一种氮化镓外延芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种氮化镓外延芯片，其中，氮化镓外延芯片包括衬底、种子层、缓冲层和氮化镓外延层，种子层设于衬底上，缓冲层设于种子层和氮化镓外延层之间。本实用新型专利技术在衬底和氮化镓外延层之间增设了种子层和缓冲层，用于改善氮化镓与衬底之间的晶格系数、热膨胀系数等特性的匹配性，从而在保证氮化镓晶格排列错位密度的情况下，能够提高氮化镓的的生长厚度。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓外延芯片
本技术涉及半导体材料领域，具体涉及一种氮化镓外延芯片。
技术介绍
目前III/V族氮化物半导体材主要有GaN(氮化镓)、InGaN(氮化铟镓)和AlGaN(氮化铝镓)。这类材料被应用在光电器件、半导体激光器件、发光二极体、高电子迁移率电晶体等。氮化物半导体材料的能隙特性，可在1.9到6.2ev之间做连续性调变(非阶段性)。其具有良好的物理，化学稳定性和高饱和电子迁移率，是大功率、高频、发光器件的理想材料。氮化镓单晶体不存在自然界，没办法从自然界中取得，所以要人工制造。目前的制造方法就是找一种单晶材料当基础，称衬底基板，然后在衬底基板上再生长氮化镓薄膜。因为衬底材料的不同，没办法完美的匹配。热膨胀时易发生龟裂，衬底材料的位错会被带进氮化镓层然后被放大。所以有研究提出了在这中间利用其他材料生长出多一层的氮化铝AlN缓冲层来解决问题。现有的缓冲层很难生长出1微米或以上厚度的氮化镓GaN，同时得到氮化镓GaN晶格层中原子的排列错位密度(dislocationdensities)在5x108/cm2以下的质量。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本技术的目的在于提供一种氮化镓晶体外延片，其在保证氮化镓晶格排列错位密度的情况下，能够提高氮化镓的的生长厚度。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：一种氮化镓外延芯片，其包括衬底、种子层、缓冲层和氮化镓外延层，所述种子层设于衬底上，所述缓冲层设于种子层和氮化镓外延层之间；所述缓冲层包括一组以上的复合层，所述复合层包括AlxGa1-xN层和超级晶格层，所述超级晶格层和AlxGa1-xN层由种子层向氮化镓外延层依次叠加；所述超级晶格层由氮化铝层和氮化镓层复合形成，所述氮化铝层和氮化镓层由种子层向氮化镓外延层方向交替堆叠；所述超级晶格层中氮化铝层和氮化镓层的厚度比为y。所述超级晶格层中，氮化铝层与其相邻的一氮化镓层形成一铝镓对，每组超级晶格层包括多个铝镓对，各铝镓对的氮化铝层和氮化镓层厚度比为相同，且为y。所述超级晶格层中氮化铝层和氮化镓层的堆叠层数为20层以上。所述超级晶格层的氮化铝层和氮化镓层的厚度比为y为0.2-1.9。所述AlxGa1-xN层的x值为0.2-0.85。所述缓冲层包括两组以上的复合层，各组复合层中AlxGa1-xN层的x值由种子层向氮化镓外延层方向依次减少，各组复合层中超级晶格层的氮化铝和氮化镓厚度比y由种子层向氮化镓方向逐渐减小。所述缓冲层中每一复合层的AlxGa1-xN层的x值等于该复合层的超级晶格层的氮化铝和氮化镓厚度比y的两倍，即y＝2x。所述缓冲层中各复合层的超级晶格层厚度由种子层向氮化镓外延层方向逐渐减小，各复合层的AlxGa1-xN层厚度由种子层向氮化镓外延层方向逐渐减小。所述缓冲层的每一复合层中，AlxGa1-xN层的厚度小于超级晶格层厚度。所述缓冲层的每一复合层厚度为100-800nm。所述种子层为氮化铝层，其厚度为100-200nm。采用上述方案后，本技术在衬底和氮化镓外延层之间增设了种子层和缓冲层，用于改善氮化镓与衬底之间的晶格系数、热膨胀系数等特性的匹配性。具体地，缓冲层由一组以上复合层构成，而每组复合层由AlxGa1-xN层和超级晶格层构成，通过改变AlxGa1-xN层和超级晶格层的铝占比，使铝占比逐渐减少，镓占比逐渐增多，从而提高衬底与氮化镓的晶格系数匹配度，从而保证氮化镓晶格排列错位密度的情况下，能够提高氮化镓的生长厚度。附图说明图1为本技术氮化镓外延芯片结构示意图；图2为本技术缓冲层中超级晶格SL和AlxNGa1-xNN复合层组合示意图。标号说明：衬底1；种子层2；氮化镓外延层3；缓冲层4；复合层41；超级晶格层411；AlxGa1-xN层412。具体实施方式如图1和图2所示，本技术揭示了一种氮化镓外延芯片，其可以是高绝缘氮化镓、P型氮化镓或N型氮化镓。该氮化镓外延芯片包括衬底1、种子层2、缓冲层4和氮化镓外延层3，其中，种子层2设于衬底1上，缓冲层4设于种子层2和氮化镓外延层3之间。本技术在衬底1和氮化镓外延层3之间增设了种子层2和缓冲层4，用于改善氮化镓与衬底1之间的晶格系数、热膨胀系数等特性的匹配性。如图1和图2所示，所述缓冲层4包括一组以上的复合层41，所述复合层41包括AlxGa1-xN层412和超级晶格层411，所述超级晶格层411和AlxGa1-xN层412由种子层2向氮化镓外延层3依次叠加；所述超级晶格层411由氮化铝层和氮化镓层复合形成，所述氮化铝层和氮化镓层由种子层2向氮化镓外延层3方向交替堆叠；所述超级晶格层411中氮化铝层和氮化镓层的厚度比为y。每一超级晶格层411中，氮化铝层和氮化镓层的堆叠层数为20层以上。氮化铝层与其相邻的一氮化镓层形成一铝镓对，每组超级晶格层411包括多个铝镓对，各铝镓对的氮化铝层和氮化镓层厚度比为相同，且为y，其取值为0.2-1.9。而符合层中的AlxGa1-xN层412的x值为0.2-0.85。当缓冲层4包括两组以上的复合层41时，各组复合层41中AlxGa1-xN层412的x值由种子层2向氮化镓外延层3方向依次减少，各组复合层41中超级晶格层411的氮化铝和氮化镓厚度比y由种子层2向氮化镓方向逐渐减小。缓冲层4中每一复合层41的AlxGa1-xN层412的x值等于该复合层41的超级晶格层411的氮化铝和氮化镓厚度比y的两倍，即y＝2x。进一步地，缓冲层4中各复合层41的超级晶格层411厚度由种子层2向氮化镓外延层3方向逐渐减小，各复合层41的AlxGa1-xN层412厚度由种子层2向氮化镓外延层3方向逐渐减小。且缓冲层4的每一复合层41中，AlxGa1-xN层412的厚度小于超级晶格层411厚度。所述缓冲层4的每一复合层41厚度为100-800nm。所述种子层2为氮化铝层，其厚度为100-200nm。上述氮化镓外延芯片的制备方法为：在衬底1上依次生长种子层2、缓冲层4和氮化镓外延层3，所述缓冲层4包括N组复合层41，而所述复合层41包括AlxGa1-xN层412和超级晶格层411，具体生长过程如下：在衬底1上生长氮化铝种子层2；衬底1可以使用Al2O3衬底1、SiC衬底1或Si衬底1。在种子层2上交替堆叠20层以上的氮化铝层和氮化镓层，形成第一组复合层41的超级晶格层411；在超晶格层上继续生长Alx1Ga1-x2N层；在第一组复合层41的Alx1Ga1-x1N层上继续交替堆叠20层以上的氮化铝层和氮化镓层，形成第二组复合层41的超级晶格层411；在超晶格层上继续生长Alx2Ga1-x2N层；继续生长超级晶格层411和AlxGa1-xN层412，直到形成第N组的超级晶格层411和AlxNGa1-xNN层。在AlxNGa1-xNN层上生长氮化镓外延本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化镓外延芯片，其特征在于：包括衬底、种子层、缓冲层和氮化镓外延层，所述种子层设于衬底上，所述缓冲层设于种子层和氮化镓外延层之间；/n所述缓冲层包括一组以上的复合层，所述复合层包括Al

