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一种研磨后清洗方法以及半导体结构的形成方法,所述研磨后清洗方法适于对研磨处理后的晶圆进行清洗,清除晶圆表面的污染物颗粒,所述研磨后清洗方法包括:对所述晶圆执行第一清洗制程,所述第一清洗制程包括第一子清洗制程,所述第一子清洗制程的步骤包括:采...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。