InGaN基LED外延片及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种InGaN基LED外延片及其制备方法，其中InGaN基LED外延片包括：衬底；InGaN层片，形成于所述衬底的一侧表面，其In含量在40％至90％之间，以确保所述LED外延片能够发射长波长光或近红外射线；p型金属氧化物层片，形成于所述InGaN层片的背朝所述衬底的一侧表面上，以用作对所述InGaN层片的空穴注入层。由于p型金属氧化物(特别是Cu

【技术实现步骤摘要】
InGaN基LED外延片及其制备方法
本专利技术涉及半导体发光二极管(LED)领域，特别是涉及InGaN基LED外延片及其制备方法。
技术介绍
发光二极管简称为LED(LightEmittingDiode)。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成的半导体中，p型半导体提供空穴，而n型半导体提供电子，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用上述半导体来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。辐射出的光颜色(频率或波长)取决于半导体材料的带隙宽度，一般而言，带隙宽度越宽，辐射出的光子能量越大(频率越高)，波长越短。InGaN现已广泛用于LED领域。而且被认为是最具发展前景的LED半导体材料之一。这是因为InGaN半导体材料的带隙宽度会随着其中In元素的融合含量而发生改变。具体地，当In含量增加时，其带隙宽度会变小，相应的辐射出的光的波长会变长。因此，通过调节InGaN中的In含量，可以改变其带隙宽度，进而确定辐射出的光的颜色。InGaN作为半导体材料的一个巨大优势是，其在III-V型半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种InGaN基LED外延片，其特征在于包括：/n衬底；/nInGaN层片，形成于所述衬底的一侧表面，其In含量在40％至90％之间，以确保所述LED外延片能够发射长波长光或近红外射线；/np型金属氧化物层片，形成于所述InGaN层片的背朝所述衬底的一侧表面上，以用作对所述InGaN层片的空穴注入层。/n

【技术特征摘要】
1.一种InGaN基LED外延片，其特征在于包括：
衬底；
InGaN层片，形成于所述衬底的一侧表面，其In含量在40％至90％之间，以确保所述LED外延片能够发射长波长光或近红外射线；
p型金属氧化物层片，形成于所述InGaN层片的背朝所述衬底的一侧表面上，以用作对所述InGaN层片的空穴注入层。


2.根据权利要求1所述的InGaN基LED外延片，其特征在于
所述p型金属氧化物层片为Cu2O层片。


3.根据权利要求1所述的InGaN基LED外延片，其特征在于
所述InGaN层片为具有单一In含量的均匀层片或具有不同In含量的异质结构层片。


4.根据权利要求1所述的InGaN基LED外延片，其特征在于
所述衬底的材料为蓝宝石、Si、SiC和GaN其中之一。


5.根据权利要求1所述的InGaN基LED外延片，其特征在于
p型金属氧化物选择为，使其带隙跨越InGaN层片的带隙，以保证所述p型金属氧化物层片的空穴注入效率。...

【专利技术属性】
技术研发人员：理查德·内策尔，周国富，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：广东;44