【技术实现步骤摘要】
一种调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法
本专利技术涉及半导体压电光电子学
，特别是涉及一种调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法。
技术介绍
LED是当今电子信息工业应用最广泛的有源器件，因为其具有环保、节能、高效、寿命长等优点，越来越受到人们的关注，在很多领域都扮演者特别重要的角色，应用前景巨大。例如在交通上，可用于公路信号指示灯，在汽车制造业，上汽车各项指示灯，仪器表盘等；在照明行业上，在日常照明取代传统白炽灯光源，同时又可实现节能。而随着高亮度InGaN蓝绿光LED的不断商业化，人们又开始探索如何制造出更加节能且高亮度的InGaN蓝绿光LED。GaN材料作为Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的代表，其禁带宽度在3.4eV，又因其性质稳定，导热性好，是制作蓝光LED的优选材料。InN禁带宽度在0.7eV通过调节三元化合物InGaN中的In组分可以实现其禁带宽度在0.7eV-3.4eV，从而使得对应波长几乎覆盖整个太阳光谱，从而使得InGaN成为制造LED材料的重要材料。但是InN的晶格常数比GaN的晶格...
【技术保护点】
1.一种调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，其特征在于，包括：/n采用金属有机化学气相沉积方法，制备包括InGaN/GaN异质结薄膜的外延基片；所述外延基片包括蓝宝石衬底以及依次在所述蓝宝石衬底上生长的第一未掺杂GaN层、重掺杂n-GaN层、轻掺杂n-GaN层、第二未掺杂GaN层、InGaN量子阱层以及p-GaN层；/n利用电化学腐蚀方法，将所述外延基片上的InGaN/GaN异质结薄膜从所述蓝宝石衬底上剥离下来；/n利用物理转移方法，将剥离下来的所述InGaN/GaN异质结薄膜转移到PET衬底上并贴合，得到紧贴PET衬底的样品；/n利用3D位移平台，对所述样品上...
【技术特征摘要】
1.一种调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，其特征在于，包括：
采用金属有机化学气相沉积方法，制备包括InGaN/GaN异质结薄膜的外延基片；所述外延基片包括蓝宝石衬底以及依次在所述蓝宝石衬底上生长的第一未掺杂GaN层、重掺杂n-GaN层、轻掺杂n-GaN层、第二未掺杂GaN层、InGaN量子阱层以及p-GaN层；
利用电化学腐蚀方法，将所述外延基片上的InGaN/GaN异质结薄膜从所述蓝宝石衬底上剥离下来；
利用物理转移方法，将剥离下来的所述InGaN/GaN异质结薄膜转移到PET衬底上并贴合，得到紧贴PET衬底的样品；
利用3D位移平台，对所述样品上的PET衬底施加拉伸应力和压缩应力以实现压电手段对所述样品内部极化的调制。
2.根据权利要求1所述的调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，其特征在于，所述重掺杂n-GaN层采用的是Si掺杂，掺杂浓度为1.3×1019cm-3；所述轻掺杂n-GaN层采用的是Si掺杂，掺杂浓度为2.2×1018cm-3。
3.根据权利要求1所述的调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，其特征在于，所述第一未掺杂GaN层的厚度为1.5um，所述重掺杂n-GaN层的厚度为2.5um，所述轻掺杂n-GaN层的厚度为200nm，所述第二未掺杂GaN层的厚度为3um，所述InGaN量子阱层的厚度为10nm，所述p-GaN层的厚度为250nm。
4.根据权利要求1所述的调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，其特征在于，所述利用电化学腐蚀方法，将所述外延基片上的InGaN/GaN异质结薄膜从所述蓝宝石衬底上剥离下来，具体包括：
制备草酸电解溶液；
在所述外延基片的重掺杂n-GaN层涂上银浆；
将涂有银浆的外延基片的一侧与带夹子的Pt电极连接，作为电化学腐蚀的阳极，将另一个Pt电极作为电化学腐蚀的阴极；
将所述阳极、所述草酸电解溶液、所述阴极以及所述直流电源串联形成闭合回路；
调节所述直流电源的电压和腐蚀时间使所述外延基片上的InGaN/GaN异质结...
【专利技术属性】
技术研发人员：李述体，王幸福，姜健，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。