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓外延芯片，其特征在于：包括衬底、种子层、缓冲层和氮化镓外延层，所述种子层设于衬底上，所述缓冲层设于种子层和氮化镓外延层之间；
所述缓冲层包括一组以上的复合层，所述复合层包括AlxGa1-xN层和超级晶格层，所述超级晶格层和AlxGa1-xN层由种子层向氮化镓外延层依次叠加；
所述超级晶格层由氮化铝层和氮化镓层复合形成，所述氮化铝层和氮化镓层由种子层向氮化镓外延层方向交替堆叠；所述超级晶格层中氮化铝层和氮化镓层的厚度比为y。


2.根据权利要求1所述的一种氮化镓外延芯片，其特征在于：所述超级晶格层中，氮化铝层与其相邻的一氮化镓层形成一铝镓对，每组超级晶格层包括多个铝镓对，各铝镓对的氮化铝层和氮化镓层厚度比为相同，且为y。


3.根据权利要求1所述的一种氮化镓外延芯片，其特征在于：所述超级晶格层中氮化铝层和氮化镓层的堆叠层数为20层以上。


4.根据权利要求1所述的一种氮化镓外延芯片，其特征在于：所述超级晶格层的氮化铝层和氮化镓层的厚度比为y为0.2-1.9。


5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东键，叶宏伦，钟健，钟其龙，刘崇志，张本义，
申请(专利权)人：璨隆科技发展有限公司，阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司，新疆璨科半导体材料制造有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32