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本发明公开了一种调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，涉及半导体压电光电子学技术领域。本发明通过金属有机化学气相沉积方法制备包括InGaN/GaN异质结薄膜的外延基片，通过电化学腐蚀方法把InGaN/GaN异质结薄膜从蓝宝石衬底上...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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