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本发明涉及一种具有复合氧化层的碳化硅金属氧化物半导体制备方法，其利用低能等离子氧预洗芯片表面，产生牺牲氧化物，再用RCA工艺清洗碳化硅外延片表面，以改善芯片的研磨残余的缺陷。然后，以干式热氧化生长一层二氧化硅薄膜，改善碳空位缺陷；进一步把碳...该专利属于璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司授权不得商用。