具有复合氧化层的碳化硅金属氧化物半导体制备方法技术

本发明专利技术涉及一种具有复合氧化层的碳化硅金属氧化物半导体制备方法，其利用低能等离子氧预洗芯片表面，产生牺牲氧化物，再用RCA工艺清洗碳化硅外延片表面，以改善芯片的研磨残余的缺陷。然后，以干式热氧化生长一层二氧化硅薄膜，改善碳空位缺陷；进一步把碳化硅外延片放置在一300℃的热盘上，在氧气下溅射Al原子，接着在氧气中静置3~5分钟；重复溅射、静置步骤至所需Al

【技术实现步骤摘要】
具有复合氧化层的碳化硅金属氧化物半导体制备方法
本专利技术涉及半导体器件制备领域，具体涉及一种具有复合氧化层的碳化硅金属氧化物半导体制备方法。
技术介绍
SiC做为新一代半导体材料，具有优异的材料特性，如与硅材料相比，三倍的能量带宽度、10倍高绝缘耐电场能力）、2倍的饱和电子速度和3倍的优异导热性；其相对较低的功耗，产生的热量少，效率高。如同Si材料，SiC是唯一一种可以通过热氧化得到高质量SiO2的化合物半导体。因此，SiC热氧化得到的氧化硅被用作金属氧化物半导体器件MOS的栅介质。然而，和Si技朮最显着的差别是SiC组成元素之一的碳原子。在SiC金属氧化物半导体器件MOS方面已有一些综述发表，但目前SiCMOS界面还在不断改进〔1〕。MOS氧化物/半导体界面有几个重要功能参数：1界面态浓度，2.界面中固定电荷浓度，3.氧化物界面边缘的电子陷阱浓度，4.氧化层内的载流子浓度，5.氧化层漏电流(相对于电场强度与温度)，6.氧化层击穿电场强度。在MOS功率器件的电气特性与可靠度很大部份取决于上述的参数值。由于上述的各参数值本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有复合氧化层的碳化硅金属氧化物半导体制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/n步骤1、以低能等离子氧预先冲刷碳化硅外延片表面5~10分钟；/n步骤2、对经步骤1处理后的碳化硅外延片进行RCA清洗；/n步骤3、干式热氧化碳化硅外延片1~3分钟，反应腔温度在600℃~800℃之间，形成二氧化硅薄膜；/n步骤4、把碳化硅外延片放置在一300℃热盘上，在氧气下溅射铝原子1分钟，腔体温度在200℃~250℃；/n步骤5、暂停溅射工序，把碳化硅外延片在300℃热盘上静置3~5分钟；/n步骤6、重复步骤4，至所需的Al

【技术特征摘要】
1.一种具有复合氧化层的碳化硅金属氧化物半导体制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1、以低能等离子氧预先冲刷碳化硅外延片表面5~10分钟；
步骤2、对经步骤1处理后的碳化硅外延片进行RCA清洗；
步骤3、干式热氧化碳化硅外延片1~3分钟，反应腔温度在600℃~800℃之间，形成二氧化硅薄膜；
步骤4、把碳化硅外延片放置在一300℃热盘上，在氧气下溅射铝原子1分钟，腔体温度在200℃~250℃；
步骤5、暂停溅射工序，把碳化硅外延片在300℃热盘上静置3~5分钟；
步骤6、重复步骤4，至所需的Al2O...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶宏伦，洪天河，
申请(专利权)人：璨隆科技发展有限公司，阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司，新疆璨科半导体材料制造有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32