡盘上的基片边缘输送气体，吹扫结构包括混合管路、第一进气管路、第二进气管路、第一气源和第二气源，其中，混合管路的出气端设置在基片的边缘处，用于向基片的边缘提供吹扫气体和工艺气体；第一进气管路的出气端和进气端分别与混合管路的进气端和第一气源连接；第二进气管路的出气端和进气端分别与混合管路的进气端和第二气源连接；第一气源用于提供吹扫气体；第二气源用于提供工艺气体。通过本专利技术提供的吹扫结构，能够向基片的边缘输送工艺气体，该工艺气体与通入腔室中的工艺气体反应，促进基片边缘的反应的持续进行，以补充基片边缘的生成物，调节基片的边缘的均匀性。本专利技术提供的进气系统，包括进气结构和吹扫结构，进气结构用于向反应腔室内通入第一工艺气体，吹扫结构采用本专利技术提供的吹扫结构，用于向基片的边缘输送吹扫气体和第二工艺气体。通过使用本专利技术提供的进气结构，第一工艺气体与自边缘输送的第二工艺气体在基片的边缘反应，促进基片边缘的反应的持续进行，以补充基片边缘的生成物，调节基片的边缘的均匀性。附图说明图1为现有技术中真空卡盘的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的吹扫结构的结构示意图。其中，1-混合管路；2-第一进气管路；21-第一通断阀；22第一流量控制阀；3-第二进气管路；31-第二通断阀；32-第二流量控制阀；4-第一气源；5-第二气源；6-基片；7-卡盘；101-腔室；102-内衬；204-进气口；301-真空卡盘；303-边缘吹扫管路；401-基片。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的吹扫方法及结构、沉积工艺及进气系统进行详细描述。作为本专利技术的一方面，本专利技术实施例提供了一种吹扫方法，用于化学气相沉积工艺中，其中，基片承载在卡盘上，该吹扫方法包括：在进行化学气相沉积工艺过程中，向基片的边缘输送吹扫气体和工艺气体。由于向基片的边缘通入吹扫气体和工艺气体，其中的工艺气体与通入腔室中的工艺气体反应，促进基片边缘的反应的持续进行，以补充基片边缘的生成物，调节基片的边缘的均匀性。并且，本专利技术通过调节边缘吹扫气体的种类和比例来实现均匀性的调节，从而避免更换硬件。其中，在进行化学气相沉积工艺的过程中，向基片的边缘输送吹扫气体和工艺气体的步骤，进一步包括：第一吹扫阶段，向基片的边缘输送吹扫气体；第二吹扫阶段，向基片的边缘输送吹扫气体与工艺气体的混合气体。需要说明的是，以沉积工艺为例，第一吹扫阶段的作用是为了将工艺气体从基片的边缘带走，促进反应的持续进行，提高效率，从本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种吹扫方法，用于化学气相沉积工艺中，其中基片承载在卡盘上；其特征在于，所述吹扫方法包括：/n在进行所述化学气相沉积工艺过程中，向所述基片的边缘输送吹扫气体和工艺气体。/n

【技术特征摘要】
1.一种吹扫方法，用于化学气相沉积工艺中，其中基片承载在卡盘上；其特征在于，所述吹扫方法包括：
在进行所述化学气相沉积工艺过程中，向所述基片的边缘输送吹扫气体和工艺气体。


2.根据权利要求1所述的吹扫方法，其特征在于，所述在进行所述化学气相沉积工艺过程中，向所述基片的边缘输送吹扫气体和工艺气体的步骤，进一步包括：
第一吹扫阶段，向所述基片的边缘输送所述吹扫气体；
第二吹扫阶段，向所述基片的边缘输送吹扫气体与工艺气体的混合气体。


3.根据权利要求2所述的吹扫方法，其特征在于，在所述混合气体中，所述吹扫气体与工艺气体的流量比例的取值范围在10:1～100:1。


4.根据权利要求3所述的吹扫方法，其特征在于，所述工艺气体的流量的取值范围在1sccm～20sccm。


5.根据权利要求1或2所述的吹扫方法，其特征在于，所述吹扫气体包括惰性气体；所述工艺气体包括抑制反应的气体或者促进反应的气体。


6.一种工艺方法，其特征在于，包括：
向反应腔室中通入第一工艺气体，同时采用权利要求1-5任意一项所述的吹扫方法向基片的边缘输送吹扫气体和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张军，郑波，马振国，张少雷，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11