一种氮化物膜及其制备方法技术

本发明专利技术一实施方式提供了一种氮化物膜及其制备方法，该方法包括：提供一基底，所述基底包括氮掺杂石墨烯层；以及，在所述氮掺杂石墨烯层上形成氮化物膜。本发明专利技术一实施方式的氮化物膜的制备方法，通过将氮原子掺入石墨烯骨架，形成了大量的悬挂键，有利于IIIA族氮化物层的成核生长，从而缩短了氮化物膜的生长时间，降低了器件生长成本。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化物膜及其制备方法
本专利技术涉及氮化物膜，具体为一种可用于LED器件的氮化物膜及其制备方法。
技术介绍
氮化镓(GaN)是一种具有宽直接带隙的Ⅲ-Ⅴ半导体，具有高热导率、高机械强度、高化学稳定性和强的抗辐照能力等性质，在光电子、高温大功率器件和高频宽带通讯器件应用方面有着广阔的前景。另外，氮化镓还可以与氮化铝(AlN)氮化铟(InN)混合形成三元或四元化合物，并进一步制备得到蓝光LED器件。就蓝光LED器件的生产而言，目前工业上采用的是用异质外延(以蓝宝石和碳化硅作为衬底)技术两步法生长GaN薄膜，即先低温生长多晶GaN作为缓冲层，再高温外延生长单晶p-GaN，之后进一步生长量子阱等结构获得蓝光LED器件。然而传统方法中，由于氮化物成核密度难以调控，往往会在后续氮化物成膜过程中引入过多缺陷，影响LED器件性能。
技术实现思路
本专利技术的一个主要目的在提供一种氮化物膜的制备方法，包括：提供一基底，所述基底包括氮掺杂石墨烯层；以及，在所述氮掺杂石墨烯层上形成氮化物膜。本专利技术一实施方式提供了一种复合氮本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化物膜的制备方法，包括：/n提供一基底，所述基底包括氮掺杂石墨烯层；以及/n在所述氮掺杂石墨烯层上形成氮化物膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种氮化物膜的制备方法，包括：
提供一基底，所述基底包括氮掺杂石墨烯层；以及
在所述氮掺杂石墨烯层上形成氮化物膜。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述氮掺杂石墨烯层中，氮的掺杂浓度为0.5～12wt％。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氮掺杂石墨烯层的制备方法包括：通过将碳源和氮源在绝缘基底上进行化学气相沉积，制得所述氮掺杂石墨烯层。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述碳源包括乙醇、乙烯、甲烷、乙炔、苯及乙烷中的一种或多种；和/或，
所述氮源包括苯胺、乙腈、甲胺、甲胺的乙醇溶液、乙胺、乙醇胺、吡啶、硝基苯、氨气中的一种或多种。


5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述碳源和所述氮源的摩尔比为1:(0.1～10)；和/或，
所述化学气相沉积选自低压热化学气相沉积法或常压热化学气相沉积法。


6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述低压热化学气相沉积法中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘忠范，王若嵛，高鹏，
申请(专利权)人：北京大学，北京石墨烯研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11