本实用新型涉及一种长晶炉结构，其包括壳体、加热器和坩埚本体，所述壳体上设有进气口和抽气口，所述壳体内形成有加热腔体；所述加热器和坩埚本体设于加热腔体内，所述加热器设于坩埚本体外周；所述坩埚本体内侧面形成有碳化铌膜层。本实用新型通过在石墨...

本实用新型涉及一种碳化硅晶体激光切片装置，其包括激光切割机构和热力分离机构；本实用新型首先利用切割光源在切割面重新构建该切割面的晶体结构，使单晶态变为非晶态，然后再利用垂直辐射光源和侧面辐射光源对碳化硅晶体进行激光加热，在切割面因为之前...

本实用新型涉及一种沟槽结构碳化硅氧化物场效应管，其从下至上依次设有n+型SiC基板、n‑型SiC层、n型SiC层、和绝缘层；所述n+型SiC基板的下端面设有漏极；所述n‑型SiC层靠近n型SiC层的位置处设有p+型埋层；所述n型SiC层...

本实用新型涉及一种氮化镓外延芯片，其中，氮化镓外延芯片包括衬底、种子层、缓冲层和氮化镓外延层，所述种子层设于衬底上，所述缓冲层设于种子层和氮化镓外延层之间；所述缓冲层包括两组以上的Al

本实用新型涉及一种氮化镓外延芯片，其中，氮化镓外延芯片包括衬底、种子层、缓冲层和氮化镓外延层，种子层设于衬底上，缓冲层设于种子层和氮化镓外延层之间。本实用新型在衬底和氮化镓外延层之间增设了种子层和缓冲层，用于改善氮化镓与衬底之间的晶格系...

本发明涉及一种具有复合氧化层的碳化硅金属氧化物半导体制备方法，其利用低能等离子氧预洗芯片表面，产生牺牲氧化物，再用RCA工艺清洗碳化硅外延片表面，以改善芯片的研磨残余的缺陷。然后，以干式热氧化生长一层二氧化硅薄膜，改善碳空位缺陷；进一步...

本发明涉及一种金属辅助光化学的n型碳化硅蚀刻方法，将刻蚀工艺分三阶段，第一阶段：在n型碳化硅表面溅射金属膜并进行图形化处理；第二阶段：在刻蚀前进行激光扫描，受光位置超过其光化学刻蚀融熔阈值，可以有效提高刻蚀的深宽比；第三阶段：把n型碳化...

本发明涉及一种金属辅助电化学的p型/绝缘型碳化硅蚀刻方法，将刻蚀工艺分三阶段，第一阶段：在p型/绝缘型碳化硅表面溅射金属膜并进行图形化处理；第二阶段：在刻蚀前进行激光扫描，受光位置超过其光化学刻蚀融熔阈值，可以有效提高刻蚀的深宽比；第三...

本实用新型涉及一种功率器件静电放电保护电路，在N型井、第二P型井增加了一个N+桥区，利用N+桥区的击穿特来降低第二P型井的触发点电压。在第二P型井中，N+桥区与第二N+型区之间有栅极，形成一个NMOS(N+桥区、第二N+型区分别作为源极...

本实用新型涉及一种碳化硅晶体生长的温度控制装置及方法，其通过将籽晶托的热量辐射方式改变为热传导方式，再利用半导体散热体特性，通过控制器控制半导体散热体的端电压，使石墨体传导的热流量变为可控的变量，从而实现一种简单直接的控制生长界面的温度...

本实用新型涉及一种功率器件静电放电保护电路，在N型井、第二P型井增加了一个N+桥区，利用N+桥区的击穿特来降低第二P型井的触发点电压。在N型井设置第三P+区，提高器件的响应速度。在第二P型井中，N+桥区与第二N+型区之间有栅极，形成一个...

本实用新型涉及一种氮化镓外延芯片，包括衬底、种子层、缓冲层和氮化镓外延层，所述种子层设于衬底上，所述缓冲层设于种子层和氮化镓外延层之间；所述缓冲层包括两组以上的超级晶格层，每组超级晶格层由氮化铝层和氮化镓层复合形成，所述氮化铝层和氮化镓...

本发明涉及一种碳化硅晶体生长的温度控制装置，其通过将籽晶托的热量辐射方式改变为热传导方式，再利用半导体散热体特性，通过控制器控制半导体散热体的端电压，使石墨体传导的热流量变为可控的变量，从而实现一种简单直接的控制生长界面的温度与生长速率...

本发明涉及一种沟槽结构碳化硅氧化物场效应管及其制备方法，其在双沟槽栅极MOSFET器件中采用双层外延工艺，分散栅极绝缘膜的电埸强度，在沟槽底部形成高浓度掺杂p+型体层，以保护栅区底部表面的绝缘膜。此外，直接通过LPCVD在高温下将N2O...

本发明涉及一种功率器件静电放电保护电路，在N型井、第二P型井增加了一个N+桥区，利用N+桥区的击穿特来降低第二P型井的触发点电压。在第二P型井中，N+桥区与第二N+型区之间有栅极，形成一个NMOS(N+桥区、第二N+型区分别作为源极与漏...

本发明涉及一种功率器件静电放电保护电路，在N型井、第二P型井增加了一个N+桥区，利用N+桥区的击穿特来降低第二P型井的触发点电压。在N型井设置第三P+区，提高器件的响应速度。在第二P型井中，N+桥区与第二N+型区之间有栅极，形成一个NM...

本发明涉及一种氮化镓晶体的制备方法，其在半导体基板与氮化镓外延层之间形成转移层，利用该转移层的巨变特性，解决氮化镓与半导体基板之间的晶格常数不匹配和膨胀因子不匹配的问题，同时制备出缺陷密度低、平整性优异的氮化镓晶体。

本发明涉及一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法，其包括以下步骤：步骤1、根据所需尺寸及形状裁切碳化硅晶圆，并对碳化硅晶圆表面进行清洁处理；步骤2、在碳化硅晶圆上外延生长阻隔层；步骤3、对碳化硅晶圆进行图形化光刻处理，并在碳化硅晶圆...

本发明涉及一种石墨坩埚及其制备方法，其通过在石墨坩埚内形成碳化铌膜层，来减少石墨坩埚中碳元素参与到晶体的生产过程，进而抑制晶体石墨化。而在石墨坩埚上制备碳化铌时，利用超声波将氧化铌附着到坩埚上，然后利用现有的长晶炉对坩埚进行热碳还原处理...

本发明涉及一种氮化镓外延芯片及其制备方法，其中，氮化镓外延芯片包括衬底、种子层、缓冲层和氮化镓外延层，其中，种子层设于衬底上，缓冲层设于种子层和氮化镓外延层之间。本发明在衬底和氮化镓外延层之间增设了种子层和缓冲层，用于改善氮化镓与衬底之...